Tip41 datasheet, equivalent, cross reference search

TIP41C Datasheet (PDF)

1.1. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008
TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
• Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TIP41A 60 V
: TIP41B 80 V
: TIP41C 100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TI

1.2. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
TIP41/41A/41B/41C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Silicon NPN
The complementary PNP types are the TIP42 respectively
Epoxy meets UL 94 V-0 flammabil

 1.3. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,
TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,
TIP42B, TIP42C (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
http://onsemi.com
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
6 AMPERE
Features
COMPLEMENTARY SILICON
ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
POWER TRANSISTORS
Human Body Model, 3B; > 8000 V
40-60-80-100 VOLTS,
Epoxy Meets UL 94 V-

1.4. tip41c.pdf Size:215K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
TIP41C NPN PLANAR TRANSISTOR
NPN EXPITAXIAL PLANAR
TRANSISTOR
? DESCRIPTION
The UTC TIP41C is a NPN expitaxial planar transistor,
designed for using in general purpose amplifier and switching
applications.
? FEATURE
* Complement to TIP42C
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
TIP

 1.5. tip41c.pdf Size:67K _kec

SEMICONDUCTOR TIP41C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
A
R
FEATURES
S
Complementary to TIP42C.
P
D
DIM MILLIMETERS
A 10.30 MAX
B 15.30 MAX
C 0.80
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
_
+
D Φ3.60 0.20
T
E 3.00
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
F 6.70 MAX
_
G 13.60 + 0.50
VCBO L
Collector-Base Voltage 100 V
H 5.60 MAX
C C
J 1.37 MAX
VCE

1.6. tip41cf.pdf Size:436K _kec

SEMICONDUCTOR TIP41CF
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
A
C
FEATURES
DIM MILLIMETERS
S
Complementary to TIP42CF.
_
A 10.0 + 0.3
_
+
B 15.0 0.3
E
C _
2.70 0.3
+
D 0.76+0.09/-0.05
_
E Φ3.2 0.2
+
_
F 3.0 0.3
+
_
12.0 0.3
G +
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
H 0.5+0.1/-0.05
_
+
J 13.6 0.5
L L
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT R
K

1.7. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A
80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C
·Complement to Type TIP42/42A/42B/42C
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifer

1.8. tip41c.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistors TIP41C
DESCRIPTION
·DC Current Gain -h = 30(Min)@ I = 0.3A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 100V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP42C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifer and switching
applications
ABSOLUTE MAXIMUM RAT

1.9. htip41c.pdf Size:42K _hsmc

Spec. No. : HE6707
HI-SINCERITY
Issued Date : 1993.01.13
Revised Date : 2004.11.19
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/4
HTIP41C
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HTIP41C is designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
TO-220
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C)
• Maximum Temperatures
Storage Temperature ……………………………

1.10. tip41c.pdf Size:204K _semtech

TIP41C
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for power switching and amplifier applications
TO-220 Plastic Package
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Parameter Symbol Value Unit
100 V
Collector Base Voltage VCBO
100 V
Collector Emitter Voltage VCEO
5 V
Emitter Base Voltage VEBO
6 A
Collector Current IC
10 A
Collector Current (Pulse) ICP
2 A
Base Current IB
O

1.11. tip41c to220.pdf Size:229K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
TIP41/41A/41B/41C
TECHNICAL DATA
A
O
C
F
E
TIP41/41A/41B/41C TRANSISTOR (NPN)
B
DIM MILLIMETERS
A 10.15 ± 0.15
FEATURES B 15.30 MAX
C 1.3 0.1/-0.15
P
D 0.8 ± 0.1
Medium Power Linear Switching Applications
E 3.8 ± 0.2
F 2.7 ± 0.2
J
H 0.4 ± 0.15
D J 13.6 ± 0.2
H N 2.54 ± 0.2
N N
O 4.5 ± 0.2
1 2 3 P 2.7 ± 0.2
1 BASE
2 COLLECTOR
3 EMITTER

TIP42C Datasheet (PDF)

1.1. tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:242K _fairchild_semi

1.2. tip42 tip42a tip42b tip42c to-220.pdf Size:237K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
TIP42/42A/42B/42C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Silicon PNP
The complementary NPN types are the TIP41 respectively
Epoxy meets UL 94 V-0 flammabil

 1.3. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,
TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,
TIP42B, TIP42C (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
http://onsemi.com
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
6 AMPERE
Features
COMPLEMENTARY SILICON
ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
POWER TRANSISTORS
Human Body Model, 3B; > 8000 V
40-60-80-100 VOLTS,
Epoxy Meets UL 94 V-

1.4. tip42c.pdf Size:156K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
TIP42C PNP PLANAR TRANSISTOR
PNP EPITAXIAL PLANAR
TRANSISTOR
? DESCRIPTION
The UTC TIP42C is a PNP epitaxial planar transistor,
designed for using in general purpose amplifier and switching
applications.
? FEATURES
* Complement to TIP41C
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
TIP4

 1.5. tip42cf.pdf Size:435K _kec

SEMICONDUCTOR TIP42CF
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
A
C
FEATURES
DIM MILLIMETERS
S
Complementary to TIP41CF.
_
A 10.0 + 0.3
_
+
B 15.0 0.3
E
C _
2.70 0.3
+
D 0.76+0.09/-0.05
_
E Φ3.2 0.2
+
_
F 3.0 0.3
+
_
12.0 0.3
G +
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
H 0.5+0.1/-0.05
_
+
J 13.6 0.5
L L
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT R
K

1.6. tip42c.pdf Size:66K _kec

SEMICONDUCTOR TIP42C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
A
R
FEATURES
S
Complementary to TIP41C.
P
D
DIM MILLIMETERS
A 10.30 MAX
B 15.30 MAX
C 0.80
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
_
+
D Φ3.60 0.20
T
E 3.00
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
F 6.70 MAX
_
G 13.60 + 0.50
L
VCBO -100 V
Collector-Base Voltage
H 5.60 MAX
C C
J 1.37 MAX
V

1.7. htip42c.pdf Size:37K _hsmc

Spec. No. : HE6733
HI-SINCERITY
Issued Date : 1994.08.10
Revised Date : 2004.11.19
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/4
HTIP42C
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HTIP42C is designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
TO-220
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C)
• Maximum Temperatures
Storage Temperature ………………………………

1.8. sttip42c.pdf Size:480K _semtech

ST TIP42C
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
for power switching and amplifier applications
TO-220 Plastic Package
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Parameter Symbol Value Unit
100 V
Collector Base Voltage -VCBO
100 V
Collector Emitter Voltage -VCEO
5 V
Emitter Base Voltage -VEBO
6 A
Collector Current -IC
10 A
Collector Current (Pulse) -ICP
2 A
Base Current

1.9. tip42c to220.pdf Size:173K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
TIP42/42A/42B/42C
TECHNICAL DATA
A
O
C
F
E
TIP42/42A/42B/42C TRANSISTOR (PNP)
B
DIM MILLIMETERS
A 10.15 ± 0.15
B 15.30 MAX
C 1.3 0.1/-0.15
FEATURES
P
D 0 8 ± 0.1
E 3 8 ± 0.2
F 2.7 ± 0.2
Medium Power Linear Switching Applications
J
H 0.4 ± 0.15
D J 13.6 ± 0.2
Complement to TIP41/41A/41B/41C
H N 2.54 ± 0.2
N N
O 4.5 ± 0.2
1 2 3 P 2.7 ±

Характеристики

Транзистор TIP41c характеризуются следующими предельно допустимыми значениями, при температуре корпуса  (TC) не более 25 оC:

  • Напряжение между коллектором базой (VCBO) не должно быть больше – 100 В.
  • Напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO) должно быть менее – 100 В.
  • Максимально возможное напряжение между эмиттером и базой (VEBO) – 5 В.
  • Постоянный (DC) предельный ток коллектора (IC) – 6 А.
  • Кратковременный (импульсный) допустимый ток коллектора (ICP) – 10 A.
  • Минимальная граничная частота (FT) до 3 МГц.
  • Ток базы (IB) – 2 А.
  • Максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе (PC) – 65 Вт, или 2 Вт (при Tокр.ср. =25 оC).
  • Максимальная температура перехода (TJ) – 150 о
  • Диапазон рабочих температур (TSTG) от -65 до +150 о

В спецификациях различных производителей его параметры обычно приводятся вместе с братьями-близнецами TIP41A и TIP41B. Они отличаются от рассматриваемого, только более низкими предельно допустимыми значениями пропускаемых напряжений. В остальном являются его полной копией.

Электрические

За превышение вышеприведенных предельных значений придется расплачивается покупкой нового устройства. Обобщенные электрические характеристики TIP41C, представлены в следующей таблице. Они так же приведены с учетом TC не превышающей 25 оC:

TIP41B Datasheet (PDF)

1.1. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008
TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
• Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TIP41A 60 V
: TIP41B 80 V
: TIP41C 100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TI

1.2. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
TIP41/41A/41B/41C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Silicon NPN
The complementary PNP types are the TIP42 respectively
Epoxy meets UL 94 V-0 flammabil

 1.3. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,
TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,
TIP42B, TIP42C (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
http://onsemi.com
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
6 AMPERE
Features
COMPLEMENTARY SILICON
ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
POWER TRANSISTORS
Human Body Model, 3B; > 8000 V
40-60-80-100 VOLTS,
Epoxy Meets UL 94 V-

1.4. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A
80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C
·Complement to Type TIP42/42A/42B/42C
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifer

TIP41A Datasheet (PDF)

1.1. tip41are.pdf Size:222K _motorola

Order this document
MOTOROLA
by TIP41A/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
TIP41A
Complementary Silicon Plastic
TIP41B*
Power Transistors
TIP41C*
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
PNP
CollectorEmitter Saturation Voltage
VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
TIP42A
CollectorEmitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)

1.2. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008
TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
• Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TIP41A 60 V
: TIP41B 80 V
: TIP41C 100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TI

 1.3. tip41abc.pdf Size:39K _fairchild_semi

TIP41 Series(TIP41/41A/41B/41C)
Medium Power Linear Switching Applications
• Complement to TIP42/42A/42B/42C
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TIP41A 60 V
: TIP41B 80 V
: TIP41C 100 V
VCEO Collector-Emitter Vo

1.4. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
TIP41/41A/41B/41C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Silicon NPN
The complementary PNP types are the TIP42 respectively
Epoxy meets UL 94 V-0 flammabil

 1.5. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,
TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,
TIP42B, TIP42C (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
http://onsemi.com
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
6 AMPERE
Features
COMPLEMENTARY SILICON
ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
POWER TRANSISTORS
Human Body Model, 3B; > 8000 V
40-60-80-100 VOLTS,
Epoxy Meets UL 94 V-

1.6. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A
80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C
·Complement to Type TIP42/42A/42B/42C
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifer

Технические характеристики

Транзистор S9013 (ТО-92) имеет такие максимально допустимые технические характеристики (при температуре окружающей среды +25ОС):

  • максимальное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = 40 В;
  • наибольшее допустимое напряжение между коллектор-эмиттером VCEO (Uкэ max) = 25 В;
  • напряжение между эмиттером и базой максимально возможное VEBO (Uэб max) = 5 В;
  • максимально возможный постоянный ток коллектора IC (Iк max) = 500 мА;
  • предельно допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе РСк max) = 625 мВт;
  • статический коэффициент передачи тока Hfe (H21э) от 64 до 400;
  • диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150ОС;

Устройства в корпусе SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания  — до 300 мВт. Также стоит отметить, что параметр Uкэ max у современных производителей может немного отличатся на ± 5 В.

