Транзистор s9014

Производители

DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.

На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими конторами: Weitron Technology, KEC Semiconductor.

S9012H Datasheet (PDF)

1.1. s9012g s9012h s9012i.pdf Size:199K _update

S9012-G
MCC
Micro Commercial Components
TM
S9012-H
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
S9012-I
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 0.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating a

1.2. s9012h.pdf Size:215K _update

《风光欣》技术资料
***********************************************************************************
S 9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
主要用途:前置放大、混频、振荡等。
绝对最大额定值（Ta=25℃)
项 目 符号 额定值 单位
集电极-基极电压 VCBO -40 V
集电极-发射极电压 VCEO -20 V
发射极-基极电压 VEBO -5 V
集电极

 1.3. s9012h.pdf Size:215K _china

《风光欣》技术资料
***********************************************************************************
S 9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
主要用途:前置放大、混频、振荡等。
绝对最大额定值（Ta=25℃)
项 目 符号 额定值 单位
集电极-基极电压 VCBO -40 V
集电极-发射极电压 VCEO -20 V
发射极-基极电压 VEBO -5 V
集电极

9012H Datasheet (PDF)

1.1. s9012g s9012h s9012i.pdf Size:199K _update

S9012-G
MCC
Micro Commercial Components
TM
S9012-H
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
S9012-I
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 0.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating a

1.2. s9012h.pdf Size:215K _update

《风光欣》技术资料
***********************************************************************************
S 9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
主要用途:前置放大、混频、振荡等。
绝对最大额定值（Ta=25℃)
项 目 符号 额定值 单位
集电极-基极电压 VCBO -40 V
集电极-发射极电压 VCEO -20 V
发射极-基极电压 VEBO -5 V
集电极

 1.3. s9012h.pdf Size:215K _china

《风光欣》技术资料
***********************************************************************************
S 9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
主要用途:前置放大、混频、振荡等。
绝对最大额定值（Ta=25℃)
项 目 符号 额定值 单位
集电极-基极电压 VCBO -40 V
集电极-发射极电压 VCEO -20 V
发射极-基极电压 VEBO -5 V
集电极

Технические характеристики

При проектировании нового электронного устройства в первую очередь следует обратить внимание на предельно допустимые характеристики используемых транзисторов. Если один или несколько значений превысят их, то прибор выйдет из строя

Поэтому надо чтобы рабочие значения параметров при эксплуатации были на 20 % меньше максимальных. Для S9012, согласно технической документации от разных производителей, они имеют такие величины:

• наибольшее возможное напряжение между коллектором и базой V_CBO (U_{кб max}) = -40 В;
• предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером V_CEO (U_{кэ max}) = -25 В;
• максимально возможное напряжение между эмиттером и базой V_EBO (U_{эб max}) = -5 В;
• предельно возможный постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = -500 мА;
• максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) = 625 мВт;
• наибольшая возможная температура на кристалле T_С до +150ОС;
• диапазон рабочих температур T_stg = -55 … 150ОС;

Выше приведены данные для изделий, выполненных в корпусе ТО-92. Устройства в SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания 300 мВт. Некоторые фирмы-производители в своей документации пишут разные значения для максимального напряжения коллектор-эмиттер V_CEO (U_{кэ max}). Например у компании Nanjing International Group оно равно 30 В, а у фирмы Tiger Electronic – 20 В.

Электрические параметры

Рассмотрим электрические параметры S9012. Они не менее важны для инженера, занимающегося разработкой устройств на данном транзисторе. Их значения также тестировались в лаборатории при температуре +25ОС:

Классификация по h_fe

Транзистор S9012 делится на несколько классов, в зависимости от коэффициента передачи тока h_fe1 измеренного, при V_CE (U_кэ) = 1В и I_C (I_к) =50 мА. Большинство компаний подразделяют свои изделия на три класса: L с коэффициентом передачи тока от 120 до 200, H от 200 до 350 и J от 300 до 400. Однако некоторые, например Jiangsu High diode Semiconductor (для своей продукции в корпусе ТО-92) и Weitron Technology делят свои изделия на шесть категорий:

Категория	D	E	F	G	H	I
hfe1	64-91	78-112	96-135	112-166	144-202	190-300

Комплементарная пара

У рассматриваемого устройства существует комплементарная пара, рекомендуемая всеми фирмами-производителями — S9013.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE)

Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F_Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F_Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R_s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H_FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H_FE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много

Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111

S9012LT1 Datasheet (PDF)

1.1. s9012lt1.pdf Size:238K _wietron

S9012LT1
PNP General Purpose Transistors
3
P b Lead(Pb)-Free 1
2
SOT-23
Value
V
CEO -20
-40
-5
-500
300
2.4
417
S9012PLT1=12P S9012QLT1=12Q S9012RLT1=12R S9012SLT1=12S
-0.1
-20
-100 -40
-5.0
-100
u
-0.15
-35
-0.15 u
-4.0
WEITRON
1/2 28-Apr-2011
http://www.weitron.com.tw
S9012LT1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)
Characteristics

3.1. s9012lt.pdf Size:939K _update

 Bruckewell Technology Corp., Ltd.
PNP EPITAXIAL SILICON
TRANSISTOR
S9012LT
FEATURES
Excellent HFE Linearity HFE
hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V ,Ic=400m
High Total Power Dissipation: Pc=225mW
MECHANICAL DATA
* Case: SOT-23 Molded plastic
* Epoxy: UL94V-O rate flame retardant
SOT-23
Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Ratings (T

3.2. s9012lt.pdf Size:939K _bruckewell

 Bruckewell Technology Corp., Ltd.
PNP EPITAXIAL SILICON
TRANSISTOR
S9012LT
FEATURES
Excellent HFE Linearity HFE
hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V ,Ic=400m
High Total Power Dissipation: Pc=225mW
MECHANICAL DATA
* Case: SOT-23 Molded plastic
* Epoxy: UL94V-O rate flame retardant
SOT-23
Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Ratings (T

Биполярный транзистор S9012H — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9012H

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 144

Корпус транзистора: TO92

S9012H
Datasheet (PDF)

1.1. s9012g s9012h s9012i.pdf Size:199K _update

S9012-G
MCC
Micro Commercial Components
TM
S9012-H
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
S9012-I
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 0.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating a

1.2. s9012h.pdf Size:215K _update

《风光欣》技术资料
***********************************************************************************
S 9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
主要用途:前置放大、混频、振荡等。
绝对最大额定值（Ta=25℃)
项 目 符号 额定值 单位
集电极-基极电压 VCBO -40 V
集电极-发射极电压 VCEO -20 V
发射极-基极电压 VEBO -5 V
集电极

 1.3. s9012h.pdf Size:215K _china

《风光欣》技术资料
***********************************************************************************
S 9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
主要用途:前置放大、混频、振荡等。
绝对最大额定值（Ta=25℃)
项 目 符号 额定值 单位
集电极-基极电压 VCBO -40 V
集电极-发射极电压 VCEO -20 V
发射极-基极电压 VEBO -5 V
集电极

Другие транзисторы… S8050G
, S8550B
, S8550C
, S8550D
, S8550G
, S9011
, S9011LT1
, S9012G
, 2N2222
, S9012I
, S9012LT
, S9012W
, S9013G
, S9013H
, S9013I
, S9014B
, S9014C
.

Биполярный транзистор KST9012C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KST9012C

Маркировка: 2TY.

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 144

Корпус транзистора: SOT23

KST9012C
Datasheet (PDF)

1.1. kst9012c.pdf Size:137K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type IC
SMD Type
PNP Transistors
KST9012C
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Excellent hFE liearity
Collector Current :IC=-0.5A 12
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -40 V
Collector — Emitter Voltag

3.1. kst9012.pdf Size:925K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
SMD Type
PNP Transistors
KST9012
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE liearity
Collector Current :IC=-0.5A 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -40 V
Collector — Emitter Volta

 4.1. kst9015-d.pdf Size:1068K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST9015-D
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=-0.1A
1 2
Complementary to KST9014-D
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -50 V
Collect

4.2. kst9013.pdf Size:987K _kexin

SMD Type TransistICs
SMD Type or
SMD Type
NPN Transistors
KST9013
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.5A
1 2
+0.1
0.95-0.1 0.1+0.05
-0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 40 V
Collector — Emitter Voltage

