Транзистор кт818

Режимы работы в схеме с ОЭ

Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме. 

Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (U_БЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы I_Б и коллектора I_К незначительные, т.е. практически отсутствуют.

Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение U_БЭ с 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока I_Б максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора R_Б. При этом I_К может расти до 100 мА, а U_КЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.

Технические характеристики

КТ805АМ, как все полупроводниковые приборы, имеет техническое описание от производителя. Оно содержит информацию об устройстве, его обозначению, а так же предельно допустимые характеристики. Рассмотрим их более подробно:

• максимальное напряжение К-Э: постоянное (U_КЭ ) до 60 В; импульсное (U_{КЭ и}) до 160 В при t_И ≤ 500 мкс, t_Ф ≥15 мс, R_БЭ = 10 Ом, температуре перехода  (Т_П) ≤ +100OС; до 180 вольт в схемах строчной телевизионной развертки при Т_К ≤, t_И ≤ 50 мс;
• напряжение Э-Б (U_ЭБ): — 5 В, импульсное (U_{ЭБ и})  до 8 В, при t_И  ≤ 40 мс;
• ток коллектора (I_К): -5 А; импульсный (I_{К и}) при t_И≤ 40 мс и Q≥1.5 — 8 А;
• ток базы (I_Б) — 2 А; импульсный (I_{Б и}) при t_И ≤ 20 мc — 2.5 А;
• тепловое сопротивление кристалл-корпус (R_Т(П-К)) — 3.3 OС/Вт;
• средняя рассеиваемая мощность (P_К)  на коллекторе при Т_К ≤ +50 OС  до 30 Вт, а при Т_К = +100 OС до 15 Вт. Если Т_К ≥  +50 OС, то мощность P_K рассчитывается по стандартной формуле P_{K макс} = (150 – T_К)/R_Т(П-К),Вт;
• максимальная температура Т_П  до + 150 OС, вокруг корпуса от -60 до +100 OС.

Электрические

Кроме предельно допустимых значений, в даташит на КТ805АМ указаны электрические значения. В них каждый параметр приводится с учётом определенных режимов измерений, указанных в отдельном столбце. Температура вокруг корпуса прибора при этом составляет не более  +25 OС:

Аналоги

Полным отечественным аналогом у КТ805АМ, с идентичными электрическими параметрами, но в другом металлостеклянном корпусе является транзистор КТ305А. Эти два устройства указаны в одном техническом описании у всех российских производителей. Зарубежными аналогами в пластиковом корпусе ТО-220 можно считать: 2SC2562, 2SC3422 (Toshiba), в металлизированном TO3 — BDY60.

Технические характеристики

Как уже говорилось ранее, что технические характеристики КТ315Г сделали его одним из лучших в серии по коэффициенту усиления (до 350 H_21Э). А способность пропускать через себя большое напряжение (до 35 В) делает его привлекательным для применения в разных схемах. Приведем его максимальные эксплуатационные значения:

• предельное постоянное напряжение между: К-Э до 35 В (при R_БЭ =10 Ом); Б-Э до 6В;
• ток коллектора до 100мА;
• мощность рассеивания до 150 мВт;
• тепловое сопротивление 0.67 °C/ мВт;
• температура кристалла до +120 °C;
• граничная частота (в схемах с общим эмиттером) от 250 МГц;
• емкость коллекторного перехода менее 7 пФ;
• усиление по току H_21Э от 50 … 350;
• интервал рабочих температур -60 … +100 °C.

Электрические параметры

Типовые электрические параметры КТ315Г представлены в таблице и характерны для всех из этой серии. Данные взяты прямо из datasheet на устройство. Значения замерены производителем при температуре Т_{окр. =}+25°C и для определенных режимов работы, если не указано иного.

Комплементарная пара

Комплементарной парой является КТ361Г. Это транзистор с аналогичными параметрами, но с противоположной по проводимости PNP-структурой. Выпускается для совместной работы с рассматриваемым устройством для различных каскадных схемах усиления сигнала.

Аналоги

Наиболее часто в качестве аналога для КТ315Б рекомендуют использовать КТ3102Г или улучшенный КТ315Г1. Это более современные модели, с меньшим уровнем шумов и большим коэффициентом усиления по току. Из зарубежных можно рекомендовать следующие: 2SC380, 2SC388, 2SC634, 2SC641, BFP722.

Цоколевка

Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе. Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.

Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).

В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.

На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.

Аналоги

Выбор аналога для КТ825Г зависит от схемы в которой он используется. В любом случае полной его копии не существует и прототип BDX88 уже не производится. При этом, для большинства ситуаций подходят такие импортные транзисторы: 2N6052, MJ11013, MJ11015, 2N5884

Для его замены в выходных каскадах усилителей, в первую очередь стоит обратить внимание на российский 2Т825А или на эквивалентную конструкцию их двух биполярников КТ814Г и КТ818В

Часто, для ремонта или модернизации популярного УНЧ Солнцева (Квод-405) вместо КТ825Г применяют зарубежные дарлингтоны: MJ11015, TIP147, BDV64B. При таком подходе в данном усилителе также рекомендуют поменять его комплементарник КТ827А и тоже на импортные аналоги. Соответственно подойдут: MJ11016, TIP142, BDV65B. Стоит учитывать, что коллекторный ток у двух последних значительно меньше (до 10 А), чем у рассматриваемого. Но при этом считается, что качество звука в этом случае будет на много лучше.

Бывают и другие случаи, когда вместо дорогого импортного транзистора дарлингтона довольно успешно применяют наш КТ825Г. Например, его нередко используют для замены мощных Т1829-1 и FW26025A1, которые установлены для регулировки напряжением на вентиляторах в автомобильных блоках управления отоплением Valeo 833817E.

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно технические характеристики КТ817Г, которые разделяют на предельно допустимые и электрические. Предельно допустимые параметры, указывают на максимальные значения рабочих режимов эксплуатации. Их значения представлены в техническом описании для температуры перехода (Т_П) не превышающей 25 оС:

• постоянное напряжение между выводами: К-Э = 100 В (при R_ЭБ  ≤ 1 кОм); Э-Б до 5 В;
• ток коллектора: постоянный до 3 А; импульсный до 6 А;
• ток базы до 1 А;
• мощность рассеиваемая на коллекторе (P_{К макс}): до 25 Вт (c теплотводом);  до 1 Вт (без отвода тепла);
• температура p-n-перехода до +150 оС;
• диапазон рабочих температур вокруг корпуса от -60 до +150 °C.

Не рекомендуется допускать длительную эксплуатацию устройство в таких режимах. С большей долей вероятности оно просто выйдет из строя. При этом необходимо учитывать, что P_К, при увеличении температуры корпуса (Т_К) свыше 25 оС, уменьшается линейно на 0,002 Вт/°C с теплотоводом, и 0,0001 Вт/°C без него.

Электрические параметры

Основные электрические параметры для КТ817Г также представлены в даташит, с учетом Т_Пне более 25 оС. Приводятся минимальные и максимальные их значения, с учетом дополнительных условий и режимов измерения. Рассмотрим их ниже.

Аналоги

В технической документации одного из производителей, ОАО «Интеграл», предлагается прототип КТ817Г – зарубежный транзистор BD237. Для него также имеется комплиментарная пара – КТ816. Кроме устройств предложенных изготовителем, имеются также другие импортные изделия, близкие по своим характеристикам к рассматриваемому: MJE31C, 2N5192, 2N6123, 2SC1827, 2SD1356, 2SD1408, 2SD526, 2SC1826, BD179, BD220, BD222, BD239B, BD441, BD619, BD937, TIP31C.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные
низкочастотные, структуры p-n-p.

Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах.
Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814.
Сама схема выглядит вот таким образом.

