Транзистор bc337
Содержание:
- BC337-25 Datasheet (PDF)
- Характеристики семейства транзисторов BC548
- Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора bc337 (bc33716, bc33725, bc33740)
- BC337-40 Datasheet (PDF)
- Биполярный транзистор BC337-40 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
- BC337-40 Datasheet (PDF)
- BC337-16 Datasheet (PDF)
- Другие разделы справочника:
- Биполярный транзистор BC337-040 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
- BC337-040 Datasheet (PDF)
- Результаты подбора транзистора (поиска аналога)
- Биполярный транзистор BC337-16 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
- BC337-16 Datasheet (PDF)
- Биполярный транзистор BC337-25 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
- BC337-25 Datasheet (PDF)
- Биполярный транзистор BC337-025 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
- BC337-025 Datasheet (PDF)
BC337-25 Datasheet (PDF)
1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update
BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9
1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st
BC337-25
BC337-40
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE
1.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi
BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50
1.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi
BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD
Характеристики семейства транзисторов BC548
Все члены семейства BC548 выдерживают выходные токи (ток между коллектором и эмиттером) до 100 мА, а максимальное напряжение зависит от модели, как мы это можем видеть на следующем рисунке.
Здесь видно, что диапазон рабочих напряжений в зависимости от модели составляет от 30В до 65В. Если наша схема питается от напряжения 5В, 12В или 24В, мы можем использовать любую модель семейства без каких-либо проблем.
Максимальный постоянный ток 100 мА, а непродолжительный пиковый ток может достигать 200 мА
Важно уточнить, что некоторые производители, такие как Fairchild, выпустили транзистор BC548, который обеспечивает ток до 500 мА, однако он не соответствует стандартным характеристикам этого компонента (это можно увидеть на листе производителя Fairchild)
Это создало некоторую путаницу сред радиолюбителей о реальных возможностях транзистора BC548 . Чтобы не рисковать, рекомендуем вам соблюдать ограничение в 100 мА, указанное для стандартной модели.
Транзисторы серии BC54x имеют превосходный коэффициент усиления (hFE) от 110 до 800. В конце маркировки транзистора можно видеть букву, которая служит для более точного определения диапазона усиления. Если буква отсутствует, то коэффициент усиления охватывает весь возможный диапазон (от 110 до 800) . В следующей таблице приведены значения hFE для транзисторов серии BC54x соответствующее последней букве кода.
При проектировании электронной схемы, обычно берется в расчет минимальный коэффициент усиления. Это гарантирует правильную работу схемы при любых обстоятельствах, даже если транзистор будет заменен другим подобным.
В случае BC548 все модели семейства взаимозаменяемы, за исключением нескольких случаев (в схемах с высоким рабочим напряжением или очень низким уровнем сигнала в схемах усиления). Ниже представлена распиновка BC548:
Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора bc337 (bc33716, bc33725, bc33740)
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора bc337 (bc33716, bc33725, bc33740) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 625 | 45 | 5 | 800 | 150 | 100000000 | 12 | 250/630 |
Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTORСфера применения: Популярность: 8224Дополнительные параметры транзистора bc337 (bc33716, bc33725, bc33740):
Комплементарная пара — bc327. HFe: bc33716(ВС337-16)-100/250; bc33725(ВС337-25)- 160/400.Условные обозначения описаны на странице «Теория».
BC337-40 Datasheet (PDF)
1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update
BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9
1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st
BC337-25
BC337-40
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE
4.1. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi
BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50
4.2. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
4.3. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc
MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co
4.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi
BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD
4.5. bc337-338.pdf Size:172K _lge
BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features
Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto
Биполярный транзистор BC337-40 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC337-40
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: TO92
BC337-40
Datasheet (PDF)
1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update
BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9
1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st
BC337-25
BC337-40
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE
4.1. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi
BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50
4.2. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
4.3. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc
MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co
4.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi
BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD
4.5. bc337-338.pdf Size:172K _lge
BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features
Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
BC337-16 Datasheet (PDF)
1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update
BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9
1.2. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi
BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50
1.3. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc
MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co
Другие разделы справочника:
Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск транзистора по маркировке.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Типоразмеры корпусов транзисторов.Магазины электронных компонентов.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Биполярный транзистор BC337-040 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC337-040
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: TO92
BC337-040
Datasheet (PDF)
4.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update
BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9
4.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st
BC337-25
BC337-40
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE
4.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi
BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50
4.4. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
4.5. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc
MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co
4.6. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi
BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD
4.7. bc337-338.pdf Size:172K _lge
BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features
Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
Результаты подбора транзистора (поиска аналога)
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2N7051 | Si | NPN | 0.625 | 100 | 100 | 12 | 1.5 | 150 | 200 | 1000 | TO92 | |
| 2N7052 | Si | NPN | 0.625 | 100 | 100 | 12 | 1.5 | 150 | 200 | 1000 | TO92 | |
| 2SC3726 | Si | NPN | 0.9 | 50 | 2 | 155 | 150 | 1200 | TO92 | |||
| 2SC4169 | Si | NPN | 1 | 50 | 50 | 6 | 1.2 | 175 | 4000 | TO92 | ||
| 2SD1146 | Si | NPN | 0.9 | 50 | 2 | 150 | 300 | TO92 | ||||
| 2SD1153 | Si | NPN | 0.9 | 80 | 50 | 10 | 1.5 | 150 | 120 | 6000 | TO92 | |
| 2SD1153A | Si | NPN | 0.9 | 80 | 50 | 10 | 1.5 | 150 | 120 | 8000 | TO92 | |
| 2SD1207U | Si | NPN | 1 | 60 | 50 | 6 | 2 | 150 | 150 | 12 | 280 | TO92 |
| 2SD1209 | Si | NPN | 0.9 | 60 | 1 | 150 | 4000 | TO92 | ||||
| 2SD1388 | Si | NPN | 0.7 | 60 | 1 | 150 | 250 | TO92 | ||||
| 2SD1616AL | Si | NPN | 0.75 | 120 | 60 | 8 | 1 | 150 | 100 | 19 | 300 | TO92 |
| 2SD1616L | Si | NPN | 0.75 | 60 | 50 | 8 | 1 | 150 | 100 | 19 | 300 | TO92 |
| 2SD1698 | Si | NPN | 0.75 | 100 | 0.8 | 150 | 10000 | TO92 | ||||
| 2SD1701 | Si | NPN | 0.75 | 1700 | 0.8 | 150 | 10000 | TO92 | ||||
| 2SD1835U | Si | NPN | 0.75 | 60 | 50 | 6 | 2 | 150 | 150 | 12 | 280 | TO92 |
| 2SD1853 | Si | NPN | 0.7 | 80 | 60 | 6 | 1.5 | 150 | 2000 | TO92 | ||
| 2SD1929 | Si | NPN | 1.2 | 60 | 2 | 150 | 5000 | TO92 | ||||
| 2SD1930 | Si | NPN | 1.2 | 100 | 2 | 150 | 5000 | TO92 | ||||
| 2SD1931 | Si | NPN | 1.2 | 60 | 2 | 150 | 10000 | TO92 | ||||
| 2SD1978 | Si | NPN | 0.9 | 120 | 1.5 | 150 | 10000 | TO92 | ||||
| 2SD1981 | Si | NPN | 1 | 100 | 80 | 6 | 2 | 150 | 24000 | TO92 | ||
| 2SD2046 | Si | NPN | 1 | 50 | 1.5 | 150 | 5000 | TO92 | ||||
| 2SD2068 | Si | NPN | 1 | 60 | 1 | 150 | 18000 | TO92 | ||||
| 2SD2088 | Si | NPN | 0.9 | 60 | 60 | 8 | 2 | 150 | 100 | 20 | 4000 | TO92 |
| 2SD2206 | Si | NPN | 0.9 | 100 | 100 | 8 | 2 | 150 | 100 | 20 | 4000 | TO92 |
| 2SD2206A | Si | NPN | 0.9 | 120 | 2 | 2000 | TO92MOD | |||||
| 2SD2213 | Si | NPN | 0.9 | 150 | 80 | 8 | 1.5 | 150 | 1000 | TO92MOD | ||
| 2SD2248 | Si | NPN | 0.9 | 80 | 80 | 8 | 2 | 150 | 100 | 20 | 4000 | TO92 |
| BC337-040 | Si | NPN | 0.625 | 45 | 0.8 | 210 | 250 | TO92 | ||||
| BC337-40 | Si | NPN | 0.36 | 50 | 45 | 5 | 0.8 | 150 | 60 | 20 | 250 | TO92 |
| BC337A-25 | Si | NPN | 0.625 | 60 | 60 | 5 | 0.8 | 150 | 100 | 18 | 250 | TO92 |
| BC337BPL | Si | NPN | 0.625 | 50 | 45 | 5 | 0.8 | 150 | 100 | 18 | 250 | TO92 |
| BC337CP | Si | NPN | 0.36 | 50 | 45 | 5 | 0.8 | 150 | 60 | 20 | 250 | TO92 |
| BC618 | Si | NPN | 0.625 | 80 | 55 | 12 | 1 | 150 | 150 | 4.5 | 3000 | TO92 |
| BC875 | Si | NPN | 0.8 | 60 | 45 | 5 | 1 | 150 | 200 | 1000 | TO92 | |
| BC877 | Si | NPN | 0.8 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 200 | 1000 | TO92 | |
| BC879 | Si | NPN | 0.8 | 100 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 1000 | TO92 | |
| BCX74-40 | Si | NPN | 0.625 | 75 | 45 | 5 | 1 | 150 | 100 | 12 | 250 | TO92 |
| BSR50 | Si | NPN | 0.8 | 60 | 45 | 5 | 2 | 150 | 175 | 2000 | TO92 | |
| BSR51 | Si | NPN | 0.8 | 80 | 60 | 5 | 2 | 150 | 175 | 2000 | TO92 | |
| BSR52 | Si | NPN | 0.8 | 100 | 80 | 5 | 1 | 150 | 175 | 4000 | TO92 | |
| CE1N2R | Si | NPN | 1 | 60 | 60 | 15 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| CE2F3P | Si | NPN | 1 | 60 | 60 | 15 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| CSD1616L | Si | NPN | 0.75 | 60 | 50 | 6 | 1 | 150 | 100 | 19 | 300 | TO92 |
| ECG2341 | Si | NPN | 0.8 | 80 | 1 | 150 | 2000 | TO92 | ||||
| ECG48 | Si | NPN | 1 | 50 | 1 | 150 | 100 | 25000 | TO92 | |||
| KSD1616-L | Si | NPN | 0.75 | 60 | 50 | 6 | 1 | 150 | 100 | 19 | 300 | TO92 |
| KSD1616AL | Si | NPN | 0.75 | 120 | 60 | 8 | 1 | 150 | 100 | 19 | 300 | TO92 |
| KSD1616L | Si | NPN | 0.75 | 60 | 50 | 8 | 1 | 150 | 100 | 19 | 300 | TO92 |
| KTD2854 | Si | NPN | 1 | 100 | 100 | 8 | 2 | 150 | 100 | 20 | 2000 | TO92L |
| MPSW45A | Si | NPN | 1 | 60 | 50 | 12 | 1 | 150 | 100 | 6 | 25000 | TO92 |
| MPSW45AG | Si | NPN | 1 | 60 | 50 | 12 | 1 | 150 | 100 | 6 | 25000 | TO92 |
| MPSW45ARLRAG | Si | NPN | 1 | 60 | 50 | 12 | 1 | 150 | 100 | 6 | 25000 | TO92 |
| MPSW45AZL1G | Si | NPN | 1 | 60 | 50 | 12 | 1 | 150 | 100 | 6 | 25000 | TO92 |
| NTE2341 | Si | NPN | 1 | 100 | 80 | 7 | 1 | 2000 | TO92 | |||
| NTE48 | Si | NPN | 1 | 60 | 50 | 12 | 1 | 25000 | TO92 | |||
| SK3250 | Si | NPN | 0.75 | 100 | 50 | 6 | 1 | 80 | 370 | TO92M | ||
| SML2182 | Si | NPN | 0.36 | 120 | 5 | 200 | 200 | 400 | TO92 | |||
| STX112 | Si | NPN | 1.2 | 100 | 100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| TIPK110 | Si | NPN | 0.8 | 60 | 60 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| TIPK111 | Si | NPN | 0.8 | 80 | 80 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| TIPK112 | Si | NPN | 0.8 | 100 | 100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| TIPK115 | Si | NPN | 0.8 | 60 | 60 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| TIPK116 | Si | NPN | 0.8 | 80 | 80 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| TIPK117 | Si | NPN | 0.8 | 100 | 100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| TIPP110 | Si | NPN | 0.8 | 60 | 60 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| TIPP111 | Si | NPN | 0.8 | 80 | 80 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 | ||
| TIPP112 | Si | NPN | 0.8 | 100 | 100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | TO92 |
Всего результатов: 68
Биполярный транзистор BC337-16 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC337-16
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
BC337-16
Datasheet (PDF)
1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update
BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9
1.2. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi
BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50
1.3. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc
MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
Биполярный транзистор BC337-25 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC337-25
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TO92
BC337-25
Datasheet (PDF)
1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update
BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9
1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st
BC337-25
BC337-40
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE
1.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi
BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50
1.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi
BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
Биполярный транзистор BC337-025 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC337-025
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TO92
BC337-025
Datasheet (PDF)
4.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update
BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9
4.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st
BC337-25
BC337-40
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE
4.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi
BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50
4.4. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
4.5. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc
MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co
4.6. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi
BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD
4.7. bc337-338.pdf Size:172K _lge
BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features
Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
