1815 год

Характеристики

Приведем основные предельно допустимые характеристики транзистора ВС557 при температуре окружающей среды 25оС:

  • Максимальное напряжение коллектор-база Uкб max = — 50 В;
  • Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max = -45 В;
  • Наибольшее возможное напряжение эмиттер-база Uэб max = -5 В;
  • Максимальный постоянный ток коллектора Iк max = -100 мА;
  • Наибольший допустимый ток коллектора Iк пик = -200 мА;
  • Рассеиваемая мощность коллектора (максимальная) Рк max = 0,5 Вт;
  • Температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150 оС;
  • Максимальная температура перехода Tj = 150 оС.

В следующей таблице написаны основные электрические значения устройства.

В документации производителя присутствует такой параметр как «тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда»

Данное число показывает, насколько градусов увеличится температура кристалла, при увеличении рассеиваемой мощности.

Все транзисторы ВС557 по статическому коэффициенту передачи тока (hfe) делятся на три группы А, В и С.

  1. Для ВС557А – hfe = от 110 до 200;
  2. Для ВС557В – hfe = от 200 до 450;
  3. Для ВС557С – hfe = от 420 до 800;

На следующем рисунке приведен график зависимости коэффициента усиления транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером hfe от тока коллектора.

На графике по оси абсцисс отложены значения тока коллектора в логарифмическом масштабе. По оси ординат отложены значения hfe.

Производители

Производством транзистора А1015 занимаются многие различных зарубежные компаний: Unisonic Technologies, DC Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SeCoS Halbleitertechnologie, Weitron Technology, Hi-Sincerity Mocroelectronics, MAKO Semiconductor, Daya Electric Group, Willas Electronic, Micro Electronics, Guangdong Hottech Industrial, Shenzhen KOO Chin Electronics, Shike Electronics, Jiangsu High diode, Toshiba, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, Shenzhen SLS Technology. На российском рынке они представлены такими изготовителями: Fairchild Semiconductor, INCHANGE Semiconductor, DC Components.

2SC1812 Datasheet (PDF)

4.1. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _update

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

4.2. 2sc1815-bl-gr-o-y.pdf Size:368K _update

2SC1815-O
MCC
2SC1815-Y
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
2SC1815-GR
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
2SC1815-BL
Fax: (818) 701-4939
Features
• 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF
NPN Silicon
Amplifier and General Purpose Applications.
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
Epitaxial

 4.3. 2sc1819m.pdf Size:84K _update

SavantIC Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC1819M
DESCRIPTION
·With TO-220 package
·High VCEO
·Large PC
APPLICATIONS
·For use in line-operated color TV chroma
output circuits.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings (Ta

4.4. 2sc1815-t.pdf Size:213K _toshiba



 4.5. 2sc1815l.pdf Size:308K _toshiba

2SC1815(L)
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815(L)
Audio Frequency Voltage Amplifier Applications
Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications
• High breakdown voltage, high current capability
: V = 50 V (min), I = 150 mA (max)
CEO C
• Excellent linearity of h
FE
: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)

4.6. 2sc1815.pdf Size:272K _toshiba

2SC1815
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Unit: mm
Driver Stage Amplifier Applications
High voltage and high current: VCEO = 50 V (min),
IC = 150 mA (max)
• Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.)
at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)

4.7. 2sc1815.pdf Size:227K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC1815 NPN SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH
FREQUENCY OSC NPN
TRANSISTOR
? FEATURES
* Collector-Emitter voltage:
BV =50V
CEO
* Collector current up to 150mA
* High h linearity
FE
* Complimentary to UTC 2SA1015
? SYMBOL
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2

4.8. 2sc1819.pdf Size:37K _no

4.9. 2sc1816.pdf Size:217K _sony

4.10. 2sc1810.pdf Size:293K _sony

4.11. 2sc1817.pdf Size:137K _sony

4.12. 2sc1815-m.pdf Size:168K _microelectronics

4.13. 2sc1819m.pdf Size:84K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC1819M
DESCRIPTION
·With TO-220 package
·High VCEO
·Large PC
APPLICATIONS
·For use in line-operated color TV chroma
output circuits.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings (Ta

