Транзистор s9013 (c9013)

Характеристики

В техническом описании на транзистор обычно указывают его предельно допустимые режимы эксплуатации (maximum rating), электрические характеристики (electrical characteristic) и классификация по группа h_FE. Эти параметры проверяются производителем устройства, при температуре окружающей среды + 25°С.

Предельные режимы эксплуатации

При изучении характеристик S9015 следует учесть его PNP-структуру и то, что его pn-переход открывается при напряжении обратной полярности. Т.е. источник питания на эмиттерном переходе U_БЭ (V_BE) подсоединяется минусом к базе, а плюсом к эмиттеру. Поэтому, производители транзистора PNP-структуры, предельные значения эксплуатации и электрические характеристики напряжения и тока, в техническом описании, обычно указывают со знаком “-”. Рассмотрим предельные режимы эксплуатации s9015 (ТО-92).

Электрические характеристики

Рассмотрим электрические параметры S9015 (ТО-92). Важным значением при выборе данного компонента, является его собственный коэффициент шума F_Ш (NF, Noise Figure). Именно он иногда определяет применение этого транзистора в различных схемах усиления. Обычно у s9015 низкий коэффициент собственных шумов, который не превышает 10 дБ. Это значение относит его к малошумящим. В последнее время, встречаются технические описания на устройства в которых, по неизвестным причинам, эта характеристика не указывается.

Классификация по H_FE

Отдельно от основных характеристик в datasheet на s9015 указывается его коэффициент усиления по току h_FE. Для классификации транзисторов по этому параметру используется последняя буква (A-D, H-L) в его обозначении. Значение этой величины у устройства s9015D достигает 1000 h_FE. Ниже приведена стандартная классификация устройства по h_FE.

Мощность рассеивания

При выборе так же обращают внимание на его максимальную мощность рассеивания на коллекторе PK (PC). Так, у маломощных s9015H и s9015L, в корпусе SOT-23, максимальная мощность рассеивания не превышает 0,2 Вт

Если необходима большая мощность (0,45 Вт), то подбирают девайс в корпусе ТО-92: s9015A, s9015B, s9015C, s9015D.

Аналоги

К иностранным аналогам можно отнести следующие: bc317, bc320,hs733, ksa733, ktc9015, ktc9015c

Если не важен коэффициент усиления по току и граничная частота, то обратите внимание на: ksp55, ksp56, mps751, mps751g, mpsa55, mpsa56, mpsw55, mpsw56. Российские аналоги для s9015 являются устройства из серии КТ3107, КТ6112

Достаточно трудно подобрать замену для S9015D. Многие радиолюбители вместо него обычно устанавливают КТ3107К или КТ3107Л, с коэффициент усиления по току до 800 h_FE.

Технические данные

Как и все современные мощные MOSFET от IR, IRF510 обладает неплохими максимально допустимыми характеристиками. Он способен выдержать большие нагрузки, приближающиеся к предельным значениям эксплуатации. Рассмотрим их подробнее:

• напряжение между контактами стока-истока (V_DS ) — 100 В;
• рекомендуемый ток стока (I_D): при T_C до +25ОС – 5.6 А; при T_C до +100ОС – 4.0 А; импульсный (I_DM) – 20 А; пиковый, в лавинных условиях (I_AR) – 6 А;
• в открытом состоянии сопротивление R_DS(ON) до 0.54 Ом;
• отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_GS) ±20 В;
• рассеиваемая мощность (P_D) до 43 Вт;
• энергия единичного импульса (E_AS) – 4.3 мДж;
• возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
• температура хранения (T_J) от — 55 до +175 °C;
• максимальная температура кристалла (T_C) до +175 °C;
• время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C.

Не рекомендуется превышать указанные значения и допускать длительные периоды эксплуатации в таких режимах. В подобных тяжелых условиях устройство в итоге быстро выйдет из строя. Это правило относится и к электрическим характеристикам irf510. Приведем их ниже.

Все данные приведены с учетом температуры окружающей среды не более 25°C, если не указано иного.

Аналоги

Для IRF510 тяжело найти полноценный аналог. В первую очередь можно порекомендовать полностью идентичную по своим параметрам модель от Vishay Siliconix — SiHF510. Это копия рассматриваемого транзистора, как по своим параметрам, так и физическим свойствам. К тому же усовершенствованная.

Конечно, существуют и другие компании, выпускавшие похожие по своим свойствам устройства, но их сейчас достаточно тяжело найти в продаже. К ним можно отнести: 2SK2399 (Toshiba), PHP6N10E (Philips), RFP2N08 (Fairchild Semiconductor ), STP7NE10 (STMicroelectronics). От российских производителей, в качестве замены, следует рассмотреть: КП510 и КП743А. Перед использованием аналогов внимательно ознакомьтесь с их даташит.

Asahi Kasei

Вообще-то это большая японская корпорация с химическим прошлым, у которой нас интересует подразделение Asahi Kasei Microdevises. ЦАПы AKM нельзя назвать прямо уж новичками, но в среде аудиофилов долгое время они находились в тени Burr-Brown и Cirrus Logic. И это не было справедливым. Ведь не только ЦАПы, но и аналого-цифровые преобразователи у Asahi Kasei были вполне приличными и активно применялись в Pro технике высокого класса. В 90-х чипы АКМ стояли даже в Sony Playstation, который, к слову сказать, оказался весьма удачным аудиоисточником.

Разработчики утверждают, что начиная с модели AK4396, используется демодулятор, принципиально отличающийся от остальных дельта-сигм конкурентов. В его работе практически отсутствует высокочастотный шум квантования, — неизбежное зло дельта-сигмы, которое раньше приходилось задабривать набором фильтров. В общем, с тех пор как уважаемые имена сбавили обороты, а некоторые и вовсе вышли из этого бизнеса, Asahi Kasei вместе с Sabre делят рынок самых современных моделей.

Флагманский чип Asahi Kasei AK4497EQ

Сегодня флагманской моделью в семействе Vertita у Asahi Kasei является AK4497EQ с поддержкой PCM потока с разрядностью 32 бит/768 кГц, это уже даже выше чем суперформат DXD. Динамический диапазон 128 дБ, коэффициент искажений -116 дБ. Что касается поддержки DSD, то там верхний потолок составляет чудовищные 22,4 МГц.

Ниже по рангу стоит AK4490EQ, который умеет принимать «всего лишь» DSD256 с 11,2 МГц. Цифровых фильтров меньше на один (было шесть, стало пять), динамический диапазон уменьшился до 123 Дб, а искажения подросли до -112 дБ.

Самыми дешевыми и приемлемыми по соотношению качество/цена будут AK4495EQ/SEQ, так как при тех же характеристиках динамического диапазона что и у 4490, его искажения составили -101 дБ, а поддержка DSD приняла значения обычных коммерческих 5,6 МГц. Да, и не забываем, что большинство SACD вообще закодированы под 2,8 МГц.

Для ресиверов, сетевых устройств и другой подобной техники предлагается линейка New Generation – с аналогичной поддержкой 32 бит/768 кГц и DSD256. Динамический диапазон и искажения там пониже чем у топовых Verita – «всего» 115 дБ и -107 дБ соответственно. Но вообще надо сказать, что в величинах аналоговых цепей остальных компонентов, все это исчезающе малые величины. На текущий момент в линейке представлены четыре модели с одинаковыми характеристиками: AK4452VN, AK4454VN, AK4456VN и AK4458VN.

В самых амбициозных плеерах Astell&Kern AK380 стоит чип AK4490

Для портативной техники предназначен AK4376, у которого тоже очень неплохо: динамический диапазон составляет 125 дБ, искажения -106 дБ. Усилитель работает в классе G и отдает 25 мВ на 32-омную нагрузку. Чип поддерживает параметры 32 бит / 384 кГц, DSD нет, но для портатива его присутствие – скорее красивая вывеска, чем реальное преимущество. Младшая модель AK4375 имеет меньший потолок в 192 кГц и 110 дБ диапазона и 99 дБ искажений. При той же мощности усилителя оба чипа имеют 0,1% искажений при работе с наушниками.

Другие материалы цикла:

Технические характеристики

Рассмотрим максимально возможные характеристики MOSFET-транзистора IRFZ24N:

• напряжение сток-исток (V_DSSmax) до 55 В;
• сопротивление открытого N-канала (R_DS(ON)) до 0.07 Ом;
• допустимый рабочий ток стока(I_{D max}): при температуре кристалла T_C = +25ОС до 17 А; при T_C = +100ОС до 12 А;
• пиковый (импульсный) ток стока (I_{DМ max}) — 68 А;
• рассеиваемая мощность при T_C = +25ОС (P_D) — 45 Вт;
• предельно допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_{GS max}) ±20 В;
• максимальная энергия единичного импульса (E_AS) – 71 мДж;
• пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (I_AR) – 10 А;
• неповторяющаяся энергия, которая может быть рассеяна в условиях лавинного пробоя (E_AR) – 4,5 мДж;
• наибольший возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
• диапазон температур, при которых может храниться изделие от — 55 до +175 °C;
• температура пайки (не более 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от упаковки).

При этом надо знать, что реальные рабочие значения у устройства должны быть меньше предельно допустимых примерно на 20-30%.

Электрические

Электрические параметры IRFZ24N приведены в таблице ниже. Других значения при которых производились измерения, приведены в отдельном столбе. Температура перехода (T_J) равна +25ОС, если не указано другого.

Аналоги

Полным аналогом irfz24n считается транзистор STB140NF55 (STMicroelectronics) . Правда у них корпус ТО220, но расположение выводов (распиновка) совпадает с оригиналом. В большинстве случаев, при его использовании, не потребуется вносить дополнительных изменений в схему. А вот еще возможные варианты замены для рассматриваемого устройства с похожими параметрами: 2SK1114, BUZ10, BUZ101, BUZ101S, BUZ104, BUZ104S, HUF75307P3, HUF75309P3, IRFZ24A, MTP15N06V, MTP20N06V, RFP14N05, RFP14N06, RFP15N06, SFP16N06, STP140NF55, STP16NE06, STP20N06, STPNE06, STP20NF06, 2SK2311, IRFIZ24A, 2SK2311, IRFWZ24A, STB16NF06LT.