Транзистор кт940

Характеристики транзисторов КТ940А, КТ940Б, КТ940В

КТ940А, КТ940Б, КТ940В – кремниевые биполярные эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы большой мощности высокой частоты. Предназначены для использования в
каскадах видеоусилителей телевизоров, усилителях постоянного тока и других схемах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

№1 — Эмиттер

№2 — Коллектор

№3 — База

Предельные параметры КТ940А, КТ940Б, КТ940В

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 0,1 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 0,3 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (U_{КЭR max}) при Т_п = 25° C:

• КТ940В — 160 В
• КТ940Б — 250 В
• КТ940А — 300 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_п = 25° C:

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (P_{К max}) при Т_к = 45° C:

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 150 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 85 ° C

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 10 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 0,03 А:

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 1 В

Обратный ток коллектора (I_КБ0)

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 50 нА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 90 МГц

Емкость коллекторного перехода (С_К)

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 5,5 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

КТ940А, КТ940Б, КТ940В — 10 ° C/Вт

Опубликовано 17.02.2020

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы КТ940 можно добыть из отечественных телевизоров Фотон 31ТБ-408, Садко 54ТЦ6002, Рубин 5509Т и многих
других цветных и некоторых черно-белых.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

A940 Datasheet (PDF)

1.1. dsa9402.pdf Size:434K _upd

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
DSA9402
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
 Features
 Package
 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
 Code
 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.
SSMini3-F3-B
 Eco-friendly Halogen-free package
 Pin Name
1. Base
 Packaging
2

1.2. 2sa940 3ca940.pdf Size:375K _update

2SA940(3CA940) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于功率放大和帧频输出。
Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications.
特点:于 2SC2073(3DA2073)互补。
Features: Complementary to 2SC2073(3DA2073).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V -150 V
CBO
V -150 V

 1.3. 2sa940a 3ca940a.pdf Size:227K _update

2SA940A(3CA940A) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于功率放大和帧频输出。
Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications.
特点:于 2SC2073A(3DA2073A)互补。
Features: Complementary to 2SC2073A(3DA2073A).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V -150 V
CBO
V -1

1.4. 2sc3882s 2sc4368 2sc4369 2sc4371 2sc4377 2sd1351a 2sd2058a bf599 bfq31 bfs20 bu508a bu806 buv48a buv48c kta1242 kta940.pdf Size:495K _update_bjt



 1.5. 2sa940a.pdf Size:165K _toshiba



1.6. ksa940.pdf Size:59K _fairchild_semi

KSA940
Vertical Deflection Output Power Amplifier
Complement to KSC2073
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Ratings Units
VCBO Collector-Base Voltage — 150 V
VCEO Collector-Emitter Voltage — 150 V
VEBO Emitter-Base Voltage — 5 V
IC Collector Current — 1.5 A
IB Base Current —

1.7. csa940 csc2073.pdf Size:204K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
TO-220 Plastic Package CSA940, CSC2073
CSA940 PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSC2073 NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR
Power Amplifier Applications and Vertical Output Applications
PIN CONFIGURATION
4
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
1
2
3
C
DIM MIN. MAX.
B E
F
A 14.42 16.51
B 9.63 1

1.8. 2sa940.pdf Size:197K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon PNP Power Transistors 2SA940
DESCRIPTION
·With TO-220 package
·Complement to type 2SC2073
APPLICATIONS
·Power amplifier applications
·Vertical output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Emitter
Collector;connected to
2
mounting base
3 Base
Absolute maximum ratings (Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO Collecto

1.9. 2sa940.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA940
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage
: V = -150V(Min)
(BR)CEO
·DC Current Gain
: h = 40-140@ I = -0.5A
FE C
·Complement to Type 2SC2073
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose power amplifier ,
vertical output applications.
ABSOLUTE

1.10. 2sa940.pdf Size:223K _lge

2SA940(PNP)
TO-220 Transistor
TO-220
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
3
2
1
Features
Wide safe Operating Area.
Complementary to 2SC2703
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Paramenter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -150 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V
VEBO Emitter-Base Voltage -5 V
IC Collect

1.11. a940.pdf Size:280K _fgx

A940
风光欣技术资料
—PNP silicon —
■■APPLICATION：Low Noise Audio Amplifier Applications.
■■MAXIMUM RATINGS（Ta＝25℃）
PARAMETER SYMBOL RATING UNIT
Collector-base voltage
-150 V
VCBO
Collector-emitter voltage
-150 V
VCEO
TO-220
1
Emitter-base voltage
-5 V
VEBO
1.Base 2.Collector 3.Emitter
Collector current
-1.5 A
IC
Base current
-0.5 A
IB
C

1.12. ha940.pdf Size:139K _shantou-huashan

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HA940
█ APPLICATIONS
Vertical Deflection Output Power Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
TO-220
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation ……

Транзисторы типа: КТ940А, КТ940Б, КТ940В

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n высокочастотные усилительные мощные: КТ940А, КТ940Б, КТ940В. Предназначены для работы в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приёмников цветного и чёрно-белого изображения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,7 грамма.

Электрические параметры.

Предельные эксплуатационные данные.

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, без теплоотвода при Т>298 К определяется по формуле:

Р_{К макс}=(423-Т_к)/10.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ927А —
от 15 до 20.
У транзисторов КТ927Б —
от 25 до 70.
У транзисторов КТ927В —
от 40 до 100.

Выходная мощность при напряжении коллектор — эмиттер 28в на частоте 30МГц — 75 Вт.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер —

35в.

Максимальный ток коллектора. — постоянный 10А, импульсный 30А.

Обратный ток коллектор-эмиттер

при напряжении эмиттер-коллектор 70в —

не более 40 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 3,5в

не более 40 мА, при температуре окружающей среды +25 по Цельсию.
При температуре окружающей среды +125 по Цельсию — не более 120 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 2А —
не более

0,7 в.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 28в —

не более 190 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора
— 83,5 Вт(на радиаторе) при температуре окружающей среды до 70 градусов Цельсия.

Граничная частота передачи тока типовая — 150 МГц,
фактическая — от 105 до 210 МГц.

Биполярный транзистор 2SC940 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC940

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO3

2SC940
Datasheet (PDF)

1.1. 2sc940.pdf Size:42K _no

1.2. 2sc940.pdf Size:151K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC940
DESCRIPTION
·With TO-3 package
·High current capability
·Wide area of safe operation
APPLICATIONS
·For B/W TV horizontal deflection application
PINNING (See Fig.2)
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
3 Collector
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CON

 1.3. 2sc940.pdf Size:191K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC940
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 90V(Min)
CEO
·Wide Safe Operating Area
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for B/W TV horizontal deflection output applications.
·Suitable for horizontal output applications in 12~24 inch B/W
TV, and switching applications of 5

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

2SC940 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc940.pdf Size:42K _no

1.2. 2sc940.pdf Size:151K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC940
DESCRIPTION
·With TO-3 package
·High current capability
·Wide area of safe operation
APPLICATIONS
·For B/W TV horizontal deflection application
PINNING (See Fig.2)
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
3 Collector
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CON

 1.3. 2sc940.pdf Size:191K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC940
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 90V(Min)
CEO
·Wide Safe Operating Area
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for B/W TV horizontal deflection output applications.
·Suitable for horizontal output applications in 12~24 inch B/W
TV, and switching applications of 5