Коэффициент передачи тока —
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г — 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора
10 А и базовом токе 40 мА — 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода
при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА

— не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

• напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при R_БЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
• постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
• импульсный ток (при t_и ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
• максимальная рассеиваемая мощность (при Т_К ≤ 25 oC) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
• температура p-n перехода от +125 до +150 oC;
• диапазон рабочих температур от -45 до +150 oC;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 oC. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

Распиновка

Цоколевка транзистора КТ817Г зависит от корпуса, в котором размещено устройство. Он в свою очередь в зависимости от монтажа, бывает всего двух типов: для дырочного, с жесткими выводами применяется КТ27 (ТО-126), а для поверхностного — КТ-89 (DPAK). На рисунке ниже представлено назначение каждого из контактов, для разных типов упаковки.

Оба корпуса выполнены из пластмассы. У транзистора КТ817Г (КТ-27), с отверстием для крепления на радиатор, следующее назначение контактов: первая ножка – эмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья – база (Б). Задняя часть металлизированной упаковки в таком исполнении физически соединена с коллекторным выводом.

КТ817Г9 (КТ-89) не имеет отверстия для крепления на теплоотвод. Вывод К соединен с задней металлической поверхностью. Если смотреть на лицевую часть устройства, то назначение контактов будет таким: в нижней части расположены выводы Б и Э, а сверху размещен К. Цифра “9” в конце обозначения, указывает на тип упаковки для поверхностного монтажа КТ-89 (DPAK). На транзисторах в таком исполнении отсутствует маркировка.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые
транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Технические характеристики

Серия кремниевых биполярных транзисторов КТ818, в зависимости от групповой принадлежности, обладает такими максимальными эксплуатационными параметрами:

• напряжение между выводами: К-Э – 40…90 В; К-Б – 40…90 В; Э-Б – 5 В;
• ток коллектора:  постоянный до 10 А; импульсный до 15 А;
• ток базы: постоянный до 3 А; импульсный до 5 А;
• рассеиваемая мощность с использование радиатора от 60 до 100  Вт, без него  1,5-3 Вт;
• температура перехода от +125 до +150 oC;
• диапазон рабочих температур от -45 до +100 oC;

В техописаний транзистора, по современным меркам, данных не так много. В некоторых версиях документации отсутствует даже информация о статическом коэффициенте передачи по току H_21Э – в графе стоит прочерк. Многие значения тестирования вообще не указываются. Это связано моральным устареванием серии и нежеланием современных производителей заниматься её совершенствованием, а так же разрабатывать на неё новую документацию. Электрические параметры приводятся с указанием дополнительных условий их измерения, с учетом температуры окружающей среды до +25 oC.

Аналоги

Отечественным аналогом для серии КТ818 считается КТ816. Также рассмотрим в качестве возможных вариантов для его замены импортные транзисторы. Распределим их по группам:

для устройств в корпусе КТ-28 (ТО220):

• А- 2N6111, BD292, 2N6132;
• Б- 2N6132, 2SB754, BD202, BD294, BD534, BD664, BD706, BD950, BDT92, BDV92, TIP42;
• В- 2N5194, 2N6109, 2N6133, 2SB1019, 2SB553, BD204, BD296, BD536,BDT94, BDW94, КТ816В;
• Г-2N5195, 2N6107, 2N6134, 2SB1016, 2SB1018, BD538, BD710, BD954, BDT96,   BDV96;

для устройств в корпусе КТ-9(ТО3):

• АМ – аналогов нет;
• БМ -2N6469, BDW22, BDW52, BDX92, 2N6246;
• ГМ- 2N6247, 2N6248, 2SB558, BDW22B, BDW22C, BDW52B, BDW52C, BDX18, BDX96;
• ВМ — 2N6246, BDW22A, BDW52A, BDX94.