4.14. 2sc1815.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC1815
DESCRIPTION
·High Voltage and High Current
Vceo=50V(Min.)
,Ic=150mA(Max)
·Excellent hFE Linearity
·Low Noise
·Complement to Type 2SA1015(O,Y,GR class)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Audio frequency general purpose amplifier Applications
·Driver sta

4.15. 2sc1815m.pdf Size:729K _blue-rocket-elect

2SC1815M(BR3DG1815M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,电流大,有极好的 h 特性,低噪声系数。
FE
High voltage and high current, excellent hFE linearity ,low noise.
用途 / Applications
用于普通低频放大,激励级放大

4.16. 2sc1815.pdf Size:959K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
NPN Transistors
2SC1815
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Power dissipation 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector to Base Voltage VCBO 60 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter to Base Voltage VEBO 5

4.17. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _hfzt

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

Биполярный транзистор D1815-R — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: D1815-R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO-251

D1815-R
Datasheet (PDF)

1.1. d1815-r.pdf Size:671K _upd

MCC
D1815-R
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»
NPN Silicon
• Lead Free Finish/Rohs Compliant («P»Suffix designates RoHS
Compliant. See ordering information)
Epitaxial Transistor
• Capable of 1.0W

5.1. 2sd1815.pdf Size:154K _sanyo

Ordering number:EN2539B
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1215/2SD1815
High-Current Switching Applications
Applications Package Dimensions
Relay drivers, high-speed inverters, converters, and
unit:mm
other general high-current switching applications.
2045B
[2SB1215/2SD1815]
Features
Low collector-to-emitter saturation voltage.
Excllent linearity of hFE.
Small

5.2. 2sb1215 2sd1815.pdf Size:60K _sanyo

Ordering number:ENN2539B
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1215/2SD1815
High-Current Switching Applications
Applications Package Dimensions
Relay drivers, high-speed inverters, converters, and
unit:mm
other general high-current switching applications.
2045B
[2SB1215/2SD1815]
6.5
Features
2.3
5.0
0.5
4
Low collector-to-emitter saturation voltage.
Excllent lin

 5.3. 2sd1815.pdf Size:228K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1815
DESCRIPTION
·Excellent linearity of h
FE
·Small and slim package making it easy to make 2SD1815/2SB1215-used set smaller
·Low collector-to-emitter saturation voltage
·High f
T
·Fast switching speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICAT

5.4. 2sd1815.pdf Size:442K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SD1815
TO-252
Unit: mm
+0.15
6.50-0.15
+0.1
2.30 -0.1
+0.2
5.30-0.2 +0.8
0.50 -0.7
■ Features
● Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage
● Fast Switching Speed
0.127
+0.1
● High fT.
0.80-0.1
max
● Complementary to 2SB1215
+ 0.1
1 Base
2.3 0.60- 0.1
+0.15
4 .60 -0.15
2 Collector
3 Emitter
■ Absolute Maximum Rati

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор 2SC1815LT1 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1815LT1

Маркировка: L6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: SOT23

2SC1815LT1
Datasheet (PDF)

1.1. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _update

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

2.1. 2sc1815l.pdf Size:308K _toshiba

2SC1815(L)
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815(L)
Audio Frequency Voltage Amplifier Applications
Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications
• High breakdown voltage, high current capability
: V = 50 V (min), I = 150 mA (max)
CEO C
• Excellent linearity of h
FE
: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)

 3.1. 2sc1815-bl-gr-o-y.pdf Size:368K _update

2SC1815-O
MCC
2SC1815-Y
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
2SC1815-GR
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
2SC1815-BL
Fax: (818) 701-4939
Features
• 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF
NPN Silicon
Amplifier and General Purpose Applications.
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
Epitaxial

3.2. 2sc1815-t.pdf Size:213K _toshiba



 3.3. 2sc1815.pdf Size:272K _toshiba

2SC1815
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Unit: mm
Driver Stage Amplifier Applications
High voltage and high current: VCEO = 50 V (min),
IC = 150 mA (max)
• Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.)
at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)

