Транзистор кт802а

Содержание:

Технические характеристики
MJE802 Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор MJE802 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
MJE802 Datasheet (PDF)

Технические характеристики

В 70-х годах, с ростом советской промышленности, появляются кремниевые мезапланарные переключательные NPN-транзисторы повышенной мощности

Важной особенностью таких устройств были повышенные характеристики предельно допустимых параметров

Максимальные

Предельно допустимые эксплуатационные характеристики КТ808 были достаточно высокими для того времени. Эти устройства обладали хорошим статическим коэффициентом усиления по току (h21е) – от 10 до 50. Имели увеличенное быстродействие: время включения-выключения составляло от 0.1 до 0.3 мкс, а рассасывания (Ts) от 0.75 до 3 мкс. Приведем другие основные параметры:

максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения сопротивление перехода база – эмиттер R_БЭ = 10 Ом, температура кристалла не более 100 ОС) – 100…120 В.
предельное импульсное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения U_бэ = 2 В или R_бэ = 10 Ом, t_u < 500 мкс t_ф > 30 мкс, Q > 7, Т_п < +100 ОС) – до 250 В.
наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой – до 4 В.
предельно допустимый постоянный ток коллектора – до 10 А.
наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре корпуса от -60 ОС до + 50ОС) с теплоотводом – 50 Вт, и без него – 5 Вт.
максимальная температура кристалла до + 150 ОС.
рабочая температура окружающей среды от- 60 до +100 ОС.
вес устройства с фланцем — не более 34 гр.

Электрические

Далее приведем значения электрических значений у КТ808A. Производитель приводит эти данные для температуры окружающей среды не более +25 ОС. Условия, при которых проводилась проверка, представлены в дополнительных пояснениях к наименованиям параметров.

Аналоги

У старичка КТ808A есть современный аналог 2T808А. Он представлен во всех спецификациях российского предприятии АО «Научно производственное предприятие «Завод Искра», как усилительный транзистор специального назначения. КТ808АМ, КТ808А3 тоже являются полными аналогами этого отечественного производителя, но имеют другой корпус КТ-9. Других полноценных замен у данного прибора не существует. Встречаются конечно достаточно редкие 2Т808Б и КТ808АТ, но они были выпущены ограниченными партиями и даже сейчас их сложно найти в продаже.

Как можно заметить, замену сильно усложняет нестандартный корпус КТЮ-3-20, который никогда не производился за рубежом. Несмотря на это некоторые умельцы находят возможность подмены в ближайших по характеристикам: КТ808БМ, КТ808Б3, 2Т819 (КТ819), 2Т827 (КТ827), 2Т908 (КТ908), 2Т945 (КТ945).

В зависимости от типа схемы можно рассмотреть и зарубежные варианты: BDY47, 2N3055, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N5427, 2N5429, 2SD201, 2SD202, 2SD203, KU606, 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619, KD602, BUY55, KU606, 2SD867. Все они оснащены другими типами корпусов ТО-3 или ТО-66, поэтому перед заменой необходимо продумывать способ монтажа и охлаждения.

Комплементарная пара

У транзистора КТ808А отсутствует комплементарная пара. У самых первых «Бриг-001» в выходном каскаде усиления, в пару для КТ808АМ подбирали почти идентичный КТ808БМ. Такая конструкция обеспечивала хорошее усиление, но как оказалось имела и свои минусы, влияющие на качество звука. В последующем они были устранены с помощью комплементарных между собой КТ818ГМ и КТ819ГМ, что позволило значительно улучшить звучание указанных Hi-Fi-устройств.

MJE802 Datasheet (PDF)

D2058 транзистор характеристики

1.1. mje802g.pdf Size:126K _update

MJE700, MJE702, MJE703
(PNP) — MJE800, MJE802,
MJE803 (NPN)
Plastic Darlington
Complementary Silicon
http://onsemi.com
Power Transistors
These devices are designed for general-purpose amplifier and
4.0 AMPERE
low-speed switching applications.
DARLINGTON POWER
Features
TRANSISTORS
• High DC Current Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC COMPLEMENTARY SILICON
= 2.0 Adc
40 WATT
• Monolit

1.2. mje802-mje803.pdf Size:64K _st

MJE802
MJE803
SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
DESCRIPTION
The MJE802 and MJE803 are silicon
epitaxial-base NPN transistors in monolithic
Darlington configuration and are mounted in
Jedec SOT-32 plastic package.They are intended
for use in medium power linear and switching
applications.
1
2
3
SOT-32
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXI

1.3. mje802.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJE802
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Breakdown Voltage—
: V = 80 V
(BR)CEO
·DC Current Gain—
: h = 750(Min) @ I = 1.5A
FE C
= 100(Min) @ I = 4A
C
·Complement to Type MJE702
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general-purpose amplifier and low-speed
sw

1.4. mje802t.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJE802T
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Breakdown Voltage—
: V = 80 V
(BR)CEO
·DC Current Gain—
: h = 750(Min) @ I = 1.5A
FE C
= 100(Min) @ I = 4A
C
·Complement to Type MJE702T
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general-purpose amplifier and low-speed

1.5. mje800 mje801 mje802 mje803.pdf Size:118K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors MJE800/801/802/803
DESCRIPTION ·
·With TO-126 package
·Complement to type MJE700/701/702/703
·High DC current gain
·DARLINGTON
APPLICATIONS
·Designed for general–purpose amplifier
and low–speed switching applications
PINNING (see Fig.2)
PIN DESCRIPTION
1 Emitter
Collector;connected to

Биполярный транзистор MJE802 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

C5353 транзистор характеристики

Наименование производителя: MJE802

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Корпус транзистора: TO126

MJE802
Datasheet (PDF)

Транзистор bd140

1.1. mje802g.pdf Size:126K _update

1.2. mje802-mje803.pdf Size:64K _st

1.3. mje802.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

1.4. mje802t.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

1.5. mje800 mje801 mje802 mje803.pdf Size:118K _inchange_semiconductor

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.