Транзисторы — основные параметры и характеристики, маркировка транзисторов

Содержание:

Определение полевого транзистора
Результаты подбора транзистора (поиска аналога)
Примечания
Структура полевого транзистора
- Сфера использования полевых транзисторов
Режимы работы
Результаты подбора транзистора (поиска аналога)
Мощные биполярные транзисторы
Биполярный СВЧ-транзистор
Маркировка

Определение полевого транзистора

Транзистор полевого типа считается полупроводниковым прибором, в конструкции которого регулировка осуществляется измерением проводимости проводящего канала, благодаря использованию поперечного электрического поля.

Другими словами, он является источником тока, который управляется Uз-и. От параметра напряжения между затвором и истоком зависит проводимость канала. Помимо p–n – канальных транзисторов существует их разновидность с затвором из металла, который изолирован от канала кремниевым диэлектриком. Это МДП-транзисторы (металл – диэлектрик, (окисел) – проводник). Транзисторы с использованием окисела называются МОП-транзисторы.

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Hfe	Caps
2SA1452Y	Si	PNP	30	80	80	6	12	175	50	120	TO220
2SA1646	Si	PNP	40	150	120	5	10	175		90	TO220
2SA1757	Si	PNP	25	100	60	5	5		80	160	TO220Fa
2SB1020	Si	PNP	40	100	100	5	7	175		8000	TO220
2SB1021	Si	PNP	40	80	80	5	7	175		8000	TO220
2SB1022	Si	PNP	40	60	60	5	7	175		8000	TO220
2SB1024	Si	PNP	30	100	80	5	4	175		4000	TO220
2SB1033	Si	PNP	40	80	60	5	3	175		120	TO220
2SB1063	Si	PNP	40	100	100	5	5	175		120	TO220
2SB1064	Si	PNP	30	60	60	5	3	175		120	TO220
2SB1078	Si	PNP	40	120	120	7	8	175		1000	TO220
2SB1078K	Si	PNP	40	120	120	7	8	175		1000	TO220
2SB1087	Si	PNP	30	100	100	5	5	175		8000	TO220
2SB1091	Si	PNP	40	60	60	5	8	175		5000	TO220
2SB1099	Si	PNP	25	100	100	5	8	175		6000	TO220
2SB1100	Si	PNP	30	100	100	7	10	175		6000	TO220
2SB1101	Si	PNP	40	60	60	5	4	175		1000	TO220
2SB1102	Si	PNP	40	80	80	5	4	175		1000	TO220
2SB1103	Si	PNP	40	60	60	5	8	175		1000	TO220
2SB1104	Si	PNP	40	80	80	5	8	175		1000	TO220
2SB1105	Si	PNP	30	120	120	5	3	175		1000	TO220
2SB1106	Si	PNP	40	120	120	6	6	175		1000	TO220
2SB1107	Si	PNP	40	120	120	6	10	175		5000	TO220
2SB1108	Si	PNP	50	120	120	6	8	175		5000	TO220
2SB1146	Si	PNP	25	120	100	5	6	175		5000	TO220
2SB1147	Si	PNP	25	120	100	5	8	175		5000	TO220
2SB1185	Si	PNP	25	60	60	5	3	175	35	90	TO220
2SB1187	Si	PNP	35	80	80	5	3	175		90	TO220
2SB1193	Si	PNP	45	120	120	5	8	175		5000	TO220
2SB1195	Si	PNP	50	100	100	5	8	175		5000	TO220
2SB1250	Si	PNP	35	100	100	12	3	175		15000	TO220
2SB1251	Si	PNP	40	110	110	8	4	175		15000	TO220
2SB1252	Si	PNP	45	120	120	8	5	175		15000	TO220
2SB1257	Si	PNP	25	60	60	5	4	175		4000	TO220
2SB1258	Si	PNP	30	100	100	5	6	175		3000	TO220
2SB1259	Si	PNP	40	100	100	5	10	175		3000	TO220
2SB1289	Si	PNP	40	100	100	5	7	175		100	TO220
2SB1290	Si	PNP	30	100	100	5	7	175		100	TO220
2SB1291	Si	PNP	40	80	80	5	5	175		120	TO220
2SB1292	Si	PNP	30	80	80	5	5	175		120	TO220
2SB1293	Si	PNP	40	100	100	5	5	175		120	TO220
2SB1294	Si	PNP	30	100	100	5	5	175		120	TO220
2SB1341	Si	PNP	40	80	80	5	4	175		3000	TO220
2SB1342	Si	PNP	30	80	80	5	4	175		3000	TO220
2SB1343	Si	PNP	40	120	120	5	8	175		10000	TO220
2SB1344	Si	PNP	30	120	120	5	8	175		10000	TO220
2SB1351	Si	PNP	30	60	60	5	12	175		5000	TO220
2SB1370	Si	PNP	30	60	60	6	3	175		120	TO220
2SB1389	Si	PNP	25	60	60	5	4	175		1000	TO220FM
2SB1390	Si	PNP	25	60	60	5	8	175		1000	TO220FM
2SB1391	Si	PNP	25	120	120	5	8	175		1000	TO220FM
2SB1392C	Si	PNP	25	70	70	5	4	175		100	TO220FM
2SB1399	Si	PNP	30	120	120	5	10	175		1000	TO220FM
2SB1400	Si	PNP	25	120	120	5	6	175		1000	TO220FM
2SB1402	Si	PNP	25	120	120	5	3	175		1000	TO220FM
2SB1403	Si	PNP	25	120	120	5	6	175		1000	TO220FM
2SB1404	Si	PNP	25	120	120	5	3	175		1000	TO220FM
2SB1431	Si	PNP	25	100	100	5	8	175		2000	TO220
2SB1432	Si	PNP	30	100	100	5	10	175		1000	TO220
2SB1464	Si	PNP	25	60	60	5	8	175		2000	TO220
2SB1686	Si	PNP	30	110	110		6		100	5000	TO220F
2SB782	Si	PNP	30	60	60	5	4	175		120	TO220
2SB783	Si	PNP	30	80	80	5	4	175		100	TO220
2SB845	Si	PNP	35	130	110	5	4	175		100	TO220
2SB872	Si	PNP	45	60	60	6	8	175		4000	TO220
2SB872A	Si	PNP	45	80	80	6	8	175		4000	TO220
2SB942A	Si	PNP	40	80	60	6	4	175		100	TO220
2SB955	Si	PNP	50	120	120	5	10	175		6000	TO220
2SB955K	Si	PNP	50	120	120	5	10	175		1000	TO220AB
BDW94CF	Si	PNP	30	100	100		12			750	TO220F
NTE2344	Si	PNP	80	120	120	5	12			1000	TO220
NTE2546	Si	PNP	30	70	60	5	5			2000	TO220
NTE2548	Si	PNP	30	110	100	6	8			4000	TO220
NTE262	Si	PNP	65	100	100	5	8			1000	TO220
NTE264	Si	PNP	65	100	100	5	10			1000	TO220

Основные характеристики и параметры светодиода 2835 smd

Всего результатов: 75

Примечания

Невыпрямляющий, или омический контакт — контакт двух разнородных материалов, вольтамперная характеристика которого симметрична при смене полярности и практически линейна.
↑ Прямое смещение p-n-перехода означает, что область p-типа имеет положительный потенциал относительно области n-типа.
Для случая p-n-p все рассуждения аналогичны с заменой слова «электроны» на «дырки» и наоборот, а также с заменой всех напряжений на противоположное по знаку.
Лаврентьев Б. Ф. Схемотехника электронных средств. — М.: Издательский центр «Академия», 2010. — С. 53—68. — 336 с. — ISBN 978-5-7695-5898-6.
Физические основы электроники: метод. указания к лабораторным работам / сост. В. К. Усольцев. — Владивосток: Изд-во ДВГТУ, 2007. — 50 с.:ил.
, с. 284.
, с. 285.
, с. 286.
↑ , с. 292.

P-канальные полевые транзисторы mosfet серии irf, irfh, irfp, irfr, irfu, irfy, irlhs, irlib, irlml, irlms, irlr, irlts, irlu технические характеристики, электрические параметры

Структура полевого транзистора

Маркировка smd транзисторов

Основополагающий принцип работы, на котором осуществляется действие полевого транзистора с использованием управляющего p-n-перехода основывается на изменении проводимости канала, которая возможна благодаря изменению поперечного сечения. Сток и исток включают напряжение полярности, при котором главные носители заряда (ими являются электроны в канале n-типа) движутся от истока к стоку. В свою очередь, между затвором и истоком включается отрицательное напряжение, управляющее запиранием p – n–переходом.

Рис. №2. Структуры (а) полевых транзисторов с управляющим p—n-перехода и (б) структура транзистора с изолированным затвором.

При большем значении напряжения расширяется запирающий активный слой и канал становится уже. С уменьшением поперечного размера канала происходит увеличение сопротивления и уменьшение величины тока между стоком и истоком. Это действие позволяет управлять протеканием тока. При невысоком значении напряжения затвор — исток происходит перекрытие канала запирающим слоем, что снижает проводимость канала. Ширина канала варьируется от нулевого значения до отрицательных величин, иначе говоря, p-n-переходы затвора сдвигаются в обратном направлении, сопротивление увеличивается.

Напряжение на затворе после исчезновения канала и смыкании p-n-перехода, определяется, как напряжение отсечки U– это величина считается одной из основополагающих для всех разновидностей полевых транзисторов.

Рис. №3. Структура полевого транзистора. Канал, расположенный между электродами стоком и истоком сформирован из слабообогащенного полупроводника n-типа.

Сфера использования полевых транзисторов

Полевой транзистор является устройством, рассчитанным на большую мощность, характерным в конструкции регуляторов, конвертеров, драйверов, электродвигателей, реле и мощных биполярных транзисторов. Они применяются в конструкции зарядных устройств, автоэлектроники, устройствах управления температурным режимом, широкополосных и малошумящих усилителях в схемах зарядочувствительных предусилителей и прочее. Для полевых транзисторов характерно наличие высокого входного сопротивления. Управление полевым транзистором производится непосредственно от микросхемы, без применения добавочных усиливающих каскадов.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Режимы работы

Напряжения на эмиттере, базе, коллекторе (UE,UB,UC{\displaystyle U_{E},U_{B},U_{C}})	Смещениеперехода база-эмиттердля типа n-p-n	Смещение перехода база-коллектордля типа n-p-n	Режим для типа n-p-n
UE<UB<UC{\displaystyle U_{E}<U_{B}<U_{C}}	прямое	обратное	нормальныйактивный режим
UE<UB>UC{\displaystyle U_{E}<U_{B}>U_{C}}	прямое	прямое	режим насыщения
UE>UB<UC{\displaystyle U_{E}>U_{B}<U_{C}}	обратное	обратное	режим отсечки
UE>UB>UC{\displaystyle U_{E}>U_{B}>U_{C}}	обратное	прямое	инверсныйактивный режим
Напряжения на эмиттере, базе, коллекторе (UE,UB,UC{\displaystyle U_{E},U_{B},U_{C}})	Смещениеперехода база-эмиттердля типа p-n-p	Смещение перехода база-коллектордля типа p-n-p	Режимдля типа p-n-p
UE<UB<UC{\displaystyle U_{E}<U_{B}<U_{C}}	обратное	прямое	инверсныйактивный режим
UE<UB>UC{\displaystyle U_{E}<U_{B}>U_{C}}	обратное	обратное	режим отсечки
UE>UB<UC{\displaystyle U_{E}>U_{B}<U_{C}}	прямое	прямое	режим насыщения
UE>UB>UC{\displaystyle U_{E}>U_{B}>U_{C}}	прямое	обратное	нормальныйактивный режим

Нормальный активный режим

Переход эмиттер-база включён в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт):

U_ЭБ<0; U_КБ>0 (для транзистора n-p-n типа), для транзистора p-n-p типа условие будет иметь вид U_ЭБ>0; U_КБ<0.

Инверсный активный режим

Эмиттерный переход имеет обратное смещение, а коллекторный переход — прямое: U_КБ<0; U_ЭБ>0 (для транзистора n-p-n типа).

Режим насыщения

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).
Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнётся проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (I_{Э. нас}) и коллектора (I_{К. нас}).

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (U_{КЭ. нас}) — это падение напряжения на открытом транзисторе (смысловой аналог R_{СИ. отк} у полевых транзисторов). Аналогично напряжение насыщения база-эмиттер (U_{БЭ. нас}) — это падение напряжения между базой и эмиттером на открытом транзисторе.

Режим отсечки

В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В).

Режим отсечки соответствует условию U_ЭБ<0,6—0,7 В, или I_Б=0.

Барьерный режим

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет собой своеобразный диод, включённый последовательно с токозадающим резистором.
Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type	Mat	Struct	Pc	Uce	Ic	Hfe	Caps
2N4403SC	Si	PNP	0.35	40	0.6	150	SOT23
2STR2160	Si	PNP	0.5	60	1	250	SOT23
BCW68	Si	PNP	0.35	45	0.8	100	SOT23
BCW68F	Si	PNP	0.35	45	0.8	100	SOT23
BCW68G	Si	PNP	0.35	45	0.8	160	SOT23
BCW68H	Si	PNP	0.35	45	0.8	250	SOT23
BCW68RF	Si	PNP	0.35	45	0.8	100	SOT23
BCW68RG	Si	PNP	0.35	45	0.8	160	SOT23
BCW68RH	Si	PNP	0.35	45	0.8	250	SOT23
BSP15T1	Si	PNP	1.5	200	1	100	SOT23
BSP15T3	Si	PNP	1.5	200	1	150	SOT23
BSP16T3	Si	PNP	1.5	300	1	120	SOT23
BSP31T1	Si	PNP	1.5	60	1	100	SOT23
BSP31T3	Si	PNP	1.5	60	1	100	SOT23
BSP33T1	Si	PNP	1.5	80	1	100	SOT23
BSP33T3	Si	PNP	1.5	80	1	100	SOT23
BSR15	Si	PNP	0.425	40	0.6	100	SOT23
BSR15R	Si	PNP	0.425	40	0.6	100	SOT23
BSR16	Si	PNP	0.425	40	0.6	100	SOT23
BSR16R	Si	PNP	0.425	40	0.6	100	SOT23
BTB1198N3	Si	PNP	0.56	80	1	120	SOT23
BTB1424N3	Si	PNP	0.9	50	3	180	SOT23
BTB5140N3	Si	PNP	0.45	40	2	300	SOT23
BTB5240N3	Si	PNP	0.48	40	2	300	SOT23
CHT2907AGP	Si	PNP	0.35	60	0.6	100	SOT23
CHT2907AGP-A	Si	PNP	0.35	60	0.6	100	SOT23
CHT4403GP	Si	PNP	0.35	40	0.6	100	SOT23
CMMT591	Si	PNP	0.5	60	1	100	SOT23
CMMT591A	Si	PNP	0.5	40	1	300	SOT23
CMPT2907AE	Si	PNP	0.35	60	0.6	100	SOT23
CMPT5401E	Si	PNP	0.35	220	0.6	100	SOT23
CMPT591E	Si	PNP	0.35	60	1	200	SOT23
CMPT7820	Si	PNP	0.35	60	1	100	SOT23
CPBT720	Si	PNP	0.35	40	1.5	300	SOT23
DPBT8105	Si	PNP	0.6	60	1	100	SOT23
DSS5160T	Si	PNP	0.725	60	1	100	SOT23
DSS5240T	Si	PNP	0.6	40	2	260	SOT23
ECG2407	Si	PNP	0.425	60	0.6	100	SOT23
FMMT734	Si	PNP	0.625	100	0.8	15000	SOT23
FSB660	Si	PNP	0.5	60	2	100	SSOT3 SOT23
FSB660A	Si	PNP	0.5	60	2	250	SSOT3 SOT23
KD136C	Si	PNP	12	45	1.5	100	SOT23
KMMT720	Si	PNP	0.35	40	1.5	200	SOT23
KN2907AS	Si	PNP	0.35	60	0.6	100	SOT23
KN2907S	Si	PNP	0.35	40	0.6	100	SOT23
KN4403S	Si	PNP	0.35	40	0.6	100	SOT23
KSR16	Si	PNP	0.35	60	0.8	100	SOT23
KSR16-HF	Si	PNP	0.35	60	0.8	100	SOT23
KSS1C200LT1G	Si	PNP	0.49	100	2	120	SOT23
KTA1571S	Si	PNP	0.35	100	1	150	SOT23
KTN2907AS	Si	PNP	0.35	60	0.6	100	SOT23
KTN2907S	Si	PNP	0.35	40	0.6	100	SOT23
LDTBG12GPT1G	Si	Pre-Biased-PNP	0.5	50	1	300	SOT23
MMBT1116	Si	PNP	0.35	50	1	135	SOT23
MMBT1116A	Si	PNP	0.35	60	1	135	SOT23
MMBT2907AK	Si	PNP	0.35	60	0.6	100	SOT23
MMBT2907ALT1	Si	PNP	0.4	60	0.6	100	SOT23
MMBT2907LT1	Si	PNP	0.4	60	0.6	100	SOT23
MMBT4403K	Si	PNP	0.35	40	0.6	100	SOT23
MMBT591	Si	PNP	0.5	60	1	100	SOT23
MZT127	Si	PNP	2	100	5	1000	SOT23
NSS1C200L	Si	PNP	0.71	100	3	120	SOT23
NSS1C200LT1G	Si	PNP	0.49	100	2	120	SOT23
NSS40200L	Si	PNP	0.71	40	4	250	SOT23
NSS40200LT1G	Si	PNP	0.46	40	2	150	SOT23
NSS60200LT1G	Si	PNP	0.54	60	2	150	SOT23
NSV1C200LT1G	Si	PNP	0.71	100	2	120	SOT23
NSV40200LT1G	Si	PNP	0.46	40	2	150	SOT23
NSV60200LT1G	Si	PNP	0.54	60	2	150	SOT23
SBT2907	Si	PNP	0.35	40	0.6	100	SOT23
SBT2907A	Si	PNP	0.35	60	0.6	100	SOT23
SBT2907AF	Si	PNP	0.35	60	0.6	100	SOT23F
SBT2907F	Si	PNP	0.35	40	0.6	100	SOT23F
TFN1424	Si	PNP	0.9	50	3	180	SOT23
ZXTC2063E6	Si	NPN*PNP	1.1	40	3	200	SOT236
ZXTP05120HFF	Si	PNP	1.5	120	1	3000	SOT23F
ZXTP07040DFF	Si	PNP	1.5	40	3	250	SOT23F
ZXTP19060CFF	Si	PNP	1.5	60	4	200	SOT23F
ZXTP19100CFF	Si	PNP	1.5	100	2	200	SOT23F
ZXTP2025F	Si	PNP	1.2	50	5	200	SOT23
ZXTP2027F	Si	PNP	1.2	60	4	100	SOT23
ZXTP2029F	Si	PNP	1.2	100	3	100	SOT23
ZXTP2039F	Si	PNP	0.35	60	1	100	SOT23
ZXTP2041F	Si	PNP	0.35	40	1	250	SOT23
ZXTP23140BFH	Si	PNP	1.25	140	2.5	100	SOT23
ZXTP25040DFH	Si	PNP	1.25	40	3	200	SOT23
ZXTP25040DFL	Si	PNP	0.35	40	1.5	300	SOT23
ZXTP25060BFH	Si	PNP	1.25	60	3	100	SOT23
ZXTP25100BFH	Si	PNP	1.25	100	2	100	SOT23
ZXTP25100CFH	Si	PNP	1.25	100	1	180	SOT23
ZXTP25140BFH	Si	PNP	1.25	140	1	100	SOT23

Всего результатов: 91

Мощные биполярные транзисторы

Серия транзисторов КТ8284 сочетает в себе достоинство транзисторов Дарлингтона по коэффициенту усиления h₂₁=300-1000 в широком диапазоне токов коллектора I_К=0,25-5А, (U_кэ=1,5В), с присущими биполярным транзисторам динамическими характеристиками и низким напряжениям насыщения U_{кэо_нас} <0,4 В (I_К5А/I_Б40мА). Транзистор в ряде случаев успешно заменяет известный Дарлингтон КТ829.

Серии транзисторов КТ8282 (npn), КТ8283 (pnp),- комплиментарные пары на токи коллектора I_к 25-50А, U_{кэо_гр} 60, 80, 100В с низкими напряжениями насыщения- разработаны для применения в схемах управления двигателями, низковольтных DC/DC и DC/AC преобразователях, источниках бесперебойного питания и источниках лазерной накачки.

Серии ключевых биполярных транзисторов КТ8258, КТ8259, КT8260, КТ847-Э, КТ8285 на токи коллектора I_к 4, 8, 12, 15, 30А, U_{кэо_гр} 300-450В отличаются от выпускаемых аналогов (КТ504, КТ506, КТ841, КТ854, КТ847, КТ856) низкими обратными токами переходов, низкими напряжениями насыщения, линейностью коэффициента усиления в широком диапазоне токов.

Статические характеристики транзисторов этого класса приведены на Рис.3 и 4.

Транзисторы способны работать на индуктивную нагрузку, имеют высокие динамические свойства. Функциональное назначение транзисторов- схемы с индуктивной нагрузкой, критичные к временам спада — импульсные модуляторы, преобразователи, инверторы, контроллеры электродвигателей, вторичные источники питания.

Биполярный СВЧ-транзистор

Биполярные СВЧ-транзисторы (БТ СВЧ) служат для усиления колебаний с частотой свыше 0,3 ГГЦ. Верхняя граница частот БТ СВЧ с выходной мощностью более 1 Вт составляет около 10 ГГц. Большинство мощных БТ СВЧ по структуре относится к n-p-n типу. По методу формирования переходов БТ СВЧ являются эпитаксиально-планарными. Все БТ СВЧ, кроме самых маломощных, имеют многоэмиттерную структуру (гребёнчатую, сетчатую). По мощности БТ СВЧ разделяются на маломощные (рассеиваемая мощность до 0,3 Вт), средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт) и мощные (свыше 1,5 Вт). Выпускается большое число узкоспециализированных типов БТ СВЧ.

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».