3.4. 2sc1815.pdf Size:227K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC1815 NPN SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH
FREQUENCY OSC NPN
TRANSISTOR
? FEATURES
* Collector-Emitter voltage:
BV =50V
CEO
* Collector current up to 150mA
* High h linearity
FE
* Complimentary to UTC 2SA1015
? SYMBOL
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2

 3.5. 2sc1815-m.pdf Size:168K _microelectronics

3.6. 2sc1815.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC1815
DESCRIPTION
·High Voltage and High Current
Vceo=50V(Min.)
,Ic=150mA(Max)
·Excellent hFE Linearity
·Low Noise
·Complement to Type 2SA1015(O,Y,GR class)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Audio frequency general purpose amplifier Applications
·Driver sta

3.7. 2sc1815m.pdf Size:729K _blue-rocket-elect

2SC1815M(BR3DG1815M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,电流大,有极好的 h 特性,低噪声系数。
FE
High voltage and high current, excellent hFE linearity ,low noise.
用途 / Applications
用于普通低频放大,激励级放大

3.8. 2sc1815.pdf Size:959K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
NPN Transistors
2SC1815
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Power dissipation 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector to Base Voltage VCBO 60 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter to Base Voltage VEBO 5

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

Биполярный транзистор 2SC1815BL — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1815BL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500

Корпус транзистора: TO92

2SC1815BL
Datasheet (PDF)

3.1. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _update

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

3.2. 2sc1815-bl-gr-o-y.pdf Size:368K _update

2SC1815-O
MCC
2SC1815-Y
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
2SC1815-GR
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
2SC1815-BL
Fax: (818) 701-4939
Features
• 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF
NPN Silicon
Amplifier and General Purpose Applications.
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
Epitaxial

 3.3. 2sc1815-t.pdf Size:213K _toshiba



3.4. 2sc1815l.pdf Size:308K _toshiba

2SC1815(L)
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815(L)
Audio Frequency Voltage Amplifier Applications
Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications
• High breakdown voltage, high current capability
: V = 50 V (min), I = 150 mA (max)
CEO C
• Excellent linearity of h
FE
: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)

 3.5. 2sc1815.pdf Size:272K _toshiba

2SC1815
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Unit: mm
Driver Stage Amplifier Applications
High voltage and high current: VCEO = 50 V (min),
IC = 150 mA (max)
• Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.)
at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)

3.6. 2sc1815.pdf Size:227K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC1815 NPN SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH
FREQUENCY OSC NPN
TRANSISTOR
? FEATURES
* Collector-Emitter voltage:
BV =50V
CEO
* Collector current up to 150mA
* High h linearity
FE
* Complimentary to UTC 2SA1015
? SYMBOL
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2

3.7. 2sc1815-m.pdf Size:168K _microelectronics

3.8. 2sc1815.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC1815
DESCRIPTION
·High Voltage and High Current
Vceo=50V(Min.)
,Ic=150mA(Max)
·Excellent hFE Linearity
·Low Noise
·Complement to Type 2SA1015(O,Y,GR class)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Audio frequency general purpose amplifier Applications
·Driver sta

3.9. 2sc1815m.pdf Size:729K _blue-rocket-elect

2SC1815M(BR3DG1815M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,电流大,有极好的 h 特性,低噪声系数。
FE
High voltage and high current, excellent hFE linearity ,low noise.
用途 / Applications
用于普通低频放大,激励级放大

3.10. 2sc1815.pdf Size:959K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
NPN Transistors
2SC1815
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Power dissipation 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector to Base Voltage VCBO 60 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter to Base Voltage VEBO 5

Другие транзисторы… 2SC181
, 2SC1810
, 2SC1811
, 2SC1811-1
, 2SC1811-2
, 2SC1812
, 2SC1813
, 2SC1815
, BC337
, 2SC1815GR
, 2SC1815LB
, 2SC1815LG
, 2SC1815LO
, 2SC1815LY
, 2SC1815O
, 2SC1815Y
, 2SC1816
.

