Транзистор tip122

Содержание:

CZT127 Datasheet (PDF)
Технические характеристики
- Электрические
TIP127FP Datasheet (PDF)
TIP120 Datasheet (PDF)
TIP127L Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор MJD127 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
MJD127 Datasheet (PDF)
TIP122FP Datasheet (PDF)
TIP127 Datasheet (PDF)
Примеры использования
- Усилитель низкой частоты
- Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора

CZT127 Datasheet (PDF)

1.1. czt122 czt127.pdf Size:597K _central

CZT122 NPN
CZT127 PNP
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
COMPLEMENTARY SILICON
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT122, CZT127
POWER DARLINGTON TRANSISTORS
types are Complementary Silicon Power Darlington
Transistors manufactured in a surface mount package
designed for low speed switching and amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE
MAX

1.2. czt127.pdf Size:188K _lge

CZT127
SOT-223 Transistor(PNP)
1. BASE
SOT-223
2. COLLECTOR
1
3. EMITTER
Features
Complementary to CZT122
Silicon Power Darlington Transistors
Low speed switching and amplifier applications
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -100 V
Dimensions in inches and (milli

1.3. czt127.pdf Size:300K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
CZT127 (KZT127)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
■ Features
4
● Silicon Power Darlington Transistors
● Low speed switching and amplifier applications
● Complementary to CZT122
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Paramete

Технические характеристики

C5353 транзистор характеристики

Приведем технические характеристики на транзистор TIP122. Основными для данного устройства считаются:

Предельное напряжение между коллектором и эмиттером — 100 В;
Максимальное напряжение между коллектором и базой — 100 В;
Допустимое напряжение между эмиттером и базой — 5 В;
Рассеиваемая мощность до 65 Вт;
Коэффициент усиления по току (hfe) от 1000;
Максимальный ток коллектора — 8 А;
Диапазон рабочих температур -65…+160 С, у кристалла до 150 С.

Электрические

При проектировании схем с транзистором TIP122 нужно учитывать, что прибор не должен работать в условиях, превышающих рекомендуемые производителем. Длительное воздействие напряжений, выше этих значений, может отрицательно сказаться на работоспособности устройства. Ниже, в таблице, приведены его электрические параметры для температуры 25 С.

Обязательно обращайте внимание на температурные показатели

TIP127FP Datasheet (PDF)

D2058 транзистор характеристики

1.1. tip122fp tip127fp.pdf Size:270K _update

TIP122FP
TIP127FP

COMPLEMENTARY SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.
COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
DESCRIPTION
The TIP122FP is a silicon Epitaxial-Base NPN
power transistor in monolithic Darlington
configuration mounted in Jedec TO-220FP fully
3
2
molded isolated package. It is intented for use in
1
pow

3.1. tip127f 3ca127f.pdf Size:260K _update

TIP127F(3CA127F) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于中功率线性开关放大。
Purpose: Medium power linear switching applications.
特点:与 TIP122F(3DA122F)互补。
Features: Complement to TIP122F(3DA122F).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号数值单位
Symbol Rating Unit
V -100 V
CBO
V -100 V
CEO
V -5.0 V

4.1. tip127 3ca127.pdf Size:212K _update

TIP127(3CA127) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于中功率线性开关放大。
Purpose: Medium power linear switching applications.
特点:与 TIP122(3DA122)互补。
Features: Complement to TIP122(3DA122).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号数值单位
Symbol Rating Unit
V -100 V
CBO
V -100 V
CEO
V -5.0 V
EBO

4.2. tip125 tip126 tip127.pdf Size:219K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
TIP125/126/127
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
Silicon PNP
The complementary NPN types are the TIP121/2/3 respectively
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Darlington
Epoxy meets UL 94

