Транзистор s9012 (ss9012, c9012, 2sс9012)
Содержание:
Биполярный транзистор KST9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST9013
Маркировка: J3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT23
KST9013
Datasheet (PDF)
1.1. kst9013.pdf Size:987K _kexin
SMD Type TransistICs
SMD Type or
SMD Type
NPN Transistors
KST9013
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.5A
1 2
+0.1
0.95-0.1 0.1+0.05
-0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 40 V
Collector — Emitter Voltage
1.2. kst9013c.pdf Size:388K _kexin
SMD Type IC
SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST9013C
SOT-23
Unit: mm
2.9+0.1
-0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.5A
12
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 40 V
Collector — Emitter Voltag
4.1. kst9012c.pdf Size:137K _kexin
SMD Type Transistors
SMD Type IC
SMD Type
PNP Transistors
KST9012C
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Excellent hFE liearity
Collector Current :IC=-0.5A 12
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -40 V
Collector — Emitter Voltag
4.2. kst9015-d.pdf Size:1068K _kexin
SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST9015-D
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=-0.1A
1 2
Complementary to KST9014-D
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -50 V
Collect
4.3. kst9012.pdf Size:925K _kexin
SMD Type or
SMD Type TransistICs
SMD Type
PNP Transistors
KST9012
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE liearity
Collector Current :IC=-0.5A 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -40 V
Collector — Emitter Volta
4.4. kst9014-d.pdf Size:1021K _kexin
SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST9014-D
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.1A
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
Complementary to KST9015-D
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
Collector-E
4.5. kst9015.pdf Size:971K _kexin
SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST9015
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Complementary to KST9014
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -50 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V
Emitter-Base Voltage VEBO —
4.6. kst9014.pdf Size:925K _kexin
SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST9014
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.1A
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V
Emit
4.7. kst9018.pdf Size:515K _kexin
SMD Type
SMD Type Tra n s i s to rs IC
SMD Type
NPN Transistors
KST9018
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
■ Features
High current gain bandwidth product.
●
1 2
+0.1
+0.05
power dissipation.(PC=200mW) 0.95 -0.1 0.1 -0.01
●
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ℃
Parameter Symbol Rating Unit
Col
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
2SC9013 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc9013.pdf Size:84K _usha
Transistors
2SC9013
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
4.1. 2sc9014.pdf Size:76K _update
Transistors
2SC9014
4.2. 2sc9018.pdf Size:77K _usha
Transistors
2SC9018
This datasheet has been downloaded from:
www.DatasheetCatalog.com
Datasheets for electronic components.
4.3. 2sc9014.pdf Size:222K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC9014
DESCRIPTION
·High total power dissipation
·High hFE and good linearity
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for Switching and amplification
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 50 V
CBO
V Coll
STS9013 Datasheet (PDF)
1.1. sts9013.pdf Size:197K _auk
STS9013
NPN Silicon Transistor
Descriptions
PIN Connection
• General purpose application.
C
• Switching application.
B
Features
• Excellent hFE linearity.
E
• Complementary pair with STS9012
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9013 STS9013 TO-92
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Characteristic Symbol Ratings Unit
Collector-B
4.1. gsts9014lt1.pdf Size:221K _upd
GSTS9014LT1
NPN General Purpose Transistor
Product Description Features
This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V
amplifier and switch. Collector Current : 100mA
Lead(Pb)-Free
Packages & Pin Assignments
SOT-23
Pin Description
1 Base
2 Emitter
3 Collector
Marking Information
P/N Package Rank Part Marking
GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q
4.2. sts9012.pdf Size:106K _auk
STS9012
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Description
• General purpose application.
• Switching application.
Features
• Excellent hFE linearity.
• Complementary pair with STS9013
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9012 STS9012 TO-92
Outline Dimensions unit : mm
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
1.27 Typ.
2.54
4.3. sts9015.pdf Size:97K _auk
STS9015
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Description
• General purpose application.
• Switching application.
Features
• Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA) = 0.95(Typ.)
• Low noise : NF = 10dB(Max.)
• Complementary pair with STS9014
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9015 STS9015 TO-92
Outline Dimensions uni
4.4. sts9014.pdf Size:207K _auk
STS9014
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• General purpose application
C
• Switching application
Features
B
• Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) /
hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.)
• Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz
E
• Complementary pair with STS9015
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9014 STS9014 TO-92
A
4.5. sts9018.pdf Size:232K _auk
STS9018
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• High frequency low noise amplifier application
C
• VHF band amplifier application
B
Features
• Low noise figure : NF = 4dB(Max.) at f=100MHz
• High transition frequency fT = 800MHz(Typ.)
E
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9018 STS9018 TO-92
Absolute maximum ratings T
4.6. gsts9014lt1.pdf Size:221K _globaltech_semi
GSTS9014LT1
NPN General Purpose Transistor
Product Description Features
This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V
amplifier and switch. Collector Current : 100mA
Lead(Pb)-Free
Packages & Pin Assignments
SOT-23
Pin Description
1 Base
2 Emitter
3 Collector
Marking Information
P/N Package Rank Part Marking
GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q
Технические характеристики
Транзистор S9013 (ТО-92) имеет такие максимально допустимые технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 О С):
- максимальное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = 40 В;
- наибольшее допустимое напряжение между коллектор-эмиттером VCEO (Uкэ max) = 25 В;
- напряжение между эмиттером и базой максимально возможное VEBO (Uэб max) = 5 В;
- максимально возможный постоянный ток коллектора IC (Iк max) = 500 мА;
- предельно допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе РС (Рк max) = 625 мВт;
- статический коэффициент передачи тока Hfe (H21э) от 64 до 400;
- диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150 О С;
Устройства в корпусе SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания — до 300 мВт. Также стоит отметить, что параметр Uкэ max у современных производителей может немного отличатся на ± 5 В.
Электрические
Теперь перейдем к рассмотрению электрических значений S9013. Они так же приведены с учетом температуры окружающего воздуха до +25 О С. Показатели дополнительных параметров, при которых производителем проводились измерения, представлены отдельным столбцом. Эти данные свойственны всем транзисторам данного вида, не зависимо от типа корпуса.
Классификация
В зависимости от статического коэффициента передачи по току (hfe) при VCE (Uкэ) = 1В и IC (Iк) =50 мА, рассматриваемое устройство подразделяют на семь классов: D (64-91); Е (78-112); F (96-135); G (112-166); H (144-202); I (190-300), J (300-400). Как видно из классификации, максимальным hfe обладают транзисторы S9013I и S9013J. В продаже наиболее чаще встречаются S9013H и S9013G, реже S9013D.
Аналоги
У транзистора S9013 отсутствуют полные аналоги. SS9013, C9013, MMBT9013, KTC9013 не в счёт, так как они фактически тоже самое, просто с другой маркировкой. На наш взгляд эта лучшая альтернатива рассматриваемому устройству. Но если таких нет, то можно использовать в качестве замены другие, например: S8050, 2N3904, 2N4401, BC547, BC337, 2N2222 и т. д.
Наиболее подходящим российским аналогом можно считать КТ530. Однако он имеет другую цоколевку (Э Б К), поэтому будьте внимательны при замене. В таком качестве можно рассмотреть также, незначительно отличающуюся по параметрам, отечественную серию КТ680.
Комплементарная пара
Рекомендуемой комплементарной парой, со структурой p-n-p, для рассматриваемого прибора является транзистор S9012.
Распиновка
Bc547 впервые появился на рынке радиоэлектронных компонентов в апреле 1966 года, благодаря компаниям Philips (Голландия) и Mullard (Великобритания). Это совместная доработка популярного в то время bc107. Он был идентичный по своим техническим характеристикам, но выпускался в отличии от металлического bc107 в пластиковом герметичном корпусе ТО-92. В настоящее время является действующей заменой для более старых BC107 или BC147, которые включены во множество разработок компаний Mullard и Philips.
Цоколевка корпуса ТО-92 (или ТО-226AA) у bc547 имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть на скошенную часть спереди, то назначение этих выводов слева направо: эмиттер, база, коллектор. На рисунке показан базовый внешний вид устройства, который будет немного отличаться в зависимости от конкретной марки, однако характеристики и назначения выводов остаются идентичными.