Маркировка

Ознакамливаясь со свойствами необходимо знать, что они так же имеют и другую, отличную от привычной маркировку. В свое время, для того чтобы выполнить условия ОСТ 11.336.919-81, производители применяли наименование 2Т818. Таким образом обозначали устройства, выпускавшиеся для нужд армии. Они имели лучшие характеристики по отношению версии КТ. При их изготовлении использовались более дорогие материалы. Для того, чтобы избежать путаницы у конечного потребителя, в новых версиях даташит приводятся оба варианта обозначений.

Цоколевка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Технические параметры

КТ815Б имеет средние технические параметры, если сравнивать его с другими транзисторами этой серии. В даташит указано, что он способен пропускать через себя максимальное напряжение до 50 В и ток до 1.5А, при возможной потери на нём мощности до 10 Вт (с применением радиатора). Такие значения позволяют использовать его для работы различных электронных приложений. Приведем подробный перечень предельно допустимых электрических режимов эксплуатации:

• напряжение между: К-Э до 50 В (R_ЭБ ≤100 Ом); Э-Б до 5 В;
• ток коллектора: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
• ток базы до 0.5 А;
• мощность рассеивания на коллекторе: до 10 Вт (c радиатором);  до 1 Вт (без теплоотвода);
• температура: кристалла до +150 °C; диапазон для окружающей среды от -60 до +125 °C;
• масса до 0.9 гр.

У КТ815Б относительно небольшой статический коэффициент усиления по току H_21Э (от 40). При этом, на практике он бывает значительно меньше представленного в техописании. Подобрать же устройства с одинаковый H_21Э, тем более найти ему комплементарную пару очень трудно. Поэтому большинство радиолюбителей предпочитают применять в своих разработках его зарубежные аналоги.

Электрические

Далее рассмотрим основные электрические параметры у КТ815Б. Они указываются для температуры окружающего воздуха вокруг корпуса не более +25°C. В отдельной графе приведены условия измерений.

В техническом описании на устройство российские изготовители не показывают параметр — «тепловое сопротивление между переходом и корпусом». Большинство радиолюбителей применяют для расчетов его значение — 10 °C/Вт. Так же принято считать, что у этой серии граничная частота f_T не превышает 3 МГц, поэтому она считается низкочатотной.

Аналоги

У КТ815Б(КТ-37) существуют импортные аналоги, к ним относится BD135(ТО-126). Так же можно рассмотреть для замены, похожие по своим техническим данным и описанию: 2SA490, 2SA67, BD176, BD234,BD438, BD616, BD934 TIP32A. У отечественных производителей можно взять: КТ817Б, КТ815В,Г. У устройств в корпусе КТ-89 полных аналогов нет.

КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г

Транзисторы меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и 
дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе ТО126(КТ-27) с гибкими выводами. 
Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,7 г.



Граничное напряжение при IЭ> = 100 мА, τи < 300 мкс, Q> 100 не менее:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,3 А не более . . . . . .  1 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,3 А не более  . . . . . . .  1,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
при UКЭ = 2 В, IK = 2 А не менее:
КТ816А, КТ816Б, КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  20
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  15
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ = 5 В, IК = 0,05 А не менее . . .  3 МГц
Емкость коллекторного перехода при UКЭ = 5 В, f = 465 кГц не более . . . . . . . . . . 115 пФ
Обратный ток коллектора 
при UКБ = 25 В (КТ816А);
при UКБ = 45 В (КТ816Б); 
при UКБ = 60 В (КТ816В);
при UКБ = 100 В (КТ816Г) 
не более . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 мкА



Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при бесконечном значении RБЭ, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ < 1 кОм, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Tк 213...373 К  . . . . . . . . . . . . . . . .  5 В
Постоянный ток коллектора при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  3 А
Постоянный ток коллектора при τи < 20 мс, Q > 100, Tк 213...373 К . . . . . . . 6 А
Постоянный ток базы при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при Tк 213...298 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 Вт
без теплоотвода при Tк 213...298 К   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Вт
Температура перехода  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 423 К
Температура окружающей среды  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . от 213 до 398 К