Усилители класса d: irs20957s, irs2092s, tda8954th
Содержание:
Биполярный транзистор 2SD2058O — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD2058O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO220F
2SD2058O
Datasheet (PDF)
1.1. 2sd2058g 2sd2058o 2sd2058y.pdf Size:290K _update_bjt
www.DataSheet4U.com
SavantIC Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD2058
DESCRIPTION
·With TO-220F package
·Complement to type 2SB1366
·Low collector saturation voltage:
VCE(SAT)=1.0V(Max) at IC=2A,IB=0.2A
·Collector power dissipation:
PC=25W(TC=25ı)
APPLICATIONS
·With general purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Co
3.1. 2sc3882s 2sc4368 2sc4369 2sc4371 2sc4377 2sd1351a 2sd2058a bf599 bfq31 bfs20 bu508a bu806 buv48a buv48c kta1242 kta940.pdf Size:495K _update_bjt
3.2. 2sd2058.pdf Size:194K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2058
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 60V (Min)
(BR)CEO
·Collector Power Dissipation
: P = 25 W(Max)
C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNI
Другие транзисторы… 2SD2050
, 2SD2051
, 2SD2052
, 2SD2053
, 2SD2054
, 2SD2055
, 2SD2056
, 2SD2057
, D882
, 2SD2059
, 2SD206
, 2SD2060
, 2SD2061
, 2SD2062
, 2SD2063
, 2SD2064
, 2SD2065
.
2SD2095 Datasheet (PDF)
1.1. 2sd2095.pdf Size:39K _no
1.2. 2sd2095.pdf Size:38K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD2095
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE MAX
1.3. 2sd2095.pdf Size:198K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2095
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
：V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VA
Биполярный транзистор 2SD2095 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD2095
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15000
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 105
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: ISO220
2SD2095
Datasheet (PDF)
1.1. 2sd2095.pdf Size:39K _no
1.2. 2sd2095.pdf Size:38K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD2095
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE MAX
1.3. 2sd2095.pdf Size:198K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2095
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
：V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VA
Другие транзисторы… 2SD2082
, 2SD2083
, 2SD2088
, 2SD2089
, 2SD208A
, 2SD2092
, 2SD2093
, 2SD2094
, , 2SD2097
, 2SD2098Q
, 2SD2098R
, 2SD2098S
, 2SD2099
, 2SD21
, 2SD2100
, 2SD2101
.