Биполярный транзистор C1815LT1 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: C1815LT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130

Корпус транзистора: SOT23

C1815LT1
Datasheet (PDF)

1.1. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _update

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

1.2. c1815lt1.pdf Size:230K _wietron

C1815LT1
C1815LT1 TRANSISTOR (NPN)
SOT-23
* “G” Lead(Pb)-Free 1. BASE
2. EMITTER
FEATURES
3. COLLECTOR
Power dissipation
PCM: 0.2 W (Tamb=25 )
2. 4
Collector current
1. 3
ICM: 0.15 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: 60 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55 to +150
Unit: mm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless otherwis

 1.3. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _hfzt

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

2SA1815 Datasheet (PDF)

1.1. 2sa1815.pdf Size:70K _sanyo

Ordering number:EN4625
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1815
FM, RF, MIX, IF Amplifier, High-Frequency
General-Purpose Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High power gain : PG=25dB (f=100MHz).
unit:mm
High cutoff frequency ; fT=750MHz typ.
2018A
Low collector-to-emitter saturation voltage.

Complementary pair with the 2SC4432.
C : Collecto

1.2. 2sa1815.pdf Size:903K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
2SA1815
SOT-23
Unit: mm
2.9+0.1
-0.1
+0.1
0.4 -0.1
■ Features 3
● High power gain : PG=25dB (f=100MHz).
● High cutoff frequency ; fT=750MHz typ.
● Low collector-to-emitter saturation voltage. 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
● Complementary pair with the 2SC4432.
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Max

 4.1. 2sa1811.pdf Size:173K _toshiba



4.2. 2sa1814.pdf Size:84K _sanyo

Ordering number:EN3973
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1814
Low-Frequency General-Purpose Amplifier
Driver, Muting Circuit Applications
Features Package Dimensions
Very small-sized package permitting 2SA1814-
unit:mm
applied sets to be made smaller and slimmer.
2018B
Adoption of FBET process.

High DC current gain (hFE=500 to 1200).
Low collector-to-emi

 4.3. 2sa1813.pdf Size:83K _sanyo

Ordering number:EN3972
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1813
Low-Frequency General-Purpose Amplifier
Driver, Muting Circuit Applications
Features Package Dimensions
Very small-sized package permitting 2SA1813-
unit:mm
applied sets to be made smaller and slimmer.
2059A
Adoption of FBET process.

High DC current gain (hFE=500 to 1200).
Low collector-to-emi

4.4. 2sa1812 2sa1727 2sa1776.pdf Size:250K _rohm

2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
Transistors
High-voltage Switching Transistor
( 400V, 0.5A)
2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
Features
1) High breakdown voltage, BVCEO= 400V.
2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V at IC / IB = 100mA / 10mA.
3) High switching speed, typically tf : 1 s at IC = 100mA.
4) Wide SOA (safe operating area).
Absolute maximum ratings (Ta=25C)
Parameter Sy

 4.5. 2sa1812.pdf Size:27K _rohm

Transistors 2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
(96-609-A313)
320

4.6. 2sa1816 e.pdf Size:25K _panasonic

Transistor
2SA1816(Tentative)
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
4.0 0.2
Features
High collector to emitter voltage VCEO.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
marking
Parameter Symbol Ratings Unit
1 2 3
Collector to base voltage VCBO 150 V
Collector to emitter voltage VCEO 150 V
Emitter to base voltage VEBO 5 V
1.27 1.

4.7. 2sa1816.pdf Size:21K _panasonic

Transistor
2SA1816(Tentative)
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
4.0 0.2
Features
High collector to emitter voltage VCEO.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
marking
Parameter Symbol Ratings Unit
1 2 3
Collector to base voltage VCBO 150 V
Collector to emitter voltage VCEO 150 V
Emitter to base voltage VEBO 5 V
1.27 1.

