International rectifier

Патология

Мутация в гене IRF6 может привести к аутосомно-доминантному (англ. Van der Woude syndrome) (VWS) или связанному с ним (PPS).

Синдром Ван дер Вуда может включать расщепление губы и нёба, наряду с зубными аномалиями и свищами губ. Кроме того, общие аллели в IRF6 также связаны с случаями несиндромальных расщелин губы и/или нёба в исследованиях геномных ассоциаций и во многих исследованиях генов-кандидатов. Эти нарушения обусловлены мутациями в гене IRF6 и некоторыми из фенотипичных гетерогенностей различного типа мутаций IRF6. Одним из объяснений этой фенотипической вариации между синдромами базируется на основе дифференциального воздействия на структуру димеризованных мутантных белков. VWS мутации могут привести к в то время как PPS мутации могут быть следствием отрицательного доминирования в природе. Спектр мутаций VWS и PPS был недавно объединён.

Как было показано, IRF6 играет важную роль в развитии кератиноцитов. Роль IRF6 в общих формах расщелины губы и нёба также была продемонстрирована и может объяснить ~ 20 % случаев заячьей губы. Варианты IRF6 дали убедительные доказательства ассоциации синдромальный щели губы и/или нёба в нескольких исследованиях. Исследование Бирнбаум и коллег в 2009 году подтвердило влияние этого гена на этиологию расщелины губы и/или неба и исследование GENEVA Cleft Consortium, который изучал семьи из нескольких популяций, подтвердили выводы, что мутации IRF6 тесно связаны с расщелиной губы и/или нёба. Роль IRF6 в результате заячьей губы и/или щели нёба подкрепляется анализом IRF6 у мутантных мышей, которые проявляют гиперпролиферативный эпидермис, не подвергаются терминальной дифференцировке, что приводит к нескольким эпителиальных спайкам, которые могут закупоривать полости рта и приводить к заячьей губе. Исследования на животных показывают, что IRF6 определяет пролиферацию кератиноцитов, а также играет ключевую роль в формировании оральной перидермы.

В последнее время, путём использования генетики мышей, анализа экспрессии генов, исследований иммунопреципитации хроматина и анализов люциферазы, было показано, что IRF6 является прямым объектом p63, который лежит в основе нескольких синдромов мальформаций, включающих особенности расщелины и p63 активизирует транскрипцию IRF6 за счет усилительного элемента IRF6. Изменение в усилительном элементе повышает восприимчивость только к заячьей губе. И заячья губа с или без волчьей пасти — эти особенности были замечены только в семьях с мутацией IRF6. Кроме того, различные типы расщелин можно разделить в пределах одного семейства.

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений VGS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

IRF2805PBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF2805PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 150
nC

Время нарастания (tr): 120
ns

Выходная емкость (Cd): 1190
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0047
Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

IRF2805PBF
Datasheet (PDF)

1.1. irf2805pbf.pdf Size:264K _international_rectifier

PD — 95493A
IRF2805PbF
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
l Industrial Motor Drive
D
VDSS = 55V
Features
l Advanced Process Technology
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
ID = 75A
l Fast Switching
S
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing
tech

3.1. irf2805lpbf irf2805spbf.pdf Size:331K _international_rectifier

PD — 95944A
IRF2805SPbF
IRF2805LPbF
Typical Applications
HEXFET Power MOSFET
l Industrial Motor Drive
D
Features
VDSS = 55V
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
RDS(on) = 4.7mΩ
l 175°C Operating Temperature
G
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
ID = 135A†
S
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the lates

3.2. irf2805.pdf Size:151K _international_rectifier

PD — 94428
IRF2805
AUTOMOTIVE MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
D
l Climate Control, ABS, Electronic Braking,
VDSS = 55V
Windshield Wipers
Features
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
ID = 75A
l 175°C Operating Temperature
S
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Description
Specifically designed

 3.3. irf2805.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805,IIRF2805
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤4.7mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM R

3.4. irf2805s.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805S
·FEATURES
·With TO-263( D2PAK ) packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET… IRF2204PBF
, IRF2204SPBF
, IRF22N60C
, IRF2804LPBF
, IRF2804PBF
, IRF2804S-7PPBF
, IRF2804SPBF
, IRF2805LPBF
, 2SK1058
, IRF2805SPBF
, IRF2807PBF
, IRF2807SPBF
, IRF2807LPBF
, IRF2807ZLPBF
, IRF2807ZPBF
, IRF2807ZSPBF
, IRF2903ZLPBF
.

IRF2805L Datasheet (PDF)

1.1. irf2805lpbf irf2805spbf.pdf Size:331K _international_rectifier

PD — 95944A
IRF2805SPbF
IRF2805LPbF
Typical Applications
HEXFET Power MOSFET
l Industrial Motor Drive
D
Features
VDSS = 55V
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
RDS(on) = 4.7mΩ
l 175°C Operating Temperature
G
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
ID = 135A†
S
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the lates

3.1. irf2805pbf.pdf Size:264K _international_rectifier

PD — 95493A
IRF2805PbF
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
l Industrial Motor Drive
D
VDSS = 55V
Features
l Advanced Process Technology
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
ID = 75A
l Fast Switching
S
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing
tech

3.2. irf2805.pdf Size:151K _international_rectifier

PD — 94428
IRF2805
AUTOMOTIVE MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
D
l Climate Control, ABS, Electronic Braking,
VDSS = 55V
Windshield Wipers
Features
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
ID = 75A
l 175°C Operating Temperature
S
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Description
Specifically designed

 3.3. irf2805.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805,IIRF2805
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤4.7mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM R

3.4. irf2805s.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805S
·FEATURES
·With TO-263( D2PAK ) packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM

IRF1018E MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF1018E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 79
A

Общий заряд затвора (Qg): 46
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0084
Ohm

Тип корпуса: TO220AB

IRF1018E
Datasheet (PDF)

1.1. irf1018epbf irf1018eslpbf irf1018espbf.pdf Size:429K _update

PD — 97125
IRF1018EPbF
IRF1018ESPbF
IRF1018ESLPbF
Applications
HEXFET Power MOSFET
l High Efficiency Synchronous Rectification in
D
SMPS
VDSS
60V
l Uninterruptible Power Supply
RDS(on) typ.
7.1m
:
l High Speed Power Switching
l Hard Switched and High Frequency Circuits G
max. 8.4m
:
ID
79A
S
Benefits
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
D
D
D
l

1.2. irf1018e.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1018E,IIRF1018E
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤8.4mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM

 1.3. irf1018es.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1018ES
·FEATURES
·With To-263(D2PAK) package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Vol

Другие MOSFET… SPW47N65C3
, SPW52N50C3
, IRF1010EZ
, IRF1010EZL
, IRF1010EZS
, IRF1010Z
, IRF1010ZL
, IRF1010ZS
, 2N7000
, IRF1018ES
, IRF1018ESL
, IRF1104L
, IRF1104S
, IRF1324
, IRF1324L
, IRF1324S
, IRF1324S-7P
.

IRF2805S Datasheet (PDF)

1.1. irf2805lpbf irf2805spbf.pdf Size:331K _international_rectifier

PD — 95944A
IRF2805SPbF
IRF2805LPbF
Typical Applications
HEXFET Power MOSFET
l Industrial Motor Drive
D
Features
VDSS = 55V
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
RDS(on) = 4.7mΩ
l 175°C Operating Temperature
G
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
ID = 135A†
S
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the lates

1.2. irf2805s.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805S
·FEATURES
·With TO-263( D2PAK ) packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM

 3.1. irf2805pbf.pdf Size:264K _international_rectifier

PD — 95493A
IRF2805PbF
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
l Industrial Motor Drive
D
VDSS = 55V
Features
l Advanced Process Technology
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
ID = 75A
l Fast Switching
S
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing
tech

3.2. irf2805.pdf Size:151K _international_rectifier

PD — 94428
IRF2805
AUTOMOTIVE MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
D
l Climate Control, ABS, Electronic Braking,
VDSS = 55V
Windshield Wipers
Features
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
ID = 75A
l 175°C Operating Temperature
S
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Description
Specifically designed

 3.3. irf2805.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805,IIRF2805
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤4.7mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM R

IRF2805L MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF2805L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 135
A

Общий заряд затвора (Qg): 150
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0047
Ohm

Тип корпуса: TO262

IRF2805L
Datasheet (PDF)

1.1. irf2805lpbf irf2805spbf.pdf Size:331K _international_rectifier

PD — 95944A
IRF2805SPbF
IRF2805LPbF
Typical Applications
HEXFET Power MOSFET
l Industrial Motor Drive
D
Features
VDSS = 55V
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
RDS(on) = 4.7mΩ
l 175°C Operating Temperature
G
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
ID = 135A†
S
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the lates

3.1. irf2805pbf.pdf Size:264K _international_rectifier

PD — 95493A
IRF2805PbF
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
l Industrial Motor Drive
D
VDSS = 55V
Features
l Advanced Process Technology
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
ID = 75A
l Fast Switching
S
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing
tech

3.2. irf2805.pdf Size:151K _international_rectifier

PD — 94428
IRF2805
AUTOMOTIVE MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
D
l Climate Control, ABS, Electronic Braking,
VDSS = 55V
Windshield Wipers
Features
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
ID = 75A
l 175°C Operating Temperature
S
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Description
Specifically designed

 3.3. irf2805.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805,IIRF2805
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤4.7mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM R

3.4. irf2805s.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805S
·FEATURES
·With TO-263( D2PAK ) packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET… IRF2204
, IRF2204L
, IRF2204S
, IRF2804
, IRF2804L
, IRF2804S
, IRF2804S-7P
, IRF2805
, J310
, IRF2805S
, IRF2807Z
, IRF2807ZL
, IRF2807ZS
, IRF2903Z
, IRF2903ZL
, IRF2903ZS
, IRF2907Z
.

Все определения IRF

Акроним Определение
IRF En помехи радио-частоты
IRF Inspektionsrauchfangkehrerfahrzeug
IRF Institut для Rationel Farmakoterapi
IRF Institutet для Rymdfysik
IRF Introduccion Аль право де анкетах
IRF Istituto Ricerca e Formazione
IRF Raw файл Intrasis
IRF Айдахо исследовательский фонд
IRF Айова розничной Федерации
IRF Базель Interreligioses форум
IRF В номере Фитнес
IRF Взаимодействие вокруг лица
IRF Внутри право вперед
IRF Встроенная функция случайных
IRF Железный прут нашли
IRF Заявка на вызов
IRF Индивидуальные права и свободы
IRF Индия почечной фонд
IRF Инновации и исследования фокус
IRF Институт исследований Fondamentale
IRF Институт меха Religionsphilosophische Тюрингия
IRF Институт меха Roboterforschung
IRF Институт пенсионных фондов
IRF Институт регионального прогнозирования
IRF Институт сельских фьючерсы
IRF Институто дель Риезго финансьеро
IRF Институционально связанные основы
IRF Инструктор рейтинг формы
IRF Инструмент файла ответов
IRF Интернет реле силы
IRF Интраретинальные жидкость (офтальмологии
IRF Информация Roeing und Fritze
IRF Информация понижающий коэффициент
IRF Исламский научно-исследовательский фонд
IRF Комплексные исследования файла
IRF Комплексные региональные рамки
IRF Комплексный научно-исследовательский центр
IRF Коэффициент снижения помех
IRF Между приемником справедливости
IRF Международная Раттен Фоккеров/фан-клуб
IRF Международная Федерация рафтинга
IRF Международная автодорожная федерация
IRF Международная корпорация выпрямителя
IRF Международная религиозная свобода
IRF Международное религиозное братство
IRF Международные RustFest
IRF Международные Відродження
IRF Международные регуляторы форум
IRF Международный железнодорожный форум
IRF Международный исследовательский фонд
IRF Международный роуминг объекта
IRF Международный фонд помощи
IRF Механизм поиска информации
IRF Научно-исследовательский институт робототехники
IRF Неправильное чтение ошибки
IRF Нормативно-правовой фактор интерферон
IRF Обмена стоимость возмещения
IRF Орошение исследовательский фонд
IRF Основы поиска информации
IRF Первоначальная реакция силы
IRF Поиск в Интернет гонки
IRF Приборостроение ресурсы Фонда
IRF Процентная ставка будущее
IRF Реабилитация стационар
IRF Реальная международная ярмарка
IRF Рейтинг формы интервью
IRF Сжигание научно-исследовательский центр
IRF Силы немедленного реагирования
IRF Силы немедленного реагирования (США DoD)
IRF Случае дер Rijksfinancien
IRF Установки повторное использование форума
IRF Федерация международных Ringette
IRF Федерация международных Рейнджер
IRF Федерация международных Сквош
IRF Федерация международных гонок
IRF Федерация международных рогейна
IRF Фильтров наследуемых прав
IRF Фонд восстановления межведомственной
IRF Фонд индивидуальных прав
IRF Фонд международных Rhino
IRF Фонд островных ресурсов
IRF Фонд страхования реинвестирования
IRF Форма внутренней маршрутизации
IRF Форма запроса информации
IRF Форма запроса толкования
IRF Формы внутренних заявок
IRF Формы отчетности
IRF Форум Радио Индии
IRF Функции инструмента реагирования
IRF Функция реакция ИМПа ульс
IRF Целочисленный регистровый файл
IRF Частота повторения допроса