 4.3. kst9014-d.pdf Size:1021K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST9014-D
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.1A
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
Complementary to KST9015-D
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
Collector-E

4.4. kst9013c.pdf Size:388K _kexin

SMD Type IC
SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST9013C
SOT-23
Unit: mm
2.9+0.1
-0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.5A
12
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 40 V
Collector — Emitter Voltag

 4.5. kst9015.pdf Size:971K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST9015
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Complementary to KST9014
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -50 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V
Emitter-Base Voltage VEBO —

4.6. kst9014.pdf Size:925K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST9014
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.1A
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V
Emit

4.7. kst9018.pdf Size:515K _kexin

SMD Type
SMD Type Tra n s i s to rs IC
SMD Type
NPN Transistors
KST9018
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
■ Features
High current gain bandwidth product.
●
1 2
+0.1
+0.05
power dissipation.(PC=200mW) 0.95 -0.1 0.1 -0.01
●
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ℃
Parameter Symbol Rating Unit
Col

Другие транзисторы… KST8050S
, KST8050X
, KST8550
, KST8550D-50
, KST8550M
, KST8550S
, KST8550X
, KST9012
, MD1803DFX
, KST9013
, KST9013C
, KST9014
, KST9014-D
, KST9015
, KST9015-D
, KST9018
, KTA1036
.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 0,450 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 190 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 45в.

Максимальное напряжение коллектор – база – 50в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.

Коэффициент передачи тока : У транзисторов SS9015(S9015) с буквой A – от 60 до 150. У транзисторов SS9015(S9015) с буквой B – от 100 до 300. У транзисторов SS9015(S9015) с буквой C – от 200 до 600.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА – не выше 0,7в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА – не выше 1,2в.

Обратный ток коллектор – база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 50в. не более 50 мКА.

Обратный ток эмиттера – база при напряжении эмиттер-база 5в не более – 50 мКА.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Биполярный транзистор L9012PLT1G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L9012PLT1G

Маркировка: 12P

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT23

L9012PLT1G
Datasheet (PDF)

1.1. l9012plt1g.pdf Size:82K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
L9012PLT1G
FEATURE
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S-L9012PLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device Marking

5.1. l9012.pdf Size:151K _upd

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
PNP Epitaxial Silicon
L9012
Transistor
1W Output Amplifier of Potable Radios in
Class B Push-pull Operation.
• High total power dissipation. (PT=625mW)
• High Collector Current. (IC= -500mA)
• Complementary to L9013 TO-92
1
• Excellent hFE linearity.
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbo

5.2. l9012rlt1g.pdf Size:79K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
L9012PLT1G
FEATURE
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9012PLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device Marking

 5.3. l9012qlt1g.pdf Size:80K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
L9012PLT1G
FEATURE
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S-L9012PLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device Marking

5.4. l9012slt1g.pdf Size:79K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
L9012PLT1G
FEATURE
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9012PLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device Marking

Другие транзисторы… L8050HRLT1G
, L8050PLT1G
, L8050QLT1G
, L8550HPLT1G
, L8550HQLT1G
, L8550HRLT1G
, L8550PLT1G
, L8550QLT1G
, 2N2905
, L9012QLT1G
, L9012RLT1G
, L9012SLT1G
, L9013PLT1G
, L9013QLT1G
, L9013RLT1G
, L9013SLT1G
, L9014QLT1G
.

FTC9012S Datasheet (PDF)

1.1. ftc9012s.pdf Size:96K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC9012S
TECHNICAL DATA
X
General Purpose Transistors
PNP Silicon
FEATURE
3
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
2
ORDERING INFORMATION
1
Device
Package
Shipping
SOT-23
FTC9012SX
SOT– 23
FTC9012SX
10000/Tape&Reel
SOT-23
3
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS BASE
Rating Symbol Value Unit
2
Collector-Emitter Voltage VCEO 2

4.1. ftc9013s.pdf Size:96K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC9013S
TECHNICAL DATA
X
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
3
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
2
ORDERING INFORMATION
1
Device
Package
Shipping
SOT-23
FTC9013SX
SOT– 23
FTC9013SX
10000/Tape&Reel
SOT-23
3
COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS
1
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO 20

Биполярный транзистор FTC9012S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: FTC9012S

Маркировка: 12P_12Q_12R_12S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT23

FTC9012S
Datasheet (PDF)

1.1. ftc9012s.pdf Size:96K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC9012S
TECHNICAL DATA
X
General Purpose Transistors
PNP Silicon
FEATURE
3
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
2
ORDERING INFORMATION
1
Device
Package
Shipping
SOT-23
FTC9012SX
SOT– 23
FTC9012SX
10000/Tape&Reel
SOT-23
3
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS BASE
Rating Symbol Value Unit
2
Collector-Emitter Voltage VCEO 2

4.1. ftc9013s.pdf Size:96K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC9013S
TECHNICAL DATA
X
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
3
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
2
ORDERING INFORMATION
1
Device
Package
Shipping
SOT-23
FTC9013SX
SOT– 23
FTC9013SX
10000/Tape&Reel
SOT-23
3
COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS
1
Rating Symbol Value Unit
BASE
Collector-Emitter Voltage VCEO 20

Другие транзисторы… FTC4375
, FTC4376
, FTC4377
, FTC4378
, FTC4379
, FTC4617
, FTC8050
, FTC8050H
, TIP41C
, FTC9013S
, FTC945B
, FTD1304
, FTD1499
, FTD1616A
, FTD1624
, FTD1760
, FTD1781K
.

Биполярный транзистор 9012H — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 9012H

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 144

Корпус транзистора: TO92

9012H
Datasheet (PDF)

1.1. s9012g s9012h s9012i.pdf Size:199K _update

S9012-G
MCC
Micro Commercial Components
TM
S9012-H
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
S9012-I
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
PNP Silicon
• Collector-current 0.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating a

1.2. s9012h.pdf Size:215K _update

《风光欣》技术资料
***********************************************************************************
S 9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
主要用途:前置放大、混频、振荡等。
绝对最大额定值（Ta=25℃)
项 目 符号 额定值 单位
集电极-基极电压 VCBO -40 V
集电极-发射极电压 VCEO -20 V
发射极-基极电压 VEBO -5 V
集电极

 1.3. s9012h.pdf Size:215K _china

《风光欣》技术资料
***********************************************************************************
S 9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
主要用途:前置放大、混频、振荡等。
绝对最大额定值（Ta=25℃)
项 目 符号 额定值 单位
集电极-基极电压 VCBO -40 V
集电极-发射极电压 VCEO -20 V
发射极-基极电压 VEBO -5 V
集电极

Другие транзисторы… 9011G
, 9011H
, 9011I
, , 9012D
, 9012E
, 9012F
, 9012G
, , , 9013D
, 9013E
, 9013F
, 9013G
, 9013H
, , 9014D
.

Биполярный транзистор KTC9012S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTC9012S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 96

Корпус транзистора: SOT23

KTC9012S
Datasheet (PDF)

1.1. ktc9012sc.pdf Size:613K _update

SEMICONDUCTOR KTC9012SC
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
·Excellent hFE Linearity.
·Complementary to KTC9013SC.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO -40 V
Collector-Base Voltage
VCEO -30 V
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage -5 V
IC
Collector Current -500 mA

1.2. ktc9012s.pdf Size:395K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9012S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
E
L B L
FEATURES
DIM MILLIMETERS
Excellent hFE Linearity.
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
Complementary to KTC9013S.
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
1
G 1.90
H 0.95
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
L 0.55
P

 3.1. ktc9012.pdf Size:46K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9012
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
·Excellent hFE Linearity.
·Complementary to KTC9013.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
F 1.27
G 0.85
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
H 0.45
_
H
J 14.00 + 0.50
VCBO -40

Другие транзисторы… KTC811T
, KTC811U
, KTC812E
, KTC812U
, KTC813U
, KTC815
, KTC8550S
, KTC9011S
, S9018
, KTC9013S
, KTC9014S
, KTC9015S
, KTC9016S
, KTC9018S
, KTC945
, KTC945B
, KTD1003
.