4.3. tip127.pdf Size:21K _utc

UTC TIP127 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC TIP127 is a PNP epitaxial transistor, designed
for use in general purpose amplifier low-speed switching
applications.
B
C
E
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)
PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Storage Temperature Ts -55 ~ +150 C
Junction Temperature Tj 150 C
Total Power Dissipation PD 65 W
Col

4.4. tip127.pdf Size:70K _kec

SEMICONDUCTOR TIP127
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
SWITCHING APPLICATIONS.
HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER A
R
APPLICATIONS.
S
FEATURES P
D
High DC Current Gain : hFE=1000(Min.) at VCE=-3V, IC=-3A. DIM MILLIMETERS
A 10.30 MAX
High Collector Breakdown Voltage : VCEO=-120V(Min.)
B 15.30 MAX
C 0.80
_
+
D Φ3.60 0.20
T
E 3.00
F 6.70 MAX
_
G 13.60 + 0.50

4.5. tip127.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP127
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = -3A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = -100V(Min)
CEO(SUS)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = -2.0V(Max)@ I = -3A
CE(sat) C
= -4.0V(Max)@ I = -5A
C
·Complement to Type TIP122
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and r

4.6. htip127.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE6713
HI-SINCERITY
Issued Date : 1993.01.13
Revised Date : 2004.11.19
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HTIP127
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
TO-220
The HTIP127 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed
switching applications.
Darlington Schematic
C
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C)
B
• Maximum Temperatures
Storage Temperatu

4.7. tip127l.pdf Size:378K _blue-rocket-elect

TIP127L(BR3DA127LQ)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-126 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a TO-126 Plastic Package.
特征 / Features
与 TIP122L(BR3DA122LQ)互补。
Complement to TIP122L(BR3DA122LQ).
用途 / Applications
用于中功率线性开关放大。
Medium power linear switching applications.
内部等效电路 / E

4.8. tip122-tip127 to220.pdf Size:102K _first_silicon

TIP120,121,122
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
TIP125,126,127
TIP120,121,122 Darlington TRANSISTOR (NPN)
TO-220
TIP125,126,127 Darlington TRANSISTOR (PNP)
1.BASE
2.COLLECTOR
FEATURES
Medium Power Complementary silicon transistors
3.EMITTER
MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)
Symbol Parameter TIP120 TIP121 TIP122 Units
TIP125 TIP126 TIP127
VCBO Collector-Base Vol

4.9. tip127.pdf Size:689K _kexin

DIP Type Transistors
PNP Darlington Transistors
TIP127 (KIP127)
TO-220
10.16 ± 0.20 ø3.18 ± 0.10 2.54 ± 0.20
(0.70)
■ Features
(1.00×45 )
● Collector Current Capability IC=-5A
● Collector Emitter Voltage VCEO=-100V
● Medium Power Complementary Silicon Transistors
MAX1.47
0.80 ± 0.10
1 2
3
#1
0.35 ± 0.10 +0.10
0.50 –0.05 2.76 ± 0.20
2.54TYP 2.54TYP
[2.54 ±

TIP120 Datasheet (PDF)

Транзистор bd140

1.1. tip120re.pdf Size:251K _motorola

Order this document
MOTOROLA
by TIP120/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Plastic Medium-Power
NPN
TIP120*
Complementary Silicon Transistors
. . . designed for generalpurpose amplifier and lowspeed switching applications.
TIP121*
High DC Current Gain
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
CollectorEmitter Sustaining Voltage @ 100 mAdc
TIP122*
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) TIP120, TIP125

1.2. tip120.pdf Size:53K _samsung

NPN EPITAXIAL
TIP120/121/122 DARLINGTON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LINEAR
TO-220
SWITCHING APPLICATIONS
Complementary to TIP125/126/127
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 60 V
: TIP120
80 V
: TIP121
100 V
: TIP122
Collector-Emitter Voltage VCEO
: TIP120
60 V
: TIP121
80 V
: TIP122
VEBO 100 V
1.Base 2.Collector 3.Emitter

1.3. tip120 to-220.pdf Size:521K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
TIP120
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
Low collector-emitter saturation voltage
NPN Epitaxial
Amplifier applications-emitter shunt resistors
TO-220 compact package
Darlington Transistors
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates

1.4. tip120 tip121 tip122.pdf Size:66K _texas

IMPORTANT NOTICE
Texas Instruments (TI) reserves the right to make changes to its products or to discontinue any semiconductor
product or service without notice, and advises its customers to obtain the latest version of relevant information
to verify, before placing orders, that the information being relied on is current.
TI warrants performance of its semiconductor products and related soft

1.5. tip120-127.pdf Size:315K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
PLASTIC POWER TRANSISTORS TIP120 TIP125
TIP121 TIP126
TIP122 TIP127
NPN PNP
TO-220
Plastic Package
High Power Switching, Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Drive Applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION TIP120/125 TIP121/126 TIP122/127 UNIT
VCEO
Collector Emitter Voltag

1.6. tip120 121 122.pdf Size:172K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Darlington Power Transistors
DESCRIPTION Ў¤ With TO-220C package Ў¤ DARLINGTON Ў¤ High DC current gain Ў¤ Low collector saturation voltage Ў¤ Complement to type TIP125/126/127 APPLICATIONS Ў¤ Designed for generalpurpose amplifier and lowspeed switching applications.
PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounti

1.7. tip120.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP120
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 3A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V(Min)
CEO(SUS)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 2.0V(Max)@ I = 3A
CE(sat) C
= 4.0V(Max)@ I = 5A
C
·Complement to Type TIP125
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable

1.8. tip120-127.pdf Size:231K _lge

TIP120-TIP127
TO-220 Darlington Transistor
TO-220
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
3
2
1
Features
TIP120,121,122 Darlington TRANSISTOR (NPN)

TIP125,126,127 Darlington TRANSISTOR (PNP)
Medium Power Complementary silicon transistors
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter TIP120 TIP121 TIP122 Units
TIP125 TI

1.9. tip120-21-22-25-26-27.pdf Size:737K _wietron

TIP120 Series
PNP/NPN Silicon Power Transistor
P b Lead(Pb)-Free
1
2
FEATURES:
3
* Medium Power Complementary silicon transistors
1. BASE
2. COLLECTOR
* TIP120,121,122 Darlington TRANSISTOR (NPN)
3. EMITTER
* TIP125,126,127 Darlington TRANSISTOR (PNP) TO-220
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
TIP122
TIP120 TIP121
Parameter
Symbol
Units
TIP125 TIP126 TIP127
VCBO

1.10. tip120.pdf Size:674K _kexin

DIP Type Transistors
NPN Darlington Transistors
TIP120 (KIP120)
TO-220
10.16 ± 0.20 ø3.18 ± 0.10 2.54 ± 0.20
(0.70)
■ Features
(1.00×45 )
● Collector Current Capability IC=5A
● Collector Emitter Voltage VCEO=60 V
● Medium Power Complementary Silicon Transistors
MAX1.47
0.80 ± 0.10
1 2
3
#1
0.35 ± 0.10 +0.10
0.50 –0.05 2.76 ± 0.20
2.54TYP 2.54TYP
[2.54 ± 0

TIP127L Datasheet (PDF)

1.1. tip127l.pdf Size:378K _blue-rocket-elect

4.1. tip122fp tip127fp.pdf Size:270K _update

TIP122FP
TIP127FP

4.2. tip127 3ca127.pdf Size:212K _update

4.3. tip127f 3ca127f.pdf Size:260K _update

4.4. tip125 tip126 tip127.pdf Size:219K _mcc

4.5. tip127.pdf Size:21K _utc

4.6. tip127.pdf Size:70K _kec

4.7. tip127.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

4.8. htip127.pdf Size:50K _hsmc

4.9. tip122-tip127 to220.pdf Size:102K _first_silicon

4.10. tip127.pdf Size:689K _kexin

Биполярный транзистор MJD127 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJD127

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6000

Корпус транзистора: TO251

MJD127
Datasheet (PDF)

1.1. mjd127t4g.pdf Size:205K _upd

MJD122,
NJVMJD122T4G (NPN),
MJD127 (PNP)
Complementary Darlington
Power Transistor
http://onsemi.com
DPAK For Surface Mount Applications
SILICON
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
POWER TRANSISTOR
applications.
8 AMPERES
100 VOLTS, 20 WATTS
Features
 Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
 Surface Mount Replacements for 2N

1.2. mjd127g.pdf Size:205K _upd

1.3. mjd122re mjd127.pdf Size:284K _motorola

Order this document
MOTOROLA
by MJD122/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
*
MJD122
Complementary Darlington
PNP
MJD127*
Power Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
*Motorola Preferred Device
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
SILICON
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
POWER TRANSISTORS
S

1.4. mjd122 mjd127.pdf Size:93K _st

MJD122
MJD127
COMPLEMENTARY SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR- EMITTER DIODE
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX T4)
3
ELECTRICAL SIMILAR TO TIP122 AND
TIP127
1
APPLICATIONS
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
DPAK
AMPLIFIER.
TO-252
(Suffix T4)

1.5. njvmjd122 njvmjd127.pdf Size:142K _onsemi

MJD122, NJVMJD122
(NPN), MJD127,
NJVMJD127 (PNP)
Complementary Darlington
Power Transistor
http://onsemi.com
DPAK For Surface Mount Applications
SILICON
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
POWER TRANSISTOR
applications.
8 AMPERES
100 VOLTS, 20 WATTS
Features
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
• Surface Mount Replacements

1.6. mjd127.pdf Size:201K _lge

MJD127(NPN)
TO-251/TO-252-2L Transistor
TO-251
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1 2 3
Features

High DC current gain

Electrically similar to popular TIP127
Built-in a damper diode at E-C
TO-252-2L
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -100 V
VEBO Emitter-Base V

Другие транзисторы… MJD112-1
, MJD112T4
, MJD117
, MJD117-1
, MJD117T4
, MJD122
, MJD122-1
, MJD122T4
, BEL187
, MJD127-1
, MJD127T4
, MJD13003
, MJD148
, MJD200
, MJD200-1
, MJD210
, MJD210-1
.

TIP122FP Datasheet (PDF)

1.1. tip122fp tip127fp.pdf Size:270K _update

TIP122FP
TIP127FP

1.2. tip122fp.pdf Size:217K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP122FP
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 3A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 100V(Min)
CEO(SUS)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 2.0V(Max)@ I = 3A
CE(sat) C
= 4.0V(Max)@ I = 5A
C
·Complement to Type TIP127FP
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and rel

3.1. tip122f 127f.pdf Size:94K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP122F NPN
TIP127F PNP
TO-220FP
B
C
E
Designed for General-Purpose Amplifier and Low-Speed Switching Applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Collector -Base Voltage VCBO 100 V
Collector -Emitter Voltage VCEO

TIP127 Datasheet (PDF)

1.1. tip122fp tip127fp.pdf Size:270K _update

TIP122FP
TIP127FP

1.2. tip127 3ca127.pdf Size:212K _update

1.3. tip127f 3ca127f.pdf Size:260K _update

1.4. tip125 tip126 tip127.pdf Size:219K _mcc

1.5. tip127.pdf Size:21K _utc

1.6. tip127.pdf Size:70K _kec

1.7. tip127.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

1.8. htip127.pdf Size:50K _hsmc

1.9. tip127l.pdf Size:378K _blue-rocket-elect

1.10. tip122-tip127 to220.pdf Size:102K _first_silicon

1.11. tip127.pdf Size:689K _kexin

Примеры использования

Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.

Усилитель низкой частоты

Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.

Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора

Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.

Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.

В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.