Что означает IRF в тексте

В общем, IRF является аббревиатурой или аббревиатурой, которая определяется простым языком. Эта страница иллюстрирует, как IRF используется в обмена сообщениями и чат-форумах, в дополнение к социальным сетям, таким как VK, Instagram, Whatsapp и Snapchat. Из приведенной выше таблицы, вы можете просмотреть все значения IRF: некоторые из них образовательные термины, другие медицинские термины, и даже компьютерные термины. Если вы знаете другое определение IRF, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы включим его во время следующего обновления нашей базы данных. Пожалуйста, имейте в информации, что некоторые из наших сокращений и их определения создаются нашими посетителями. Поэтому ваше предложение о новых аббревиатур приветствуется! В качестве возврата мы перевели аббревиатуру IRF на испанский, французский, китайский, португальский, русский и т.д. Далее можно прокрутить вниз и щелкнуть в меню языка, чтобы найти значения IRF на других 42 языках.

Explore Our Ground-breaking Technologies

Aerospace and Defense DC-DC

Hermetic, hybrid, isolated DC-DC converters available with MIL-PRF-38534 Class H qualification and QPLs and unparalleled heritage.

Learn More

Space-level Point-of-Load non-isolated DC-DC converters and isolated bus converters.

Learn More

Space General Purpose DC-DC

A large portfolio of space-level hermetic, hybrid DC-DC converters qualified to MIL-PRF-38534 Class K and available as SMD.

Learn More

Space Launch Vehicles DC-DC

A selection of hermetic, hybrid DC-DC converters from standard to rad-tolerant to Rad-Hard for launch vehicles.

Learn More

IRF1010NS Datasheet (PDF)

1.1. irf1010nlpbf irf1010nspbf.pdf Size:292K _update

PD — 95103
IRF1010NSPbF
IRF1010NLPbF
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
HEXFET Power MOSFET
l Dynamic dv/dt Rating
D
l 175°C Operating Temperature
VDSS = 55V
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 11mΩ
l Lead-Free
G
Description
ID = 85A‡
Advanced HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectifier utilize advanced processing
techniques t

1.2. irf1010ns.pdf Size:146K _international_rectifier

PD — 94171
IRF1010NS
IRF1010NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating D
VDSS = 55V
175C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 11m?
Fully Avalanche Rated
G
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from
ID = 85A
International Rectifier
utilize advanced processing
S
techniques to achieve extremely low on-resis

 1.3. irf1010ns.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010NS
·FEATURES
·With TO-263( D2PAK ) packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMU

IRF2805S MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF2805S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 135
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 150
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0047
Ohm

Тип корпуса: D2PAK

IRF2805S
Datasheet (PDF)

1.1. irf2805lpbf irf2805spbf.pdf Size:331K _international_rectifier

PD — 95944A
IRF2805SPbF
IRF2805LPbF
Typical Applications
HEXFET Power MOSFET
l Industrial Motor Drive
D
Features
VDSS = 55V
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
RDS(on) = 4.7mΩ
l 175°C Operating Temperature
G
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
ID = 135A†
S
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the lates

1.2. irf2805s.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805S
·FEATURES
·With TO-263( D2PAK ) packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM

 3.1. irf2805pbf.pdf Size:264K _international_rectifier

PD — 95493A
IRF2805PbF
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
l Industrial Motor Drive
D
VDSS = 55V
Features
l Advanced Process Technology
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
ID = 75A
l Fast Switching
S
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l Lead-Free
Description
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing
tech

3.2. irf2805.pdf Size:151K _international_rectifier

PD — 94428
IRF2805
AUTOMOTIVE MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Typical Applications
D
l Climate Control, ABS, Electronic Braking,
VDSS = 55V
Windshield Wipers
Features
RDS(on) = 4.7mΩ
G
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
ID = 75A
l 175°C Operating Temperature
S
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Description
Specifically designed

 3.3. irf2805.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2805,IIRF2805
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤4.7mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие MOSFET… IRF2204L
, IRF2204S
, IRF2804
, IRF2804L
, IRF2804S
, IRF2804S-7P
, IRF2805
, IRF2805L
, 2N7002
, IRF2807Z
, IRF2807ZL
, IRF2807ZS
, IRF2903Z
, IRF2903ZL
, IRF2903ZS
, IRF2907Z
, IRF2907ZL
.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector