Asus eee pc 1015pem

H1015 Datasheet (PDF)

1.1. buh1015.pdf Size:104K _st

BUH1015
BUH1015HI
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
VERY HIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR
TV AND MONITORS
DESCRIPTION 3 3
2 2
The BUH1015and BUH1015HI are manufactured
1
1
using Multiepitaxial Mesa technology for
cost-effective high performance and uses a
TO-218 ISOWATT21

1.2. buh1015hi.pdf Size:118K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors BUH1015HI
DESCRIPTION
·With TO-3PML package.
·High voltage.
·High switching speed.
APPLICATIONS
·Horizontal deflection for colour TV
and monitors.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol
3 Emitter
Absolute maxi

 1.3. buh1015.pdf Size:121K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors BUH1015
DESCRIPTION
·With TO-3PN package.
·High voltage.
·High switching speed.
APPLICATIONS
·Horizontal deflection for colour TV
and monitors.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum

1.4. h1015.pdf Size:104K _shantou-huashan

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H1015
█ AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER
HIGH FREQUENCY OSC
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-92
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation…………………

Биполярный транзистор A1015LT1 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: A1015LT1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130

Корпус транзистора: SOT23

A1015LT1
Datasheet (PDF)

1.1. 2sa1015lt1.pdf Size:145K _update

 SEMICONDUCTOR 2SA1015LT1
Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SC1815
* Collector Current : Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo -60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo -50 V
PIN: 1 2 3
Emitter-Base Voltage Vebo -5 V

1.2. a1015lt1.pdf Size:166K _wietron

A1015LT1
A1015LT1 TRANSISTOR (PNP)
* “G” Lead(Pb)-Free
SOT-23
1. BASE
FEATURES
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Power dissipation
PCM: 0.2 W (Tamb=25 )
2. 4
Collector current
1. 3
ICM: -0.15 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: -50 V
Operating and storage junction temperature range
Unit: mm
TJ, Tstg: -55 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless oth

 1.3. 2sa1015lt1.pdf Size:145K _china

 SEMICONDUCTOR 2SA1015LT1
Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SC1815
* Collector Current : Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo -60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo -50 V
PIN: 1 2 3
Emitter-Base Voltage Vebo -5 V

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Биполярный транзистор H1015 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: H1015

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: TO92

H1015
Datasheet (PDF)

1.1. buh1015.pdf Size:104K _st

BUH1015
BUH1015HI
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
VERY HIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR
TV AND MONITORS
DESCRIPTION 3 3
2 2
The BUH1015and BUH1015HI are manufactured
1
1
using Multiepitaxial Mesa technology for
cost-effective high performance and uses a
TO-218 ISOWATT21

1.2. buh1015hi.pdf Size:118K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors BUH1015HI
DESCRIPTION
·With TO-3PML package.
·High voltage.
·High switching speed.
APPLICATIONS
·Horizontal deflection for colour TV
and monitors.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol
3 Emitter
Absolute maxi

 1.3. buh1015.pdf Size:121K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors BUH1015
DESCRIPTION
·With TO-3PN package.
·High voltage.
·High switching speed.
APPLICATIONS
·Horizontal deflection for colour TV
and monitors.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum

1.4. h1015.pdf Size:104K _shantou-huashan

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H1015
█ AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER
HIGH FREQUENCY OSC
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-92
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation…………………

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Биполярный транзистор MMBT1015 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MMBT1015

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: SOT-23, SOT-113, SOT-323, SOT-523, SOT-723

MMBT1015
Datasheet (PDF)

1.1. mmbt1015-h.pdf Size:206K _upd

MCC
MMBT1015-L
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
MMBT1015-H

Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information) PNP EPITAXIAL
• Collector-Emitter Voltage: BVCEO=-50V
• Collector current

1.2. mmbt1015-l.pdf Size:206K _upd

MCC
MMBT1015-L
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
MMBT1015-H

Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information) PNP EPITAXIAL
• Collector-Emitter Voltage: BVCEO=-50V
• Collector current

 1.3. mmbt1015.pdf Size:209K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT1015 PNP SILICON TRANSISTOR
LOW FREQUENCY PNP
AMPLIFIER TRANSISTOR
? FEATURES
* Collector-Emitter Voltage: BVCEO=-50V
* Collector current up to 150mA
* High hFE linearity
* Complement to MMBT1815
? ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
MMBT1015L-x-AC3-R MMBT1015G-x-AC3-R SOT-113 E

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2SA1015LT1 Datasheet (PDF)

1.1. 2sa1015lt1.pdf Size:145K _update

 SEMICONDUCTOR 2SA1015LT1
Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SC1815
* Collector Current : Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo -60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo -50 V
PIN: 1 2 3
Emitter-Base Voltage Vebo -5 V

1.2. 2sa1015lt1.pdf Size:145K _china

 SEMICONDUCTOR 2SA1015LT1
Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Complement to 2SC1815
* Collector Current : Ic=150mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo -60 V
Collector-Emitter Voltage Vceo -50 V
PIN: 1 2 3
Emitter-Base Voltage Vebo -5 V

 2.1. 2sa1015l.pdf Size:228K _toshiba

2SA1015(L)
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1015(L)
Audio Frequency Amplifier Applications
Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications
• High voltage and high current: VCEO = -50 V (min),
I = -150 mA (max)
C
• Excellent h linearity: h (2) = 80 (typ.) at V = -6 V, I = -150 mA
FE FE CE C
: hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.)
•

Биполярный транзистор 2SB1015Y — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SB1015Y

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO220

2SB1015Y
Datasheet (PDF)

3.1. 2sb1015.pdf Size:148K _toshiba



3.2. 2sb1015a.pdf Size:166K _toshiba

2SB1015A
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SB1015A
Audio Frequency Power Amplifier Applications
Unit: mm
• Low collector saturation voltage: VCE (sat) = -1.7 V (max)
(I = -3 A, I = -0.3 A)
C B
• Collector power dissipation: P = 25 W (Tc = 25°C)
C
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO -60

 3.3. 2sb1015.pdf Size:204K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon PNP Power Transistors 2SB1015
DESCRIPTION ·
·With TO-220Fa package
·Collector power dissipation
:PC=25W@TC=25?
·Low collector saturation voltage
·Complement to type 2SD1406
APPLICATIONS
·For audio frequency power amplifier
applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Emitter
2 Collector
3 Base
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBO

3.4. 2sb1015.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1015
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage-
: V = -1.7 V(Max)@I = -3A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·Complement to Type 2SD1406
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL P

Другие транзисторы… 2SB1010
, 2SB1011
, 2SB1012
, 2SB1012K
, 2SB1013
, 2SB1014
, 2SB1015
, 2SB1015O
, TIP31
, 2SB1016
, 2SB1016O
, 2SB1016R
, 2SB1016Y
, 2SB1017
, 2SB1017O
, 2SB1017R
, 2SB1017Y
.

2SA1015-GR Datasheet (PDF)

1.1. 2sa1015-gr.pdf Size:504K _update

2SA1015-O
MCC
Micro Commercial Components
TM
2SA1015-Y
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
2SA1015-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 0.15A
• Collector-base Voltage 50V
Plastic-Encapsulate
• Operating and storage junction temperature range: —

2.1. 2sa1015-y.pdf Size:504K _update

2SA1015-O
MCC
Micro Commercial Components
TM
2SA1015-Y
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
2SA1015-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 0.15A
• Collector-base Voltage 50V
Plastic-Encapsulate
• Operating and storage junction temperature range: —

2.2. 2sa1015-o.pdf Size:504K _update

2SA1015-O
MCC
Micro Commercial Components
TM
2SA1015-Y
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
2SA1015-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 0.15A
• Collector-base Voltage 50V
Plastic-Encapsulate
• Operating and storage junction temperature range: —