4.8. 2sa1810.pdf Size:32K _hitachi

2SA1810
Silicon PNP Epitaxial
Application
High frequency amplifier
Features
Excellent high frequency characteristics
fT = 300 MHz typ
High voltage and low output capacitance
VCEO = 200 V, Cob = 5.0 pF typ
Suitable for wide band video amplifier
Outline
TO-126 MOD
1. Emitter
2. Collector
3. Base
1
2
3
2SA1810
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit

4.9. 2sa1812.pdf Size:1133K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
2SA1812
1.70 0.1
■ Features
● High breakdown voltage, BVCEO=-400V.
● High switching speed, typically tf :1us at IC =-100mA.
0.42 0.1
0.46 0.1
●High-voltage Switching Transistor
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -400
Collector — Emitter V

4.10. 2sa1813.pdf Size:1036K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
2SA1813
■ Features
● High DC current gain (hFE=500 to 1200).
● Low collector-to-emitter saturation voltage
● High VEBO
1 Base
2 Emitter
3 Colletor
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -30
Collector — Emitter Voltage VCEO -25 V
Emitter — Base Voltage VEBO -15
Collector

Биполярный транзистор 2SC1815Y — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1815Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: TO92

2SC1815Y
Datasheet (PDF)

3.1. 2sc1815lt1.pdf Size:122K _update

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SA1015
* Collector Current :Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V
Emitter-Base Voltage Vebo 5 V
PIN: 1 2 3
Collector Current Ic 150 mA
STYLE
Collector Dissipation Ta=25℃* PD 225 mW
NO

3.2. 2sc1815-bl-gr-o-y.pdf Size:368K _update

2SC1815-O
MCC
2SC1815-Y
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
2SC1815-GR
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
2SC1815-BL
Fax: (818) 701-4939
Features
• 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF
NPN Silicon
Amplifier and General Purpose Applications.
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
Epitaxial

 3.3. 2sc1815-t.pdf Size:213K _toshiba



3.4. 2sc1815l.pdf Size:308K _toshiba

2SC1815(L)
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815(L)
Audio Frequency Voltage Amplifier Applications
Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications
• High breakdown voltage, high current capability
: V = 50 V (min), I = 150 mA (max)
CEO C
• Excellent linearity of h
FE
: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)

 3.5. 2sc1815.pdf Size:272K _toshiba

2SC1815
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC1815
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Unit: mm
Driver Stage Amplifier Applications
High voltage and high current: VCEO = 50 V (min),
IC = 150 mA (max)
• Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.)
at VCE = 6 V, IC = 150 mA
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)

3.6. 2sc1815.pdf Size:227K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC1815 NPN SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH
FREQUENCY OSC NPN
TRANSISTOR
? FEATURES
* Collector-Emitter voltage:
BV =50V
CEO
* Collector current up to 150mA
* High h linearity
FE
* Complimentary to UTC 2SA1015
? SYMBOL
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2

3.7. 2sc1815-m.pdf Size:168K _microelectronics

3.8. 2sc1815.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC1815
DESCRIPTION
·High Voltage and High Current
Vceo=50V(Min.)
,Ic=150mA(Max)
·Excellent hFE Linearity
·Low Noise
·Complement to Type 2SA1015(O,Y,GR class)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Audio frequency general purpose amplifier Applications
·Driver sta

3.9. 2sc1815m.pdf Size:729K _blue-rocket-elect

2SC1815M(BR3DG1815M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,电流大,有极好的 h 特性,低噪声系数。
FE
High voltage and high current, excellent hFE linearity ,low noise.
用途 / Applications
用于普通低频放大,激励级放大

3.10. 2sc1815.pdf Size:959K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
NPN Transistors
2SC1815
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Power dissipation 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector to Base Voltage VCBO 60 V
Collector to Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter to Base Voltage VEBO 5

Другие транзисторы… 2SC1815
, 2SC1815BL
, 2SC1815GR
, 2SC1815LB
, 2SC1815LG
, 2SC1815LO
, 2SC1815LY
, 2SC1815O
, BD140
, 2SC1816
, 2SC1816H
, 2SC1817
, 2SC1818
, 2SC1819
, 2SC181H
, 2SC182
, 2SC1820
.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector