Кд522 , 2д522
Содержание:
КД522 , 2Д522 (кремниевый импульсный диод)
Диоды кремниевые,
эпитаксиально-планарные,
импульсные.
Предназначены для применения в
импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с
гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности
диодов используются условная
маркировка
черными кольцевыми полосами на
корпусе со стороны положительного (анодного!)
вывода:
| 2Д522 Б | (1) одной черной полосой | |
| КД522 А | (2) двумя черными полосами | |
| КД522 Б | (3) тремя черными полосами |
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры:
| при T = +25 и +125 °С, не более | 1,1 В |
| при T = +25 °С для 2Д522 Б (типовое значение) |
0,95* В |
| при T = -60 °С, не более | 1,5 В |
| при T=-60 и +25°С для 2Д522 Б, КД522 Б, не более |
5 мкА |
| при T=-60 и +25 °С для КД522 А, не более |
2 мкА |
| при Т= +25°С для 2Д522 Б (типовое значение) |
0,1* мкА |
| при T = +125 °С для 2Д522 Б, не более |
100 мкА |
| при T= +125°С для КД522 А, КД522 Б, не более |
50 мкА |
| при Iпр.= 50 мА и Uобр.и = 10 В, не более |
400 пКл |
| типовое значение для 2Д522 Б | 175* пКл |
| при Iпр.=10 мА, Uобр.,и =10 В и Iпр. = 2 мА для 2Д522 Б, не более |
4 нс |
| при Uобр. = 0, не более | 4 пФ |
| типовое значение для 2Д522 Б | 2,2* пФ |
Зависимость
общей емкости
диода от напряжения
Зависимости
заряда переключения
от прямого тока
Зависимость
импульсного
прямого напряжения от
импульсного прямого тока
Зависимости
допустимого
импульсного прямого тока
от скважности
Предельные
эксплуатационные параметры:
| 2Д522 Б, КД522 Б | 50 В |
| КД522 А | 30 В |
| 2Д522 Б при tи <= 2 мкс | 75 В |
| КД522 А при tи <= 10 мкс | 40 В |
| КД522 Б при tи <= 10 мкс | 60 В |
| 2Д522 Б при Т=-60…+50°С; КД522 А, КД522 Б при T=-55…+35°С |
100 мА |
| 2Д522 Б при T=+125°С, КД522 А, КД522 Б при T=+85°С |
50 мА |
| 2Д522 Б при T=-60…+50°С; КД522 А, КД522 Б при Т=-55…+35°С |
1500 мА |
| 2Д522 Б при T=+125°С | 500 мА |
| КД522 А, КД522 Б при T=+85°С | 850 мА |
| 2Д522 Б | +150°С |
| КД522 А, КД522 Б | +125°С |
| КД522 А, КД522 Б при T=+85°С | 850 мА |
| 2Д522 Б | -60…+125°С |
| КД522 А, КД522 Б | -55…+85°С |
Примечания:
-
В интервале
температур окружающей среды
+50…+125 °С ( +35…+ 85 °С для КД522А,
КД522Б)
допустимые значения прямых
токов снижаются линейно. -
Изгиб выводов
допускается не ближе 3 мм от
корпуса с радиусом закругления
не менее 1,5 мм.
Растягивающая выводы сила не
должна превышать 4,9 Н. -
Пайка выводов
рекомендуется не ближе 5 мм от
корпуса.
Температура пайки не должна
превышать +250 °С, время ее
воздействия на выводы — 3 с.
Температура корпуса при пайке
не должна превышать +150°С.
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru
Классификация диодов
По исходному полупроводниковому материалу диоды делят на четыре группы:
- германиевые,
- кремниевые,
- из арсенида галлия,
- из фосфида индия.
Германиевые диоды используются широко в транзисторных приемниках, так как имеют выше коэффициент передачи, чем кремниевые.
Это связано с их большей проводимостью при небольшом напряжении (около 0,1…0,2 В) сигнала высокой частоты на входе детектора и сравнительно малом сопротивлении нагрузки (5…30 кОм).
По конструктивно-технологическому признаку различают диоды:
- точечные,
- плоскостные.
По назначению полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы:
- выпрямительные,
- универсальные,
- импульсные,
- варикапы,
- стабилитроны (опорные диоды),
- стабисторы,
- туннельные диоды,
- обращенные диоды,
- лавинно-пролетные (ЛПД),
- тиристоры,
- фотодиоды, с
- ветодиоды и оптроны.
Диоды характеризуются такими основными электрическими параметрами:
- током, проходящим через диод в прямом направлении (прямой ток Іпр);
- током, проходящим через диод в обратном направлении (обратный ток Іобр);
- наибольшим допустимым выпрямленным ТОКОМ Івыпр.макс;
- наибольшим допустимым прямым током Іпр.доп.;
- прямым напряжением Unp;
- обратным напряжением иобР;
- наибольшим допустимым обратным напряжением иобр.макс
- емкостью Сд между выводами диода;
- габаритами и диапазоном рабочих температур.