Электрические

Теперь перейдем к рассмотрению электрических значений S9013. Они так же приведены с учетом температуры окружающего воздуха до +25ОС. Показатели дополнительных параметров, при которых производителем проводились измерения, представлены отдельным столбцом. Эти данные свойственны всем транзисторам данного вида, не зависимо от типа корпуса.

Классификация

В зависимости от статического коэффициента передачи по току (hfe) при VCE (Uкэ) = 1В и IC (Iк) =50 мА,  рассматриваемое устройство подразделяют на семь классов: D (64-91); Е (78-112); F (96-135); G (112-166); H (144-202); I (190-300), J (300-400). Как видно из классификации, максимальным hfe обладают транзисторы S9013I и S9013J. В продаже наиболее чаще встречаются S9013H и S9013G, реже S9013D.

Аналоги

У транзистора S9013 отсутствуют полные аналоги. SS9013, C9013, MMBT9013, KTC9013 не в счёт, так как они фактически тоже самое, просто с другой маркировкой. На наш взгляд эта лучшая альтернатива рассматриваемому устройству. Но если таких нет, то можно использовать в качестве замены другие, например: S8050, 2N3904, 2N4401, BC547, BC337, 2N2222 и т. д.

Наиболее подходящим российским аналогом можно считать КТ530. Однако он имеет другую цоколевку (Э Б К), поэтому будьте внимательны при замене. В таком качестве можно рассмотреть также, незначительно отличающуюся по параметрам, отечественную серию КТ680.

Комплементарная пара

Рекомендуемой комплементарной парой, со структурой p-n-p, для рассматриваемого прибора является транзистор S9012.

Биполярный транзистор TIP41B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP41B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO220

TIP41B
Datasheet (PDF)

1.1. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008
TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
• Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TIP41A 60 V
: TIP41B 80 V
: TIP41C 100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TI

1.2. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
TIP41/41A/41B/41C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Silicon NPN
The complementary PNP types are the TIP42 respectively
Epoxy meets UL 94 V-0 flammabil

 1.3. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,
TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,
TIP42B, TIP42C (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
http://onsemi.com
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
6 AMPERE
Features
COMPLEMENTARY SILICON
ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
POWER TRANSISTORS
Human Body Model, 3B; > 8000 V
40-60-80-100 VOLTS,
Epoxy Meets UL 94 V-

1.4. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A
80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C
·Complement to Type TIP42/42A/42B/42C
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifer

Другие транзисторы… TIP36A
, TIP36B
, TIP36C
, TIP36D
, TIP36E
, TIP36F
, TIP41
, TIP41A
, TIP42C
, TIP41C
, TIP41D
, TIP41E
, TIP41F
, TIP42
, TIP42A
, TIP42B
, TIP42C
.

Биполярный транзистор TIP41A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP41A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO220

TIP41A
Datasheet (PDF)

1.1. tip41are.pdf Size:222K _motorola

Order this document
MOTOROLA
by TIP41A/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
TIP41A
Complementary Silicon Plastic
TIP41B*
Power Transistors
TIP41C*
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
PNP
CollectorEmitter Saturation Voltage
VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
TIP42A
CollectorEmitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)

1.2. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008
TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
• Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TIP41A 60 V
: TIP41B 80 V
: TIP41C 100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TI

 1.3. tip41abc.pdf Size:39K _fairchild_semi

TIP41 Series(TIP41/41A/41B/41C)
Medium Power Linear Switching Applications
• Complement to TIP42/42A/42B/42C
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V
: TIP41A 60 V
: TIP41B 80 V
: TIP41C 100 V
VCEO Collector-Emitter Vo

1.4. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
TIP41/41A/41B/41C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Silicon NPN
The complementary PNP types are the TIP42 respectively
Epoxy meets UL 94 V-0 flammabil

 1.5. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,
TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,
TIP42B, TIP42C (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
http://onsemi.com
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
6 AMPERE
Features
COMPLEMENTARY SILICON
ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
POWER TRANSISTORS
Human Body Model, 3B; > 8000 V
40-60-80-100 VOLTS,
Epoxy Meets UL 94 V-

1.6. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A
80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C
·Complement to Type TIP42/42A/42B/42C
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifer

Другие транзисторы… TIP36
, TIP36A
, TIP36B
, TIP36C
, TIP36D
, TIP36E
, TIP36F
, TIP41
, AC125
, TIP41B
, TIP41C
, TIP41D
, TIP41E
, TIP41F
, TIP42
, TIP42A
, TIP42B
.

Биполярный транзистор MJD42CG — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJD42CG

Маркировка: J42CG

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO-252

MJD42CG
Datasheet (PDF)

1.1. mjd42cg.pdf Size:173K _upd

MJD41C,
NJVMJD41CT4G (NPN),
MJD42C,
NJVMJD42CT4G,
NJVMJD42CRLG (PNP)
http://onsemi.com
Complementary Power
Transistors
SILICON
DPAK For Surface Mount Applications POWER TRANSISTORS
6 AMPERES
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
100 VOLTS, 20 WATTS
applications.
Features
 Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
 S

4.1. mjd42ct4g.pdf Size:59K _upd

MJD41C (NPN)
MJD42C (PNP)
Preferred Device
Complementary Power
Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
SILICON
Features
POWER TRANSISTORS
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
6 AMPERES
(No Suffix)
100 VOLTS, 20 WATTS
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1

4.2. mjd42c1g.pdf Size:173K _upd

MJD41C,
NJVMJD41CT4G (NPN),
MJD42C,
NJVMJD42CT4G,
NJVMJD42CRLG (PNP)
http://onsemi.com
Complementary Power
Transistors
SILICON
DPAK For Surface Mount Applications POWER TRANSISTORS
6 AMPERES
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
100 VOLTS, 20 WATTS
applications.
Features
 Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
 S

 4.3. mjd42crlg.pdf Size:173K _upd

MJD41C,
NJVMJD41CT4G (NPN),
MJD42C,
NJVMJD42CT4G,
NJVMJD42CRLG (PNP)
http://onsemi.com
Complementary Power
Transistors
SILICON
DPAK For Surface Mount Applications POWER TRANSISTORS
6 AMPERES
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
100 VOLTS, 20 WATTS
applications.
Features
 Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
 S

4.4. mjd41c mjd42c.pdf Size:195K _motorola

Order this document
MOTOROLA
by MJD41C/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
MJD41C*
Complementary Power
PNP
MJD42C*
Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
*Motorola Preferred Device
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
SILICON
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
POWER TRANSISTORS
Straight Lead

 4.5. njvmjd41c njvmjd42c.pdf Size:173K _onsemi

MJD41C,
NJVMJD41CT4G (NPN),
MJD42C,
NJVMJD42CT4G,
NJVMJD42CRLG (PNP)
http://onsemi.com
Complementary Power
Transistors
SILICON
DPAK For Surface Mount Applications POWER TRANSISTORS
6 AMPERES
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
100 VOLTS, 20 WATTS
applications.
Features
 Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
 S

4.6. mjd41c mjd42c.pdf Size:117K _onsemi

MJD41C (NPN)
MJD42C (PNP)
Complementary Power
Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
http://onsemi.com
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
SILICON
Features
POWER TRANSISTORS
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
6 AMPERES
(No Suffix)
100 VOLTS, 20 WATTS
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (1 Suffix)

4.7. mjd42c.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistors MJD42C
DESCRIPTION
·DC Current Gain -h = 30(Min)@ I = -0.3A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = -100V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type MJD41C
·DPAK for Surface Mount Applications
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifer and low

4.8. mjd42c.pdf Size:231K _lge

MJD42C(PNP)
TO-251/TO-252-2L Transistor
TO-251
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
1 2 3
Features
Designed for general purpose amplifier and low speed

switching applications.
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic
Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
TO-252-2L
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (в

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector