Bt134 600 схема включения. симисторы: принцип работы, проверка и включение, схемы

Разновидности тиристоров

Тиристорами принято называть группу полупроводниковых приборов (триодов), способных пропускать или не пропускать электрический ток в заданном режиме и в определенные промежутки времени. Так создают условия работоспособности схемы в соответствии с ее функциями.

Управление работой тиристоров осуществляется двумя способами:

  • подачей напряжения определенной величины для открытия или закрытия прибора, как в динисторах (диодных тиристорах) – двухэлектродных приборах;
  • подачей импульса тока определенной длительности или величины на управляющий электрод, как в тринисторах и симисторах (триодных тиристорах) – трехэлектродных приборах.

По принципу работы эти приборы различаются на три вида.

Динисторы открываются при достижении напряжения определенной величины между катодом и анодом и остаются открытыми до уменьшения напряжения опять же до установленного значения. В открытом состоянии работают по принципу диода, пропуская ток в одном направлении.

Тринисторы открываются при подаче тока на контакт управляющего электрода и остаются открытыми при положительной разности потенциалов между катодом и анодом. То есть они открыты, пока в цепи существует напряжение. Это обеспечивается наличием тока, сила которого не ниже одного из параметров тринистора – тока удержания. В открытом состоянии также работают по принципу диода.

Симисторы – разновидность тринисторов, которые пропускают ток по двум направлениям, находясь в открытом состоянии. По сути, они представляют пятислойный тиристор.

Запираемые тиристоры – тринисторы и симисторы, которые закрываются при подаче на контакт управляющего электрода тока обратной полярности, нежели та, которая вызвала его открытие.

Основные характеристики симисторов BT134

Параметр Обозначение Еди-ница Тип симистора
BT134-500 BT134-600 BT134-800
Максимальное обратное напряжение U обр. В 500 600 800
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии U зс.повт.макс. В 500 600 800
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии I ос.ср.макс. А 4 4 4
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии I кр.макс. А 25 25 25
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения симистора I у.от.мин. А 0.025 0.025 0.025

Существенный недостаток тиристоров заключается в том, что это однополупериодные элементы, соответственно, в цепях переменного тока они работают с половинной мощностью. Избавиться от этого недостатка можно используя схему встречно-параллельного включения двух однотипных устройств или установив симистор. Давайте разберемся, что представляет собой этот полупроводниковый элемент, принцип его функционирования, особенности, а также сферу применения и способы проверки.

Описание принципа работы и устройства

Основное отличие этих элементов от тиристоров заключается в двунаправленной проводимости электротока. По сути это два тринистора с общим управлением, включенных встречно-параллельно (см. А на рис. 1) .

Теперь рассмотрим структуру полупроводника (см. рис. 2.) Как видно из схемы, в устройстве имеется пять переходов, что позволяет организовать две структуры: р1-n2-p2-n3 и р2-n2-p1-n1, которые, по сути, являются двумя встречными тринисторами, подключенными параллельно.

Когда на силовом выводе Т1 образуется отрицательная полярность, начинается проявление тринисторного эффекта в р2-n2-p1-n1, а при ее смене – р1-n2-p2-n3.

Заканчивая раздел о принципе работы приведем ВАХ и основные характеристики прибора.

Обозначение:

  • А – закрытое состояние.
  • В – открытое состояние.
  • U DRM (U ПР) – максимально допустимый уровень напряжения при прямом включении.
  • U RRM (U ОБ) – максимальный уровень обратного напряжения.
  • I DRM (I ПР) – допустимый уровень тока прямого включения
  • I RRM (I ОБ) – допустимый уровень тока обратного включения.
  • I Н (I УД) – значения тока удержания.

Применение

Этот тип полупроводниковых элементов первоначально предназначался для применения в производственной сфере, например, для управления электродвигателями станков или других устройств, где требуется плавная регулировка тока. Впоследствии, когда техническая база позволила существенно уменьшить размеры полупроводников, сфера применения симметричных тринисторов существенно расширилась. Сегодня эти устройства используются не только в промышленном оборудовании, а и во многих бытовых приборах, например:

  • зарядные устройства для автомобильных АКБ;
  • бытовое компрессорное оборудования;
  • различные виды электронагревательных устройств, начиная от электродуховок и заканчивая микроволновками;
  • ручные электрические инструменты (шуроповерт, перфоратор и т.д.).

И это далеко не полный перечень.

