Транзистор 2n3055

Содержание:

2SA965O Datasheet (PDF)
BC328-40 Datasheet (PDF)
Корпус и распиновка
Характеристики
Биполярный транзистор BC327-16 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
BC327-16 Datasheet (PDF)
TIP3055 Datasheet (PDF)
- Описание
BC327-40 Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор BC327-25 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
BC327-25 Datasheet (PDF)
BC327-25 Datasheet (PDF)

2SA965O Datasheet (PDF)

4.1. 2sa965.pdf Size:173K _toshiba

4.2. 2sa965tm.pdf Size:78K _secos

2SA965TM
-0.8A , -120V
PNP Plastic Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92MOD
FEATURES
Complementary to 2SC2235
A D
Power Amplifier Applications
B
CLASSIFICATION OF hFE
Product-Rank 2SA965-O 2SA965-Y
K
E F
Range 80-160 120-240
C
N
G H
1 Emitter
1
1
1
2 Collector
2
2

4.3. 2sa965.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA965
DESCRIPTION
·Power amplifier applications
·Driver stage amplifier applications
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for Switching and amplification
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage -120 V
CB

BC328-40 Datasheet (PDF)

Транзистор bc337

4.1. bc327-16bk-25bk-40bk bc328-16bk-25bk-40bk.pdf Size:88K _update

BC327-xBK / BC328-xBK
BC327-xBK / BC328-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
PNP PNP
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-06-23
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

4.2. bc327-16bk-25bk-40bk bc328-16bk-25bk-40bk.pdf Size:88K _diodes

5.1. bc327 bc328.pdf Size:160K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by BC327/D
Amplifier Transistors
PNP Silicon
BC327,-16,-25
BC328,-16,-25
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
1
MAXIMUM RATINGS
2
3
Rating Symbol BC327 BC328 Unit
CASE 2904, STYLE 17
CollectorEmitter Voltage VCEO 45 25 Vdc
TO92 (TO226AA)
CollectorBase Voltage VCBO 50 30 Vdc
EmitterBase Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collect

5.2. bc327 bc328.pdf Size:49K _fairchild_semi

BC327/328
Switching and Amplifier Applications
• Suitable for AF-Driver stages and low power output stages
• Complement to BC337/BC338
TO-92
1
1. Collector 2. Base 3. Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCES Collector-Emitter Voltage
: BC327 -50 V
: BC328 -30 V
VCEO Collector-Emitter Vo

5.3. bc327 bc328 to-92.pdf Size:384K _mcc

BC327-16/25/40
MCC
TM
Micro Commercial Components
BC328-16/25/40
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
PNP
Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Plastic-Encapsulate
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current : -0.8

5.4. sbc328.pdf Size:85K _auk

SBC328
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Descriptions
• High current application
• Switching application
Features
• Suitable for AF-Driver stage and low power output stages
• Complementary pair with SBC338
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
SBC328 SBC328 TO-92
Outline Dimensions unit : mm
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1

5.5. bc327~bc328.pdf Size:293K _secos

BC327 / BC328
PNP Plastic-Encapsulate Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURE
G H
Power Dissipation
1Collector
1
1
1
J
2Base
2
2
2
CLASSIFICATION OF hFE (1)
3
A D 3Emitter
3
3
Product-Rank BC327-16 BC327-25 BC327-40
B
Millimeter
REF.
Min. Max.
Product-Rank BC328-16 BC32

5.6. bc327 bc328 bc337 bc338.pdf Size:117K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
BC327/A BC328 PNP
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC337/A BC338 NPN
TO-92
Plastic Package
For Lead Free Parts, Device Part #
will be Prefixed with «T»
E
B
C
General Purpose Transistors Best Suited for use in Driver and Output Stages of Audio Amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC)

5.7. bc328.pdf Size:335K _kec

SEMICONDUCTOR BC328
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
High Current : IC=-800mA.
DC Current Gain : hFE=100 630 (VCE=-1V, Ic=-100mA).
N DIM MILLIMETERS
For Complementary with NPN type BC338.
A 4.70 MAX
E
K
G B 4.80 MAX
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
H 0.45
_
H J

5.8. bc327 bc328.pdf Size:471K _wietron

BC327/BC328
PNP General Purpose Transistor
COLLECTOR
1
P b Lead(Pb)-Free
TO-92
2
BASE
1
3 2
3
EMITTER
Maximum Ratings(TA=25°C unless otherwise noted)
Rating Symbol BC327 BC328 Unit
VCBO
Collector-Base voltage
-50 -30 V
VCEO
V
Collector-Emitter voltage -45 -25
VEBO
V
Emitter-Base voltage
-5.0 -5.0
Collector Current Continuous lC
mA
800
Total Device Dissipation
PD
625 m

Корпус и распиновка

C5353 транзистор характеристики

Цоколевка bc337 выглядит следующим образом. Большинство производителей выпускают его в пластмассовой упаковке ТО-92 с гибкими выводами, или её аналогах: SOT54, TO-226. Маркировка цифробуквенная, наносится на лицевой части корпуса по европейской системе Pro Electron. Если смотреть на неё, то первая ножка слева это — коллектор, второй — база, третий — эмиттер.

Несмотря на это, некоторые китайские компании выпускают устройство в тех же корпусах, что указаны выше, но с другой распиновкой. Например, у Foshan Blue Rocket Electronics сначала идет эмиттер, потом база и последним коллектор.

Характеристики

Транзистор bd140

Все характеристики на BC337 приведены в техническом описании (datasheet) на устройство. Наиболее важные значения, находятся в таблицах “максимальные рейтинги” и “электрические параметры”. Они проверяются производителем при тестировании и выпуске продукции.

Максимальные рейтинги

В максимальных рейтингах отражены предельные эксплуатационные свойства bc337. Превышение этих значений, может привести к выводу устройства из строя. Вот их полный перечень:

Напряжение между коллектором и эмиттером (при разомкнутой цепи базы) V_CEO не более 45 В;
Напряжение между коллектором и эмиттером (база соединена с эмиттером) V_CE_S не более 50 В;
Напряжение между эмиттером и базой V_EBO не должно превышать 5 В;
Ток коллектора I_C не должен быть больше 800 мА;
Максимальная мощность P_C, которую транзистор может рассеять 625 мВт;
Предельно допустимая температура 150 ОС;
Диапазон рабочих температур T_STGот -55 ОС до 150 ОС.

Обычно, эти данные приводятся вместе с параметрами на транзистор bc338. У 338 они немного хуже по допустимому напряжению, между выводами коллектор-эммитер (до 30 В). В остальном же, это полная копия рассматриваемого экземпляра, ставшая результатом отбраковки по итогам тестирования на завершающем этапе производства.

Электрические параметры

Ниже приведены электрические характеристики транзистора ВС337. Они выведены в отдельную таблицу и приводятся совместно с условиями проверки, указанными в отдельном столбце. Все значения проверяются производителем при температуре окружающей среды +25 ОС:

Коэффициент усиления

Рассматриваемые изделия делятся на три группы по H_FE: “-16”, “-25” и “-40”. Эти данные, наносятся на корпус транзистора при маркировке. Обозначение при этом выглядит так: BC337-16, BC337-25, BC337-40. Максимальным коэффициентом усиления по току обладает BC33740 (до 630 H_FE).

Биполярный транзистор BC327-16 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC327-16

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO92

BC327-16
Datasheet (PDF)

1.1. bc327-16bk-25bk-40bk bc328-16bk-25bk-40bk.pdf Size:88K _update

1.2. bc327-16bk-25bk-40bk bc328-16bk-25bk-40bk.pdf Size:88K _diodes

4.1. bc327-25 bc327-40.pdf Size:66K _st

BC327-25
BC327-40

SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC327-25 BC327-25 TO-92 / Bulk
BC327-25-AP BC327-25 TO-92 / Ammopack
BC327-40 BC327-40 TO-92 / Bulk
BC327-40-AP BC327-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE NPN COMPLEMENTARY TYPES ARE

4.2. bc327-328.pdf Size:154K _lge

BC327/328(PNP)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value
Units
VCBO Collector-Base Voltage BC327 -50
V
BC328 -30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC327 -45
V
BC328 -25
VEBO -5
Emitter-Base Voltage V
IC Collector Current -Continuous -800
mA

Другие транзисторы… BC322C
, BC323
, BC324
, BC325
, BC326
, BC327
, BC327-01
, BC327-10
, AC128
, BC327-25
, BC327-40
, BC327AP
, BC327BP
, BC327CP
, BC327L
, BC327P
, BC328
.

TIP3055 Datasheet (PDF)

1.1. tip3055r.pdf Size:104K _motorola

Order this document MOTOROLA by TIP3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP3055 Complementary Silicon Power PNP TIP2955 Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4.0 Adc 15 AMPERE � Collector�Emitter Saturation Voltage � VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII POWER TRANSISTO

TIP2955 TIP3055 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagr

TIP3055 (NPN), TIP2955 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors Designed for general-purpose switching and amplifier applications. http://onsemi.com Features � DC Current Gain — 15 AMPERE hFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS = 4.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON � Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTS VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc � Excellent Safe

1.4. tip3055.pdf Size:82K _bourns

TIP3055 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ? Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE TIP2955 Series (TOP VIEW) ? 90 W at 25�C Case Temperature B 1 ? 15 A Continuous Collector Current C 2 ? Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25�C case temperature (unless otherwise noted) RAT

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS TIP2955F PNP TIP3055F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Collector-Emitter Voltage VCER 70 V Collector-Bas

1.7. tip3055.pdf Size:142K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ Complement to type TIP2955 Ў¤ 90 W at 25°C case temperature Ў¤ 15 A continuous collector current APPLICATIONS Ў¤ Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION TIP3

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Описание

NPN 70V, 15A, 90W (Comp. TIP2955)

Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт

Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

BC327-40 Datasheet (PDF)

1.1. bc327-25 bc327-40.pdf Size:66K _st

BC327-25
BC327-40

4.1. bc327-16bk-25bk-40bk bc328-16bk-25bk-40bk.pdf Size:88K _update

4.2. bc327-16bk-25bk-40bk bc328-16bk-25bk-40bk.pdf Size:88K _diodes

4.3. bc327-328.pdf Size:154K _lge

BC327/328(PNP)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Биполярный транзистор BC327-25 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC327-25

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: TO92

BC327-25
Datasheet (PDF)

1.1. bc327-25 bc327-40.pdf Size:66K _st

BC327-25
BC327-40

4.1. bc327-16bk-25bk-40bk bc328-16bk-25bk-40bk.pdf Size:88K _update

4.2. bc327-16bk-25bk-40bk bc328-16bk-25bk-40bk.pdf Size:88K _diodes

4.3. bc327-328.pdf Size:154K _lge

BC327/328(PNP)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Другие транзисторы… BC323
, BC324
, BC325
, BC326
, BC327
, BC327-01
, BC327-10
, BC327-16
, BC108
, BC327-40
, BC327AP
, BC327BP
, BC327CP
, BC327L
, BC327P
, BC328
, BC328-01
.