Транзистор кт817г

Содержание:

Биполярный транзистор 2SB817D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
2SB817D Datasheet (PDF)
Технические характеристики
2SB817D Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 2SB817D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SB817D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7.5
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO220

2SB817D
Datasheet (PDF)

Даташит d1047 pdf ( datasheet )

4.1. 2sb817c 2sd1047c.pdf Size:445K _update_bjt

Ordering number : ENN6987
2SB817C/2SD1047C
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SB817C/2SD1047C
140V / 12A, AF 80W Output Applications
Features Package Dimensions
• Large current capacitance. unit : mm
• Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A
• Adoption of MBIT process.
[2SB817C/2SD1047C]
15.6
3.2
4.8
14.0
2.0

4.2. 2sb817p 2sd1047p.pdf Size:30K _sanyo

Ordering number : ENN6572
2SB817P / 2SD1047P
2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SB817P / 2SD1047P
140V / 12A, AF80W Output Applications
Features
Package Dimensions
Capable of being mounted easily because of one- unit : mm
point fixing type plastic molded package (Inter-
2022A
changeable with TO-3).
[2SB817P / 2S

4.3. 2sb817.pdf Size:199K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon PNP Power Transistors 2SB817
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Complement to type 2SD1047
APPLICATIONS
·140V/12A AF 60W output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Tc=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

4.4. 2sb817c.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817C
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage-
: V = -2.0V(Max.) @I = -5A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·High Current Capability
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio frequency amplifier output
stage a

4.5. 2sb817.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -140V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·High Current Capability
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD1047
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Recommend for 60W audio frequency amplifier output
stage

4.6. 2sb817e.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817E
DESCRIPTION
·
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -140V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·High Current Capability
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD1047E
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio frequency

Другие транзисторы… 2SB814
, 2SB815
, 2SB815B6
, 2SB815B7
, 2SB816
, 2SB816D
, 2SB816E
, 2SB817
, B772
, 2SB817E
, 2SB818
, 2SB819
, 2SB82
, 2SB820
, 2SB821
, 2SB822
, 2SB823
.

Технические характеристики

C5353 транзистор характеристики

Перейдем к рассмотрению максимально допустимых и электрических характеристик Д814А. Напомним, что самой главной среди них для данного устройства является напряжение стабилизации (U_СТ). Значение именно этого параметра ожидают на выходе электронной схемы с его участием, после подключения к ней в 1.5-2 раза большего питания на входе.

Предельные эксплуатационные значения

Приведем подробный перечень предельных эксплуатационных значений:

рассеиваемая мощность (P_ПР): 340 мВт (Т≤+35ОС); 200 мВт (Т=+100ОС); 100 мВт (Т=+125ОС);
токи стабилизации (I_СТ): минимальный (для начала работы) — от 3 мА; максимальный: 40 мА (Т=+35ОС); 24 мА (Т=+100ОС); 11.5 мА (Т=+120ОС);
прямой постоянный ток (I_ПР) — не более 100 мА;
диапазон рабочих температур (Т) от – 60 до +125 +35ОС.

Как видно физические свойства работающего устройства резко снижаются вместе с повышением температуры воздуха вокруг него. В техописаниях (datasheet) эти данные также отражены на соответствующих графиках.

Разумеется, не стоит обделять вниманием другие данные об устройстве из datasheet. В обязательном порядке, необходимо учитывать величины минимального и максимального тока стабилизации

Так как на его пониженных значениях, изделие просто не будет выполнять своих функций, а при их превышении перегреется и выйдет из строя.

Электрические параметры

Для стабилитрона Д814А номинальное значения тока стабилизации (I_СТ) составляет 5 мА и приводится в разделе электрических параметров datasheet. Представим их основной перечень, при заданной величине (I_СТ =5 мА) и температуре окружающей среды:

напряжение стабилизации (U_СТ): 7…8.5 В (Т=+25ОС); 6…8.5 В (Т=-60ОС); 7…9.5 В (Т=+125ОС);
температурный коэффициент для U_СТ (Т=-60ОС…+125ОС):– не более 0.070%/ОС;
временная нестабильность для U_СТ: ±1%;
отклонение U_СТ через 5 с момента включения и в течении 10 с: не более 170 мВ;
постоянное прямое напряжение (U_ПР)до 1 В (при I_ПР=50 мА, Т=-60ОС…+125ОС);
обратный ток до 0.1 мкА (при U_ОБР = 1 В );
дифференциальное сопротивление (R_Д): до 6 Ом (Т=+25ОС); до 15 Ом (Т=-60ОС…+125ОС).

Аналоги

Отечественных и зарубежных аналогов для Д814А, особенно в корпусе КТ-8, не существует. При этом стоит отметить, что их оригинал до сих пор не сложно найти в продаже на российских прилавках радиотоваров. Вместе с тем, для некоторых схем в качестве возможной замены можно рекомендовать следующие импортные стабилитроны: 1N5236, BZX55C8V2. Но они имеют другое корпусное исполнение DO-35.