Одно время были популярны простые электронные устройства, позволяющие плавно регулировать уровень освещения. К сожалению, диммеры на симметричных тринисторах не могут управлять энергосберегающими и светодиодными лампами, поэтому эти приборы сейчас не актуальны.

Особенности

Чтобы иметь полное представление о симметричных тринисторах, необходимо рассказать про их сильные и слабые стороны. К первым можно отнести следующие факторы:

  • относительно невысокая стоимость приборов;
  • длительный срок эксплуатации;
  • отсутствие механики (то есть подвижных контактов, которые являются источниками помех).

В число недостатков приборов входят следующие особенности:

Необходимость отвода тепла, примерно из расчета 1-1,5 Вт на 1 А, например, при токе 15 А величина мощности рассеивания будет около 10-22 Вт, что потребует соответствующего радиатора. Для удобства крепления к нему у мощных устройств один из выводов имеет резьбу под гайку.

  • Устройства подвержены влиянию переходных процессов, шумов и помех;
  • Не поддерживаются высокие частоты переключения.

По последним двум пунктам необходимо дать небольшое пояснение. В случае высокой скорости коммутации велика вероятность самопроизвольной активации устройства. Помеха в виде броска напряжения также может привести к этому результату. В качестве защиты от помех рекомендуется шунтировать прибор RC цепью.

Помимо этого рекомендуется минимизировать длину проводов ведущих к управляемому выводу, или в качестве альтернативы использовать экранированные проводники. Также практикуется установка шунтирующего резистора между выводом T1 (TE1 или A1) и управляющим электродом.

BT134-600E Datasheet Download — NXP

Номер произв BT134-600E
Описание 4Q Triac
Производители NXP
логотип  
1Page

No Preview Available !

BT134-600E
4Q Triac
21 November 2013
Product data sheet
1. General description
Planar passivated sensitive gate four quadrant triac in a SOT82 plastic package intended
for use in general purpose bidirectional switching and phase control applications. This
«series E» sensitive gate triac is intended to be interfaced directly to microcontrollers,
logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits.
2. Features and benefits

• Compact package

• Direct interfacing to logic level ICs

• Direct interfacing to low power gate drive circuits

• High blocking voltage capability

• Low holding current for low current loads and lowest EMI at commutation

• Planar passivated for voltage ruggedness and reliability

• Sensitive gate

• Triggering in all four quadrants

3. Applications

• General purpose low power motor control

• Home appliances

• Industrial process control

4. Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions

VDRM

repetitive peak off-
state voltage

ITSM non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;

state current

tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5

IT(RMS)

RMS on-state current full sine wave; Tmb ≤ 107 °C; Fig. 1;

Fig. 2; Fig. 3
Static characteristics

IGT

gate trigger current

VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;

Tj = 25 °C; Fig. 7

Min Typ Max Unit
— — 600 V
— — 25 A
— — 4A

2.5 10
mA
Scan or click this QR code to view the latest information for this product

No Preview Available !

NXP Semiconductors
BT134-600E
4Q Triac
Symbol
Parameter

IH holding current

Conditions

VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;

Tj = 25 °C; Fig. 7

VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;

Tj = 25 °C; Fig. 7

VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+;

Tj = 25 °C; Fig. 7

VD = 12 V; Tj = 25 °C; Fig. 9

Min Typ Max Unit
— 4 10 mA
— 5 10 mA
— 11 25 mA

2.2 15
mA
5. Pinning information
Table 2. Pinning information
Pin Symbol Description
1 T1 main terminal 1
2 T2 main terminal 2
3 G gate
mb T2
mounting base; main
terminal 2
Simplified outline
Graphic symbol
T2
sym051
T1
G
123
SIP3 (SOT82)
6. Ordering information
Table 3. Ordering information
Type number
Package
Name
BT134-600E
SIP3
Description
plastic single-ended package; 3 leads (in-line)
Version
SOT82
BT134-600E
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
21 November 2013
NXP N.V. 2013. All rights reserved
2 / 13

No Preview Available !

NXP Semiconductors
7. Limiting values
Table 4. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions

VDRM

repetitive peak off-state voltage

IT(RMS)

RMS on-state current

full sine wave; Tmb ≤ 107 °C; Fig. 1;

Fig. 2; Fig. 3

ITSM non-repetitive peak on-state full sine wave; Tj(init) = 25 °C;

current

tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5

full sine wave; Tj(init) = 25 °C;

tp = 16.7 ms

I2t I2t for fusing

tp = 10 ms; SIN

dIT/dt

rate of rise of on-state current IT = 6 A; IG = 0.2 A; dIG/dt = 0.2 A/µs;

T2+ G+

IT = 6 A; IG = 0.2 A; dIG/dt = 0.2 A/µs;

T2+ G-

IT = 6 A; IG = 0.2 A; dIG/dt = 0.2 A/µs;

T2- G-

IT = 6 A; IG = 0.2 A; dIG/dt = 0.2 A/µs;

T2- G+

IGM peak gate current

PGM peak gate power

PG(AV)

average gate power
over any 20 ms period

Tstg storage temperature

Tj junction temperature

BT134-600E
4Q Triac
Min Max Unit
— 600 V
— 4A
— 25 A
— 27 A

— 3.1 A2s

— 50 A/µs
— 50 A/µs
— 50 A/µs
— 10 A/µs
— 2A
— 5W
— 0.5 W
-40 150 °C
— 125 °C
BT134-600E
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
21 November 2013
NXP N.V. 2013. All rights reserved
3 / 13

Всего страниц 13 Pages
Скачать PDF

Обратная связь в симисторных схемах регулирования

Для управления мощностью (температурой) нагревательных элементов различных приборов, скоростями вращения двигателей и т.д. в последнее время, несмотря на большую стоимость, чем электромеханика, применяется регулятор мощности на симисторе. Необходимость использования дополнительного радиатора для такой схемы – это небольшая плата взамен отсутствию рисков искрения, долгому сроку безотказной работы, стабильности выдаваемых параметров.Такая схема регулирования распространена в приборах типа паяльников, электродрелей и т.д.
Ниже приведен пример еще одной схемы регулирования мощности на симисторе. Это схема для регулирования скорости двигателя промышленной швейной машины.
Схема собрана на симисторе VS1, выпрямительных вентилях VD1 и VD2, и переменном резисторе R3 в цепи управления. Особенностью и ключевой отличительной чертой такой схемы является обратная связь. Симистор, пропускающий ток в обоих направлениях – это лучшее решение для схем регулирования, где необходимо наличие такой обратной связи.

Сравнивая с устаревшими коммутационными технологиями, можно обозначить еще одно явное преимущество схем регулирования мощности на симисторах – это возможность обеспечения качественной обратной связи и соответственно корректировки работы по обратной связи.

Особенности и преимущества схемы:

  1. В данном случае реализована обратная связь по нагрузке, что позволяет усиливать обороты двигателя и обеспечивать плавную бесперебойную работу машины в случае возрастания нагрузочных усилий. При этом все операции выполняются схемой автоматически. Не возникает искрений или перегрева. Как видно из рисунка, теплоотвода не предусмотрено.

Данная схема – это регулирование активной мощности приборов. Не рекомендуется применение таких схем в системах регулирования интенсивности освещения. По ряду причин, осветительные приборы будут сильно мигать.

Коммутация симистора в данной схеме происходит строго в моменты перехода через «0» сетевого напряжения, поэтому можно заявлять о полном отсутствии помех со стороны регулятора.

Приводится в действие, то есть включается симистор от поступающего на управляющий электрод положительного импульса при положительном напряжении на аноде, либо от отрицательного импульса при отрицательном положении на катоде. Катод и анод, учитывая особенности двунаправленной работы симистора тут условные. в зависимости от работы в разных направлениях они будут меняться функциями.

В роли источника импульсов для управления симистором может быть применен двунаправленный динистор. Либо, из соображений удешевления схемы, можно подключить во встречно-параллельном направлении пару обыкновенных динисторов. Для обеспечения большей ширины диапазона регулирования малых напряжений оптимальным выбором станут динисторы типа КНР102А. Еще один вариант ключевого элемента – лавинный транзистор.

Регулирования активной и реактивной мощности имеют некоторые отличительные особенности. Управление индуктивной нагрузкой требует включения в схему RC-цепочки (параллельно симистору). Это позволит сдерживать скорость увеличения напряжения на аноде симистора.

Как проверить работоспособность симистора?

В сети можно найти несколько способ, где описан процесс проверки при помощи мультиметра, те, кто описывал их, судя по всему, сами не пробовали ни один из вариантов. Чтобы не вводить в заблуждение, следует сразу заметить, что выполнить тестирование мультиметром не удастся, поскольку не хватит тока для открытия симметричного тринистора. Поэтому, у нас остается два варианта:

  1. Использовать стрелочный омметр или тестер (их силы тока будет достаточно для срабатывания).
  2. Собрать специальную схему.

