Транзистор 13001

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

физические:

• биполярный транзистор;
• корпус ТО-220, ТО-3PN;
• материал корпуса  – пластик;
• кристалл — кремний (Si);

электрические (допустимые):

• проводимость – NPN;
• U_{КЭ макс} (V_CEmax) до 400 В (V);
• U_КЭВ (V_CEV) 700 В (V), при U_БЭ(V_BE) = -1.5 В (V);
• U_{ЭБ макс} (V_{ЕВ max}) до 9 В (V);
• I_K(I_C) 12 А, I_{K макс} (I_Cmax) до 24 А;
• I_Б. (I_B) 6А, импульсный пиковый I_{Б пик.} (I_Bmax) до 12 А, при t_p≤10 мc (ms);
• I_Э (I_E) 18А, импульсный пиковый  I_{Э пик.} (I_Emax) до 36 А, при t_p≤10 мc (ms);
• P (P_tod)= 100 Вт (W), при Tc ≤ 25°C и использовании радиатора;
• F_{Гр мин.}(f_tMIN) 4 МГц (MHz), при U _КЭ  (V_CE ) =10 В (V), I_K (I_{c )}= 0,5 А;
• U_КЭ.раб.(V_CEOsus) 400 В (V), при I_C (I_К) = 10 мA(mA), I_Б (I_B)=  0;
• I_КЭВ (I_CEV) 1 мА (mA) при U_КЭВ(V_CEV) = 700 В (V), до 5 мА (mA) при повышении T_раб (T_amb) до 150 °C;
• I_ЭБО (I _EBO) ≤1 мА (mA), при U _EБ (V_EB ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0);
• выходная емкость C_22б (C_ob) = 180 пФ (pF);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_BEsat):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_BE sat):

коммутационные характеристики (при U_КЭ =120 В, I_K =8 A, I_{Б вкл}=1.6А, I_{Б выкл.}= -1.6А):

• время задержки t_зад (t_d) = 0.1 мкс (µs);
• время включения t_вкл (t_on) = 1.1 мкс (µs);
• время спада t_сп (t_f)  = 0.7 мкс (µs);
• время рассасывания t_РАС (t_s) = 3 мкс (µs);

тепловые:

• Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу R_θJC = 1.26 °C/W (°C/Вт);
• Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде R_θCA= 62.5 °C/W (°C/Вт);
• Общее тепловое сопротивление R_θJA= 100 °C/W (°C/Вт);
• T_{перехода}(T_j) ≤ + 150 °C;
• T_хран.(T_str) от — 65 до + 150 °C;
• T_раб.(T_amb) от — 65 до + 150 °C;
• T_пайки (T_L) до 275 °C.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009  находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Технические характеристики

Максимально допустимые предельные характеристики транзистора 2N3906, все известные производители, указывают в самом начале технического описания. Они рассчитаны для температуры окружающей среды до +25ОС. Не допускается превышение значений этих параметров:

• напряжение между коллектором и базой максимальное V_CBO (U_{кб max}) = — 40 В;
• напряжение между коллектором и эмиттером предельно допустимое V_CEO (U_{кэ max}) = -40 В;
• напряжение между эмиттером и базой максимально возможное V_EBO (U_{эб max}) = -5 В;
• предельно допустимый постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = -100 мА;
• кратковременный ток коллектора максимальный I_CP (I_{к пик} ) = -200 мА;
• предельно возможная мощность Р_С (Р_{к max}) = 500 мВт;
• температура: кристалла T_J (T_К) до 150 оС; хранения  T_STG  (T_ХР.); возможная рабочая T_AMB (T_РАБ.) — 55 … 150 оС.

Электрические

Рассмотрим электрические параметры которые указываются в даташит в отдельной сводной таблице, как правило, после максимально допустимых. Представлены вместе с дополнительными условиями проверки, выделенными в отдельном столбце и температуре окружающей среды не более +25ОС.

Аналоги

Существуют транзисторы, которые полностью аналоги 2N3906. Они похожи как по расположению выводов, так и по функциональным характеристикам с рассматриваемым: 2N2907, 2N3638, 2N3905, 2N3906RA, 2N4125, 2N4248, 2N4249, 2N4403, BC307, BC327, MPS3638, MPS3906, MPS6517, MPS6562, MPSA56.

Среди зарубежных транзисторов можно также можно найти похожие. Они имеют такой же корпус, но немного отличаются по своим в характеристиках. Такими ближайшими аналогами являются: 2N2906, MPSA70. А среди российских изделий, очень похожими на рассматриваемый, можно назвать: КТ313Б, КТ361Г, КТ6136А.

В качестве комплементарной пары все производители советуют использовать 2N3903 и 2N3904.

Замена и эквиваленты

Бывает, что вышедший из строя компонент уже не продается. Поэтому радиолюбители подбирают транзистор, который похож по своим техническим характеристикам на неисправный или ищут его аналог. Для поиска аналогов используют информацию из даташит на устройство и приведенные в нем технические характеристики.

Полные аналоги с d1555 по корпусу, его распиновке и техническому описанию, имеют следующие импортные транзисторы: 2SC42943; 2SC4744; BU508D; D1651; D2095; D2195; ECG2331. Можно подобрать  похожий по характеристикам, например d5703, как показано на видео ниже о подборе строчника.

Подходящей замены из отечественных устройств для данного импульсника нет. Некоторые умельцы используют в качестве альтернативы, на отдельных вариантах схем, советский КТ838А. Это очень сомнительное решение, вместе с которым надо учесть отсутствие у этого него защитного диода, резистора и при этом наличие большого металлического корпуса.

Биполярный транзистор L9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO-92

L9014
Datasheet (PDF)

1.1. l9014.pdf Size:127K _upd

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
NPN Epitaxial Silicon
L9014
Transistor
Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
• High total power dissipation. (PT=450mW)
• High hFE and good linearity
• Complementary to L9015
TO-92
1
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Ratings Units
VCBO Collector-Base Voltage 50 V
VCEO Collecto

1.2. sihfl9014.pdf Size:169K _upd-mosfet

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) — 60
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = — 10 V 0.50
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 12
• Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 3.8
• Repetitive Avalanche Rated
• P-Channel
Qgd (nC) 5.1
• Fast Switching
Configuration Single

 1.3. irfl9014.pdf Size:222K _international_rectifier

PD — 90863A
IRFL9014
HEXFET Power MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel D
VDSS = -60V
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
P-Channel
RDS(on) = 0.50?
Fast Switching
G
Ease of Paralleling
ID = -1.8A
S
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
switching, ruggedized device design

1.4. irfl9014pbf.pdf Size:256K _international_rectifier

PD — 95153
IRFL9014PbF
HEXFET Power MOSFET
l Surface Mount
l Available in Tape & Reel D
VDSS = -60V
l Dynamic dv/dt Rating
l Repetitive Avalanche Rated
l P-Channel
RDS(on) = 0.50?
l Fast Switching
G
l Ease of Paralleling
l Lead-Free
ID = -1.8A
S
Descripti?n
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
switching, rug

 1.5. irfl9014 sihfl9014.pdf Size:168K _vishay

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) — 60
Surface Mount
RDS(on) (?)VGS = — 10 V 0.50
Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 12
Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 3.8
Repetitive Avalanche Rated
P-Channel
Qgd (nC) 5.1
Fast Switching
Configuration Single
Ease of Paralleli

1.6. l9014slt1g.pdf Size:98K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
L9014QLT1G
FEATURE
Complementary to L9014.
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L9014QLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
Series
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
DEVICE MARKING AND ORDERING INF

1.7. l9014tlt1g.pdf Size:99K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
Complementary to L9014.
L9014QLT1G
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9014QLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

1.8. l9014rlt1g.pdf Size:99K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
Complementary to L9014. L9014QLT1G
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9014QLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

1.9. l9014qlt1g.pdf Size:105K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
L9014QLT1G
Complementary to L9014.
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S-L9014QLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.