P-канальные полевые транзисторы mosfet серии irf, irfh, irfp, irfr, irfu, irfy, irlhs, irlib, irlml, irlms, irlr, irlts, irlu технические характеристики, электрические параметры

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

AP40T03GP MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AP40T03GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 62
ns

Выходная емкость (Cd): 145
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025
Ohm

Тип корпуса: TO220

AP40T03GP
Datasheet (PDF)

1.1. ap40t03gp.pdf Size:62K _ape

AP40T03GS/P
Pb Free Plating Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low Gate Charge RDS(ON) 25mΩ
▼ Fast Switching ID 28A
G
G
▼ RoHS Compliant
S
S
Description
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
G
designer with the best combi

1.2. ap40t03gp-hf ap40t03gs-hf.pdf Size:97K _ape

AP40T03GS/P-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low Gate Charge RDS(ON) 25mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 28A
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
The Advanced Power MOSFETs APEC provide the
Advanced Power MOSFETs fromfrom APEC provide the
G
designer wit

 2.1. ap40t03gi.pdf Size:97K _ape

AP40T03GI
RoHS-compliant Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
D
▼ Low Gate Charge BVDSS 30V
▼ Single Drive Requirement RDS(ON) 25mΩ
▼ Lower On-resistance ID 28A
G
G
S
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and

2.2. ap40t03gh.pdf Size:171K _ape

AP40T03GH/J
RoHS-compliant Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low Gate Charge RDS(ON) 25mΩ
▼ Fast Switching ID 28A
G
S
Description
G
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
D
TO-252(H)
S
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resista

 2.3. ap40t03gh-hf ap40t03gj-hf.pdf Size:97K _ape

AP40T03GH/J-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low Gate Charge RDS(ON) 25mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 28A
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
G
D
designer with the best combination of fast switching,
TO-

2.4. ap40t03gi-hf.pdf Size:96K _ape

AP40T03GI-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Low Gate Charge BVDSS 30V
▼ Single Drive Requirement RDS(ON) 25mΩ
▼ Lower On-resistance ID 28A
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device de

 2.5. ap40t03gj.pdf Size:214K _ape

AP40T03GH/J
RoHS-compliant Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low Gate Charge RDS(ON) 25mΩ
▼ Fast Switching ID 28A
G
S
Description
G
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
D
TO-252(H)
S
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resista

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

IRFZ40PBF Datasheet (PDF)

1.1. irfz40pbf.pdf Size:1476K _update

IRFZ40, SiHFZ40
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 60
• 175 °C Operating Temperature
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.028
• Fast Switching
Qg (Max.) (nC) 67
• Ease of Paralleling
Qgs (nC) 18
Qgd (nC) 25 • Simple Drive Requirements
Configuration Single
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
DESCRIPTION
Third generatio

4.1. irfz40.pdf Size:181K _st

IRFZ40
IRFZ40FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRFZ40 50 V 4.2. irfz40.pdf Size:181K _international_rectifier

IRFZ40
IRFZ40FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRFZ40 50 V

 4.3. irfz40 sihfz40.pdf Size:1475K _vishay

IRFZ40, SiHFZ40
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 60
175 C Operating Temperature
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.028
Fast Switching
Qg (Max.) (nC) 67
Ease of Paralleling
Qgs (nC) 18
Qgd (nC) 25 Simple Drive Requirements
Configuration Single
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs fr

P50N03LTG Datasheet (PDF)

1.1. p50n03ltg.pdf Size:490K _unikc

P50N03LTG
N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS RDS(ON) ID
10mΩ @VGS = 10V
25V 60A
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °
C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS
VGS
Gate-Source Voltage ±20 V
TC = 25 °
C
60
ID
Continuous Drain Current
TC = 100 °
C
38
A
IDM
150
Pulsed Drain Current1
IAS
Avalanche

4.1. sup50n03-5m1p.pdf Size:178K _update_mosfet

SUP50N03-5m1P
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (A) Qg (Typ.)
Definition
0.0051 at VGS = 10 V
50d
• TrenchFET Power MOSFET
30 21.7
0.0063 at VGS = 4.5 V
50d
• 100 % Rg and UIS Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• Power Supply
— Seco

4.2. sup50n03.pdf Size:177K _vishay

STP4NA60FI Datasheet (PDF)

1.1. stp4na60fp.pdf Size:96K _st

STP4NA60FP
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
TYPE V R I
DSS DS(on) D
STP4NA60FP 600 V 2.1. stp4na60.pdf Size:405K _st

STP4NA60
STP4NA60FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP4NA60 600 V

 4.1. stp4na90 stp4na90fi.pdf Size:239K _upd



4.2. stp4na40.pdf Size:382K _st

STP4NA40
STP4NA40FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP4NA40 400 V

 4.3. stp4na80-fi.pdf Size:391K _st

STP4NA80
STP4NA80FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP4NA80 800 V 4.4. stp4na80.pdf Size:383K _st

STP4NA80
STP4NA80FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP4NA80 800 V

 4.5. stp4na100.pdf Size:77K _st

STP4NA100
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP4NA100 1000 V

ME60N03A Datasheet (PDF)

1.1. me60n03a.pdf Size:649K _update

ME60N03A
25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDS=25V
RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A = 8.5mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@30A =13mΩ
FEATURES
Advanced trench process technology
High density cell design for ultra low on-resistance
Specially designed for DC/DC converters and motor drivers
Fully characterized avalanche voltage and current
PIN CONFIGURATION
(TO-252)
Top View
Absolute

3.1. me60n03.pdf Size:677K _update

ME60N03
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDS=30V
RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A = 8.5mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@20A =13mΩ
FEATURES
Advanced trench process technology
High density cell design for ultra low on-resistance
Specially designed for DC/DC converters and motor drivers
Fully characterized avalanche voltage and current
PIN CONFIGURATION
(TO-252)
Top View
Absolute M

UT40N03 Datasheet (PDF)

1.1. ut40n03.pdf Size:261K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UT40N03 Power MOSFET
40 Amps, 30 Volts
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UT40N03 power MOSFET provide the designer with the
best combination of fast switching,ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness
FEATURES
* RDS(ON) = 17m? @VGS = 10 V
* Low capacitance
* Optimized gate charge
* Fast switching capability

1.2. ut40n03t.pdf Size:218K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UT40N03T Power MOSFET
30V, 28A N-CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
FEATURES
* RDS(ON) = 25m? @VGS = 10 V
* Low capacitance
* Optimized gate charge
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
SYMBOL
2.Drain
1.Gate
3.Source
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free

 4.1. ut40n04.pdf Size:124K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UT40N04 Preliminary Power MOSFET
N-CHANNEL LOGIC LEVEL
ENHANCEMENT MODE FIDLD
EFFECT TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 40N04 is an N-channel enhancement mode FET using
advanced technology to provide fast switching speed, ruggedized
device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
* Low on-Resistance
* Fast Switching Speed
* H

NTD40N03R Datasheet (PDF)

1.1. ntd40n03r-1g ntd40n03rg.pdf Size:119K _update-mosfet

NTD40N03R
Power MOSFET
45 A, 25 V, N-Channel DPAK
Features
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
http://onsemi.com
• Low Ciss to Minimize Driver Loss
• Low Gate Charge
45 AMPERES, 25 VOLTS
• Optimized for High Side Switching Requirements in
RDS(on) = 12.6 mW (Typ)
High-Efficiency DC-DC Converters
• These are Pb-Fr

1.2. ntd40n03r.pdf Size:122K _onsemi

NTD40N03R
Power MOSFET
45 A, 25 V, N-Channel DPAK
Features
Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
http://onsemi.com
Low Ciss to Minimize Driver Loss
Low Gate Charge
45 AMPERES, 25 VOLTS
Optimized for High Side Switching Requirements in
RDS(on) = 12.6 mW (Typ)
High-Efficiency DC-DC Converters
These are Pb-Free Devices
N-C

AP40P03GH Datasheet (PDF)

1.1. ap40p03gh.pdf Size:216K _ape

AP40P03GH/J
RoHS-compliant Product
Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Lower On-resistance BVDSS -30V
▼ Simple Drive Requirement RDS(ON) 28mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID -30A
G
S
Description
G
D
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial
S
TO-252(H)
surface mount applications and suited for low volt

1.2. ap40p03gh-hf ap40p03gj-hf.pdf Size:216K _ape

AP40P03GH/J-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Lower On-resistance BVDSS -30V
▼ Simple Drive Requirement RDS(ON) 28mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID -30A
G
▼ RoHS Compliant
S
Description
G
D
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial
S
TO-252(H)
surface mount applications an

 2.1. ap40p03gi-hf.pdf Size:95K _ape

AP40P03GI-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Lower On-resistance BVDSS -30V
▼ Simple Drive Requirement RDS(ON) 28mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID -30A
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the
best combination of fast switching, rugged

2.2. ap40p03gp.pdf Size:117K _ape

AP40P03GP
RoHS-compliant Product
Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Lower Gate Charge BVDSS -30V
▼ Simple Drive Requirement RDS(ON) 28mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID -30A
G
S
Description
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with
the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resist

 2.3. ap40p03gi.pdf Size:166K _ape

AP40P03GI-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
▼ Lower On-resistance D BVDSS -30V
▼
▼
▼
▼ Simple Drive Requirement RDS(ON) 28mΩ
▼
▼
▼
▼ Fast Switching Characteristic ID -30A
▼
▼
▼
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
▼
▼
▼
S
Description
AP40P03 series are from Advanced Power innova

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя.  Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

• Infineon Technologies (брэнд International Rectifier);
• Philips Semiconductors;
• INCHANGE Semiconductor;
• Leshan Radio Company.

IXTP3N60P Datasheet (PDF)

1.1. ixta3n60p ixtp3n60p ixty3n60p.pdf Size:228K _ixys

IXTA 3N60P
VDSS = 600 V
PolarHVTM
IXTP 3N60P
ID25 = 3.0 A
Power MOSFET
IXTY 3N60P
? ?
RDS(on) ? 2.9 ?
? ?
? ?
? ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
TO-263 (IXTA)
VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V
VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 600 V
VGS Continuous 30 V
G
S
VGSM Transient 40 V
(TAB)
ID25 TC = 25 C 3.0 A
TO-220 (IXTP)

4.1. ixta3n50d2-ixtp3n50d2.pdf Size:168K _ixys

Depletion Mode VDSX = 500V
IXTA3N50D2
MOSFET ID(on) > 3A
IXTP3N50D2
? ?
RDS(on) ? 1.5?
? ?
? ?
? ?
N-Channel
TO-263 AA (IXTA)
G
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
S
VDSX TJ = 25C to 150C 500 V
D (Tab)
VGSX Continuous 20 V
VGSM Transient 30 V
TO-220AB (IXTP)
PD TC = 25C 125 W
TJ — 55 … +150 C
TJM 150 C
Tstg — 55 … +150 C
G
D
D (Tab)
S
TL 1.6mm (0.062 in.)

4.2. ixta3n50p ixtp3n50p ixty3n50p.pdf Size:237K _ixys

IXTA 3N50P VDSS = 500 V
PolarHVTM
IXTP 3N50P ID25 = 3.6 A
Power MOSFET
? ?
IXTY 3N50P RDS(on) ? 2.0 ?
? ?
? ?
? ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
TO-220 (IXTP)
VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V
VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 500 V
VGSS 30 V
VGSM 40 V
(TAB)
G
D
S
ID25 TC = 25 C 3.6 A
IDM TC = 25 C, pulse width limited

 4.3. ixtm3n80 ixtm3n80a ixtm3n90 ixtm3n90a ixtp3n80 ixtp3n80a ixtp3n90 ixtp3n90a.pdf Size:65K _ixys



4.4. ixta3n120 ixtp3n120.pdf Size:562K _ixys

VDSS ID25 RDS(on)
High Voltage
IXTA 3N120
?
?
?
?
Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 ?
IXTP 3N120
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
TO-220 (IXTP)
VDSS TJ = 25C to 150C 1200 V
VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 1200 V
VGS Continuous 20 V
D (TAB)
G
VGSM Transient 30 V D
S
ID25 TC = 25C3 A
IDM TC = 25C, pulse width limi

IPP09N03LA Datasheet (PDF)

1.1. ipp09n03la.pdf Size:311K _infineon

IPB09N03LA
IPI09N03LA, IPP09N03LA
OptiMOS2 Power-Transistor
Product Summary
Features
V 25 V
DS
• Ideal for high-frequency dc/dc converters
R (SMD version) 8.9
m
DS(on),max
• N-channel
I 50 A
D
• Logic level
• Excellent gate charge x R product (FOM)
DS(on)
• Very low on-resistance R
DS(on)
P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1
• Superior thermal resistance
• 1

5.1. ipb096n03lg ipp096n03lg.pdf Size:636K _update-mosfet

 pe %% # !
% # !
% (>.;?6?@
%>E
Features
D
Q 2CD CG:D49:?8 ‘) — . 7@B -‘*-
m
— @? >2H
Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC
D
1)
Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C
Q ( 492??6= =@8:4 =6F6=
Q H46==6?D 82D6 492B86 H D n) AB@5E4D ) ‘
Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)
Q F2=2?496 B2D65
Q *3 7B66 A=2D:?8 , @»- 4@>A=:2?D
Q «2=@86? 7B66 244@B5:?

5.2. ipp093n06n3 ipb093n06n3 rev1.2.pdf Size:687K _infineon

pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G

3 Power-Transistor
Product Summary
Features
V
D
P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),
R m
, ?> =1G ,&
P G35C 71C5 381A75 G R @A?4D3C ( &
D n)
I
D
P .5AH <?F ?> A5B9BC1>35 R
D n)
P ‘ 381>>5?A=1385 A1C54
1)
P * D17 C? $ 6?A C1A75C 1@@B
P )2 6A55 @7 + ?», 3?=@C
P «175> 6A55

 5.3. ipp096n03l.pdf Size:614K _infineon

 pe %% # !
% # !
% (>.;?6?@
%>E
Features
D
Q 2CD CG:D49:?8 ‘) — . 7@B -‘*-
m
— @? >2H
Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC
D
1)
Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C
Q ( 492??6= =@8:4 =6F6=
Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ‘
D n)
Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46
D n)
Q F2=2?496 B2D65
Q *3 7B66 A=2D:?8 , @»- 4@>A=:2?D
Q «2=@86? 7B66 244@B

5.4. ipp096n03l rev2.0.pdf Size:617K _infineon

pe %% # !
% # !
% (>.;?6?@
%>E
Features
D
Q 2CD CG:D49:?8 ‘) — . 7@B -‘*-
m
— @? >2H
Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC
D
1)
Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C
Q ( 492??6= =@8:4 =6F6=
Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ‘
D n)
Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46
D n)
Q F2=2?496 B2D65
Q *3 7B66 A=2D:?8 , @»- 4@>A=:2?D
Q «2=@86? 7B66 244@B5:?

 5.5. ipb090n06n3 ipp093n06n3.pdf Size:295K _infineon

Type IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G
OptiMOS3 Power-Transistor
Product Summary
Features
V 60 V
DS
• for sync. rectification, drives and dc/dc SMPS
R 9
mΩ
DS(on),max (SMD)
• Excellent gate charge x R product (FOM)
DS(on)
I 50 A
D
• Very low on-resistance R
DS(on)
• N-channel, normal level
• Avalanche rated
• Qualified according to JEDEC1) for target applications

5.6. ipp093n06n3.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP093N06N3，IIPP093N06N3
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤9mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры

После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается.  Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с  HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

STP3NA80FI Datasheet (PDF)

2.1. stp3na80.pdf Size:383K _st

STP3NA80
STP3NA80FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP3NA80 800 V 4.1. stp3na50.pdf Size:196K _upd

STP3NA50
STP3NA50FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE V R I
DSS DS(on) D
STP3NA50 500 V 4.2. stp3na90-.pdf Size:59K _st

STP3NA90
STP3NA90FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
TYPE V R I
DSS DS(o n) D
STP3NA90 900 V

 4.3. stp3na100.pdf Size:365K _st

STP3NA100
STP3NA100FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP3NA100 1000 V 4.4. stp3na60.pdf Size:436K _st

STP3NA60
STP3NA60FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP3NA60 600 V

 4.5. stp3na50.pdf Size:397K _st

STP3NA50
STP3NA50FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP3NA50 500 V 4.6. stp3na90.pdf Size:111K _st

STP3NA90
STP3NA90FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP3NA90 900 V