Алгоритм проверки омметром:

  1. Подключаем щупы прибора к выводам T1 и T2 (A1 и A2).
  2. Устанавливаем кратность на омметре х1.
  3. Проводим измерение, положительным результатом будет бесконечное сопротивление, в противном случае деталь «пробита» и от нее можно избавиться.
  4. Продолжаем тестирование, для этого кратковременно соединяем выводы T2 и G (управляющий). Сопротивление должно упасть примерно до 20-80 Ом.
  5. Меняем полярность и повторяем тест с пункта 3 по 4.

Если в ходе проверки результат будет таким же, как описано в алгоритме, то с большой вероятностью можно констатировать, что устройство работоспособное.

Заметим, что проверяемую деталь не обязательно демонтировать, достаточно только отключить управляющий вывод (естественно, обесточив предварительно оборудование, где установлена деталь, вызывающая сомнение).

Необходимо заметить, что данным способом не всегда удается достоверно проверку, за исключением тестирования на «пробой», поэтому перейдем ко второму варианту и предложим две схемы для тестирования симметричных тринисторов.

Схему с лампочкой и батарейкой мы приводить не будем в виду того, что таких схем достаточно в сети, если вам интересен этот вариант, можете посмотреть его в публикации о тестировании тринисторов. Приведем пример более действенного устройства.

Обозначения:

  • Резистор R1 – 51 Ом.
  • Конденсаторы C1 и С2 – 1000 мкФ х 16 В.
  • Диоды – 1N4007 или аналог, допускается установка диодного моста, например КЦ405.
  • Лампочка HL – 12 В, 0,5А.

Можно использовать любой трансформатор с двумя независимыми вторичными обмотками на 12 Вольт.

Алгоритм проверки:

  1. Устанавливаем переключатели в исходное положение (соответствующее схеме).
  2. Производим нажатие на SB1, тестируемое устройство открывается, о чем сигнализирует лампочка.
  3. Жмем SB2, лампа гаснет (устройство закрылось).
  4. Меняем режим переключателя SA1 и повторяем нажатие на SB1, лампа снова должна зажечься.
  5. Производим переключение SA2, нажимаем SB1, затем снова меня ем положение SA2 и повторно жмем SB1. Индикатор включится, когда на затвор попадет минус.

Теперь рассмотрим еще одну схему, только универсальную, но также не особо сложную.

Обозначения:

  • Резисторы: R1, R2 и R4 – 470 Ом; R3 и R5 – 1 кОм.
  • Емкости: С1 и С2 – 100 мкФ х 10 В.
  • Диоды: VD1, VD2, VD5 и VD6 – 2N4148; VD2 и VD3 – АЛ307.

В качестве источника питания используется батарейка на 9V, по типу Кроны.

Тестирование тринисторов производится следующим образом:

  1. Переключатель S3, переводится в положении, как продемонстрировано на схеме (см. рис. 6).
  2. Кратковременно производим нажатие на кнопку S2, тестируемый элемент откроется, о чем просигнализирует светодиод VD
  3. Меняем полярность, устанавливая переключатель S3 в среднее положение (отключается питание и гаснет светодиод), потом в нижнее.
  4. Кратковременно жмем S2, светодиоды не должны загораться.

Если результат будет соответствовать вышеописанному, значит с тестируемым элементом все в порядке.

Теперь рассмотрим, как проверить с помощью собранной схемы симметричные тринисторы:

  • Выполняем пункты 1-4.
  • Нажимаем кнопку S1- загорается светодиод VD

То есть, при нажатии кнопок S1 или S2 будут загораться светодиоды VD1 или VD4, в зависимости от установленной полярности (положения переключателя S3).

Зачем нужна проверка

В процессе ремонта или сборки новой схемы невозможно обойтись без электрических деталей. Одной из таких деталей является симистор. Его применяют в схемах устройств сигнализации, световых регуляторах, радиоприборах и многих отраслях техники. Иногда его применяют повторно после демонтажа неработающих схем, и нередко приходится встречать элемент с утраченной от длительного использования или хранения маркировкой. Случается, что и новые детали надо проверить.

Как же быть уверенным, что симистор, установленная в схему, действительно исправен, и в будущем не нужно будет затрачивать много времени на отладку работы собранной системы?

Для этого необходимо знать, как проверить симистор мультиметром или тестером. Но сначала надо понять, что собой представляет данная деталь, и как она работает в электрических схемах.

По сути, симистор является разновидностью тиристора. Название составлено из этих двух слов – «симметричный» и «тиристор».

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector