Три схемы очень простых устройств для начинающих (кт3102)

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

• принцип действия – биполярный;
• корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
• материал – кремний (Si);
• npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

• IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
• IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
• fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
• емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
• коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
• cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
• тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
• Токр от -40 до +85 °C.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Транзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ361. Буква определяющая класс у КТ361 расположена посередине корпуса.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315В — BFP721.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Сигнализатор затопления

С помощью этого сигнализатора можно своевременно узнать о протечке трубы,затоплении квартиры или другого помещения, и принять своевременно необходимые меры. При затоплении или протечке, то есть, при намокании датчика, загорается светодиод и звучит звуковой сигнализатор.

Схема показана на рисунке 1. В основе схемы составной транзистор на VT1 и VT2. Достоинство такого каскада в большом коэффициенте усиления, большом входном сопротивлении

Что особенно важно при работе с дачиком влажности, реагирующим на электропроводность воды

Включение каскада как относительно нагрузки эмиттерный повторитель еще больше увеличивает его входное сопротивление. На выходе, в эмиттерной цепи VT2 включен индикаторный светодиод HL1 через токоограничительный резистор R3 и звуковой сигнализатор со встроенным генератором.

Датчик представляет собой узкий и длинный кусок поролона прошитый двумя проволоками, обозначенным на схеме как Е1 и Е2. Проволоки прошиты в поролоне так, чтобы они были близко относительно друг друга (1-2 см), но не соприкасались. Длина датчика может быть любой, и зависит в первую очередь от длины трубы или места, влажность которого нужно контролировать.

В случае с горизонтально расположенной трубой датчик прокладывают под ней. Вместо поролона можно использовать какую-то ткань, желательно ворсистую и хорошо впитывающую.

Пока датчик сух, сопротивление между Е1 и Е2 высоко, практически, Е1 и Е2 изолированы друг от друга. При этом, на базу транзистора VT1 не поступает ток, и транзистор остается закрытым. Транзистор VT2 тоже закрыт, потому что на его базу не поступает ток через VT1 и R2. Поэтому на индикаторный светодиод HL1 и звуковой сигнализатор BF1 ток тоже не поступает.

Рис. 1. Схема сигнализатора затопления.

Как только датчик намокает между Е1 и Е2 возникает электропроводность через воду. Поступает ток на базу VT1, из-за чего он открывается. Вслед за ним открывается и транзистор VT2. Через него поступает ток на индикаторный светодиод HL1 и звуковой сигнализатор BF1.

NTHD3102C Datasheet (PDF)

1.1. nthd3102c.pdf Size:95K _onsemi

NTHD3102C
Power MOSFET
Complementary, 20 V, +5.5 A /-4.2 A,
ChipFETt
Features
Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET http://onsemi.com
Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package
Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics
ID MAX
V(BR)DSS RDS(on) TYP (Note 1)
Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance
Reduced Gate Charge to Improve Switching Res

3.1. nthd3101ft1g nthd3101ft3.pdf Size:116K _update-mosfet

NTHD3101F
Power MOSFET and
Schottky Diode
-20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with
4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt
http://onsemi.com
Features
• Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode
MOSFET
• 40% Smaller than TSOP-6 Package
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
• Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics
64 mW @ -4.5 V
-20 V -4.4 A
• Indepe

3.2. nthd3100c.pdf Size:148K _onsemi

AND PIN A
NTHD3100C
Power MOSFET
20 V, +3.9 A /-4.4 A,
Complementary ChipFETt
Features
http://onsemi.com
Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET
Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package
V(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX
Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics
58 mW @ 4.5 V
N-Channel
Trench P-Channel for Low On Resistance
3.9 A
20 V
77 mW @ 2.5 V
Low

 3.3. nthd3101f.pdf Size:66K _onsemi

NTHD3101F
Power MOSFET and
Schottky Diode
-20 V, Fetky, P-Channel, -3.2 A, with 2.2A
Schottky Barrier Diode, ChipFET]
Features
http://onsemi.com
• Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode
MOSFET
• 40% Smaller than TSOP-6 Package
• Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics
V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX
• Independent Pinout to each Device to E

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него. Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно. КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д. КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Биполярный транзистор KT3102D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT3102D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

KT3102D
Datasheet (PDF)

4.1. kt3102a-b-v-g-d-e.pdf Size:712K _russia

4.2. kt3102.pdf Size:198K _integral

КТ3102
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для
использования в низкочастотных устройс

 5.1. kt3109a-b-v.pdf Size:532K _russia

5.2. kt3108a-b-v.pdf Size:722K _russia

 5.3. kt3101a.pdf Size:779K _russia

5.4. kt3104a-b-v-g-d-e.pdf Size:373K _russia

 5.5. kt3106a.pdf Size:721K _russia

5.6. kt3107a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf Size:806K _russia

5.7. kt3107.pdf Size:142K _integral

КТ3107
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p усилительный транзистор в пластмассовом
корпусе. Предназначен для использования

Другие транзисторы… KT306V
, KT306VM
, KT3101A-2
, KT3101AM
, KT3102A
, KT3102AM
, KT3102B
, KT3102BM
, BC327
, KT3102DM
, KT3102E
, KT3102EM
, KT3102G
, KT3102GM
, KT3102I
, KT3102IM
, KT3102J
.

Заключение

В статье был рассмотрен прототип (КТ315) и его аналоги с описанием возможностей их использования. Остаётся надеяться, что предоставленная здесь информация будет вам полезна. Также необходимо напомнить, что транзисторы являются довольно хрупкими элементами, которые к тому же часто перегорают. Поэтому при работе с ними, да и с другими деталями электротехники, соблюдайте технику безопасности.

Транзистор – полупроводниковый элемент электрический цепи, управляемый входным сигналом. В качестве сигнала может использоваться как привычный электрический ток, но и, например, свет в работе фототранзистора.

Транзистор КТ3102
– это популярнейший советский биполярный транзистор, который применялся и применяется по сей день в схемах различных усилителей сигнала: операционных усилителях, дифференциальных и УНЧ (усилитель низкой частоты). КТ3102, за счёт маленькой толщины базы, усиливал сигнал по току в тысячи раз. Изготавливается из кремния, чаще всего методом эпитаксии (наращивание на новых полупроводниковых слоёв на кремниевой подложке).

Транзистор КТ3102 изначально чаще всего изготавливался в металлическом цилиндрическом корпусе, привычном для многих советских транзисторов. На данный момент, он изготавливается в пластиковом корпусе. Является комплементарной парой для КТ3107.

Принцип работы прибора заключается в управлении током за счёт изменения напряжения. Чтобы элемент начал работать, к нему нужно приложить напряжение. Тогда прибор откроется. Изменяя напряжение базы, мы управляем всем элементом.

Существует достаточно большое количество различных вариантов данного прибора, отличающихся друг от друга теми или иными показателями. Для рассмотрения всех вариантов прибора, введём следующие параметры КТ3102:

Вышеперечисленные характеристики КТ3102 одинаковы для всех моделей прибора. То есть, при любой маркировке прибора, вы должны учитывать вышеперечисленные значения. Описанные ниже показатели будут отличаться в зависимости от типа элемента. В последующем приведём краткую сводку параметров для каждого типа
.

• U КБ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-база.
• U КЭ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-эмиттер.
• H 21э – коэффициент усиления при подключении с общим эмиттером.
• I КБ – обратный ток коллектора.
• К Ш – коэффициент шума.

Для удобства, все показатели будут вынесены в таблицу. Буква М и её отсутствие в обозначении пары транзисторов (например, КТ3102А и КТ3102АМ) означает тип корпуса. С буквой М – пластиковый корпус. Без неё – металлический. Показатели не зависят от типа корпуса. В таблице, также, будут приведены зарубежные аналоги КТ3102.