Высоковольтный полевой транзистор irfp450. моп, mosfet. свойства, параметры, применение, данные, datasheet. irfp 450

IRF450B MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF450B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 47
ns

Выходная емкость (Cd): 720
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4
Ohm

Тип корпуса: TO3P

IRF450B
Datasheet (PDF)

1.1. irf450b irf450c.pdf Size:409K _upd

RoHS
IRF450 Series RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
N-Channel Power MOSFET
14A, 500Volts
DESCRIPTION
D
The Nell IRF450 is a three-terminal silicon device
with current conduction capability of 14A, fast switching
speed, low on-state resistance, breakdown voltage
rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts.
They are designed for use in applications such as
G

4.1. 2n6770 irf450.pdf Size:144K _international_rectifier

PD — 90330F
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450
HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6770
THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770
500V, N-CHANNEL
Product Summary
Part Number BVDSS RDS(on) ID
IRF450 500V 0.400Ω 12A
The HEXFETtechnology is the key to International
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.
The efficient geometry and unique processing of this latest
“S

4.2. irf450.pdf Size:56K _intersil

IRF450
Data Sheet March 1999 File Number 1827.3
13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Features
Power MOSFET
• 13A, 500V
This N-Channel enhancement mode silicon gate power field
• rDS(ON) = 0.400Ω
effect transistor is an advanced power MOSFET designed,
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
tested, and guaranteed to withstand a specified level of
energy in the breakdown avalanche mode

Другие MOSFET… IRF431
, IRF432
, IRF433
, IRF441
, IRF442
, IRF443
, IRF4410A
, IRF4410H
, IRF1010E
, IRF450C
, IRF460B
, IRF460C
, IRF510PBF
, IRF510STRLPBF
, IRF510STRRPBF
, IRLMS1503PBF-1
, IRLMS1503PBF
.

IRF450C MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF450C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 47
ns

Выходная емкость (Cd): 720
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4
Ohm

Тип корпуса: TO247AB

IRF450C
Datasheet (PDF)

1.1. irf450b irf450c.pdf Size:409K _upd

RoHS
IRF450 Series RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
N-Channel Power MOSFET
14A, 500Volts
DESCRIPTION
D
The Nell IRF450 is a three-terminal silicon device
with current conduction capability of 14A, fast switching
speed, low on-state resistance, breakdown voltage
rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts.
They are designed for use in applications such as
G

4.1. 2n6770 irf450.pdf Size:144K _international_rectifier

PD — 90330F
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450
HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6770
THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770
500V, N-CHANNEL
Product Summary
Part Number BVDSS RDS(on) ID
IRF450 500V 0.400Ω 12A
The HEXFETtechnology is the key to International
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.
The efficient geometry and unique processing of this latest
“S

4.2. irf450.pdf Size:56K _intersil

IRF450
Data Sheet March 1999 File Number 1827.3
13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Features
Power MOSFET
• 13A, 500V
This N-Channel enhancement mode silicon gate power field
• rDS(ON) = 0.400Ω
effect transistor is an advanced power MOSFET designed,
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
tested, and guaranteed to withstand a specified level of
energy in the breakdown avalanche mode

Другие MOSFET… IRF432
, IRF433
, IRF441
, IRF442
, IRF443
, IRF4410A
, IRF4410H
, IRF450B
, IRFB4227
, IRF460B
, IRF460C
, IRF510PBF
, IRF510STRLPBF
, IRF510STRRPBF
, IRLMS1503PBF-1
, IRLMS1503PBF
, IRLMS1902PBF
.

Параметры, характеристики irfp450

Вашему вниманию подборки материалов: Конструирование источников питания и преобразователей напряжения Разработка источников питания и преобразователей напряжения. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам

Максимально допустимое напряжение: 500 В.

Максимально допустимый средний ток (при условии выполнения требований по мощности) при температуре корпуса 25 грЦ: 14 А.

Максимально допустимый средний ток (при условии выполнения требований по мощности) при температуре корпуса 100 грЦ: 9 А.

Какая будет температура у корпуса в реальных условиях, предсказать тяжело. Я советую использовать этот прибор на ток до 10 — 11 А. Эти транзисторы легко можно соединять параллельно, если нужны большие токи.

Максимальный импульсный ток: 56 А. Конечно, вероятно, МОП транзистор irfp 450 может выдержать этот ток одноразово, в течение очень короткого времени. Но по моей практике пиковая сила тока через этот MOSFET не должна превышать 30 — 35 А. Иначе устройство будет работать ненадежно.

Максимальная рассеиваемая мощност:ь 190 Вт. Я на самом деле сделал устройство, где этот транзистор рассеивал близкую мощность. Применялось жидкостное охлаждение. irfp50 отлично работает в нем и по сей день.

Максимальная энергия, которая может рассеиваться прибором периодически: 19 мДж.

Максимальное напряжение на затворе: +- 20 В.

Управляющее напряжение: от 10 до 15 В. Вообще использование более высокого управляющего напряжения снижает потери и нагрев, но нельзя допускать превышения максимального напряжения на затворе с учетом некоторых его бросков в результате переходных процессов. Отсюда и выбран интервал.

Сопротивление в открытом состоянии при управляющем напряжении 10 В, токе стока 8.4 А: 0.4 Ом. Если управляющее напряжение будет больше, то сопротивление будет немного меньше. При росте тока сопротивление тоже немного снижается. Но для оценки потерь на проводимость имеет смысл использовать именно это значение, тогда Вы получите расчетное значение немного выше реального, что неплохо.

Емкость затвор — исток: 2.6 нФ.

Емкость затвор — сток: 0.2 нФ.

Емкость исток — сток: 0.72 нФ.

IRFP450R Datasheet (PDF)

1.1. irfp450r irfp451r irfp452r irfp453r.pdf Size:204K _upd-mosfet



1.2. irfp450r.pdf Size:236K _update-mosfet

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP450R
FEATURES
·Drain Current –I = 14A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 500V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.4Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·Designed for use in switch mode power supplies

 1.3. irfp450r irfp451r irfp452r irfp453r.pdf Size:204K _international_rectifier



1.4. irfp450r.pdf Size:236K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP450R
FEATURES
·Drain Current –I = 14A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 500V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.4Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·Designed for use in switch mode power supplies

IRFP450A Datasheet (PDF)

1.1. irfp450apbf.pdf Size:195K _upd-mosfet

PD -95054
SMPS MOSFET
IRFP450APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40Ω 14A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avala

1.2. irfp450a.pdf Size:101K _international_rectifier

PD -91884
SMPS MOSFET
IRFP450A
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 500V 0.40Ω 14A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current

 1.3. irfp450apbf.pdf Size:195K _international_rectifier

PD -95054
SMPS MOSFET
IRFP450APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40Ω 14A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avala

1.4. irfp450a.pdf Size:942K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.4
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 14 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.308 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

 1.5. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay

IRFP450A, SiHFP450A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.40
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 64
Ruggedness
COMPLIANT
Qgs (nC) 16
Fully Characterized Capacitance and
Qgd (nC) 26
Avalanche Voltage and Current
Configuration Sin

Устройства с использованием irfp450

(читать дальше…) :: (в начало статьи)

1

2

:: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Еще статьи

Проверка биполярного, полевого транзисторов, МОП, FET, MOSFET. Провери…
Как проверить исправность биполярного и полевого транзисторов. Методика испытани…

Применение полевых транзисторов, МОП, FET, MOSFET. Использование. Схем…
Типичные схемы с полевыми транзисторами. Применение МОП….

Мощный полевой транзистор irfp2907. МОП, MOSFET. Свойства, параметры, …
Применение и параметры IRFP2907, мощного полевого транзистора, рассчитанного на …

Преобразователь однофазного в трехфазное. Конвертер одной фазы в три. …
Схема преобразователя однофазного напряжения в трехфазное….

Импульсный источник питания. Своими руками. Самодельный. Сделать. Лабо…
Схема импульсного блока питания. Расчет на разные напряжения и токи….

Силовой мощный импульсный трансформатор, дроссель. Намотка. Изготовить…
Приемы намотки импульсного дросселя / трансформатора….

Инвертор, преобразователь, чистая синусоида, синус…
Как получить чистую синусоиду 220 вольт от автомобильного аккумулятора, чтобы за…

Практика проектирования электронных схем. Самоучитель электроники….
Искусство разработки устройств. Элементная база радиоэлектроники. Типовые схемы….

IRFP450APBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFP450APBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 36
ns

Выходная емкость (Cd): 307
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4
Ohm

Тип корпуса: TO247AC

IRFP450APBF
Datasheet (PDF)

1.1. irfp450apbf.pdf Size:195K _upd-mosfet

PD -95054
SMPS MOSFET
IRFP450APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40Ω 14A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avala

1.2. irfp450apbf.pdf Size:224K _international_rectifier

PD -95054
SMPS MOSFET
IRFP450APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40? 14A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche V

 2.1. irfp450a.pdf Size:101K _international_rectifier

PD -91884
SMPS MOSFET
IRFP450A
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 500V 0.40? 14A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
G D

2.2. irfp450a.pdf Size:942K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.4
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 14 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.308 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

 2.3. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay

IRFP450A, SiHFP450A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.40
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 64
Ruggedness
COMPLIANT
Qgs (nC) 16
Fully Characterized Capacitance and
Qgd (nC) 26
Avalanche Voltage and Current
Configuration Sin

Другие MOSFET… IRFP440R
, IRFP4410ZPBF
, IRFP441R
, IRFP442R
, IRFP443R
, IRFP4468PBF
, IRFP448PBF
, IRFP449
, IRLR2905
, IRFP450B
, IRFP450N
, IRFP450NPBF
, IRFP450PBF
, IRFP450R
, IRFP451R
, IRFP452R
, IRFP453R
.

IRF450B Datasheet (PDF)

1.1. irf450b irf450c.pdf Size:409K _upd

RoHS
IRF450 Series RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
N-Channel Power MOSFET
14A, 500Volts
DESCRIPTION
D
The Nell IRF450 is a three-terminal silicon device
with current conduction capability of 14A, fast switching
speed, low on-state resistance, breakdown voltage
rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts.
They are designed for use in applications such as
G

4.1. 2n6770 irf450.pdf Size:144K _international_rectifier

PD — 90330F
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450
HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6770
THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770
500V, N-CHANNEL
Product Summary
Part Number BVDSS RDS(on) ID
IRF450 500V 0.400Ω 12A
The HEXFETtechnology is the key to International
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.
The efficient geometry and unique processing of this latest
“S

4.2. irf450.pdf Size:56K _intersil

IRF450
Data Sheet March 1999 File Number 1827.3
13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Features
Power MOSFET
• 13A, 500V
This N-Channel enhancement mode silicon gate power field
• rDS(ON) = 0.400Ω
effect transistor is an advanced power MOSFET designed,
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
tested, and guaranteed to withstand a specified level of
energy in the breakdown avalanche mode

IRFP450APBF Datasheet (PDF)

1.1. irfp450apbf.pdf Size:195K _upd-mosfet

PD -95054
SMPS MOSFET
IRFP450APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40Ω 14A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avala

1.2. irfp450apbf.pdf Size:224K _international_rectifier

PD -95054
SMPS MOSFET
IRFP450APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.40? 14A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche V

 2.1. irfp450a.pdf Size:101K _international_rectifier

PD -91884
SMPS MOSFET
IRFP450A
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 500V 0.40? 14A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
G D

2.2. irfp450a.pdf Size:942K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.4
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 14 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.308 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

 2.3. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay

IRFP450A, SiHFP450A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.40
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 64
Ruggedness
COMPLIANT
Qgs (nC) 16
Fully Characterized Capacitance and
Qgd (nC) 26
Avalanche Voltage and Current
Configuration Sin

IRFP450N Datasheet (PDF)

1.1. irfp450n irfp450npbf.pdf Size:129K _upd-mosfet

IRFP450N, SiHFP450N
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Requirement
RoHS
RDS(on) (Max.) (Ω)VGS = 10 V 0.37
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
COMPLIANT
Ruggedness
Qg (Max.) (nC) 77
• Fully Characterized Capacitance and
Qgs (nC) 26
Avalanche Voltage and Current
Qgd (nC) 34
• Effect

1.2. irfp450n.pdf Size:121K _international_rectifier

PD- 94216
SMPS MOSFET
IRFP450N
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptible Power Supply 500V 0.37Ω 14A
l High Speed Power Switching
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Cur

 1.3. irfp450npbf.pdf Size:199K _international_rectifier

PD- 95663
SMPS MOSFET
IRFP450NPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptible Power Supply 500V 0.37Ω 14A
l High Speed Power Switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche

IRFS450 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFS450

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4
Ohm

Тип корпуса: TO3P

IRFS450
Datasheet (PDF)

1.1. irfs450a.pdf Size:238K _update-mosfet

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS450A
FEATURES
·Avalanche Rugged Technology
·Rugged Gate Oxide Technology
·Lower Input Capacitance
·Improved Gate Charge
·Extended Safe Operating Area
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·Designed for use in switch mode power supplies and general
purpose appl

1.2. irfs450b.pdf Size:687K _fairchild_semi

November 2001
IRFS450B
500V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 9.6A, 500V, RDS(on) = 0.39Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 87 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 60 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
• Fast

 1.3. irfs450a.pdf Size:238K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS450A
FEATURES
·Avalanche Rugged Technology
·Rugged Gate Oxide Technology
·Lower Input Capacitance
·Improved Gate Charge
·Extended Safe Operating Area
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·Designed for use in switch mode power supplies and general
purpose appl

Другие MOSFET… IRFS431
, IRFS432
, IRFS433
, IRFS440
, IRFS440A
, IRFS441
, IRFS442
, IRFS443
, RFP50N06
, IRFS450A
, IRFS451
, IRFS452
, IRFS453
, IRFS510A
, IRFS520
, IRFS520A
, IRFS521
.