F12c20c диод характеристики на русском
Содержание:
Related Datasheets
Номер в каталоге | Описание | Производители |
F20C20 | (F20C05 — F20C20) Dual Fast Recovery Power Rectifiers | Mospec |
F20C20A | (F20C05 — F20C20) Switchmode Dual Fast Recovery Power Rectifiers | Thinki Semiconductor |
F20C20C | (F20C05 — F20C20) Switchmode Dual Fast Recovery Power Rectifiers | Thinki Semiconductor |
F20C20D | (F20C05 — F20C20) Switchmode Dual Fast Recovery Power Rectifiers | Thinki Semiconductor |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
6MBP200RA-060 |
Intelligent Power Module |
Fuji Electric |
ADF41020 |
18 GHz Microwave PLL Synthesizer |
Analog Devices |
AN-SY6280 |
Low Loss Power Distribution Switch |
Silergy |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |
Монтаж
Для установки элементов в корпусе D0-41 используется выводная схема монтажа, при этом допускается как горизонтальное, так и вертикальное положение детали (относительно печатной платы). Пайка должна производится «мягким» (низкотемпературным) припоем с точкой плавления менее 210-220°С, например, ПОС-61. Процесс должен занимать не более 10 секунд, чтобы не допустить перегрев элемента.
Заметим, что в даташите указана пороговая температура 260°С, но, как показывает практика, в данном случае лучше перестраховаться, чем испортить деталь и тратить время на ее выпаивание обратно.
Диоды в корпусе D0-215, как и все SMD элементы, устанавливаются по методике поверхностного монтажа, с применением для этой цели специальной паяльной пасты.
F20C20C Datasheet Download — Thinki Semiconductor
Номер произв | F20C20C | ||
Описание | (F20C05 — F20C20) Switchmode Dual Fast Recovery Power Rectifiers | ||
Производители | Thinki Semiconductor | ||
логотип | |||
1Page
F20C05 thru F20C20 F20C05 thru F20C20 MAXIMUM RATINGS AND ELECTRIAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol F20C05A F20C10A F20C15A F20C20A F20C05D F20C10D F20C15D F20C20D VRRM VRWM VR 50 VR(RMS) 35 TC=125 Per Total Device IF(AV) Peak Repetitive Forward Current (Rate VR, Square Wave, 20kHz) IFM Non-Repetitive Peak Surge Current IFSM Operating and Storage Junction TJ , Tstg 10 Symbol F20C05A F20C10A F20C15A F20C20A F20C05D F20C10D F20C15D F20C20D ( IF =10 Amp TC = 25 ) VF 1.30 ( Rated DC Voltage, TC = 25 ) ( Rated DC Voltage, TC = 125 ) IR 10 uA ( IF = 0.5 A, IR =1.0 , Irr =0.25 A ) Trr 150 CP 55 PF DIM MILLIMETERS MIN MAX
F20C05 thru F20C20 FIG-3 FORWARD CURRENT DERATING CURVE |
|||
Всего страниц | 2 Pages | ||
Скачать PDF |
Типы диодов
Диоды бывают электровакуумными (кенотроны), газонаполненными (газотроны, игнитроны, стабилитроны коронного и тлеющего разряда), полупроводниковыми и др. В настоящее время в подавляющем большинстве случаев применяются полупроводниковые диоды.
Диоды | ||||||||||||||||
Полупроводниковые | Не полупроводниковые | |||||||||||||||
Газозаполненные | Вакуумные |
Ламповые диоды
Ламповые диоды представляют собой радиолампу с двумя рабочими электродами, один из которых подогревается проходящим через него током из специальной цепи накала или отдельной нитью накала. Благодаря этому часть электронов покидает поверхность разогретого электрода (катода) и под действием электрического поля движется к другому электроду — аноду. Если электрическое поле направлено в противоположную сторону, поле препятствует движению электронов, и тока (практически) нет.
Полупроводниковые диоды
Полупроводниковый диод в стеклянном корпусе. На фотографии виден полупроводник с подходящими к нему контактами
Полупроводниковый диод состоит либо из полупроводников p-типа и n-типа (полупроводников с разным типом примесной проводимости), либо из полупроводника и металла (диод Шоттки). Контакт между полупроводниками называется p-n переходом и проводит ток в одном направлении (обладает односторонней проводимостью).
Специальные типы диодов
Цветные светодиоды
Светодиод ультрафиолетового спектра излучения (увеличен)
- Стабилитрон (диод Зенера) — диод, работающий в режиме (обратимого) пробоя p-n-перехода (см. обратную ветвь вольт-амперной характеристики). Используются для стабилизации напряжения.
- Туннельный диод (диод Лео Эсаки) — диод, в котором используются квантовомеханические эффекты. На вольт-амперной характеристике имеет область так называемого «отрицательного сопротивления». Применяются как усилители, генераторы и пр.
- Обращённый диод — диод, имеющий гораздо более низкое падение напряжения в открытом состоянии, чем обычный диод. Принцип работы такого диода основан на туннельном эффекте.
- Точечный диод — диод, отличающийся низкой ёмкостью p-n-перехода и наличием на обратной ветви вольт-амперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Ранее использовались в СВЧ-технике (благодаря низкой ёмкости p-n-перехода) и применялись в генераторах и усилителях (благодаря наличию на обратной ветви вольт-амперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением).
- Варикап (диоды Джона Джеумма) — диод, обладающий большой ёмкостью при запертом p-n-переходе, зависимой от приложенного обратного напряжения. Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости (управляемых напряжением).
- Светодиод (диоды Генри Раунда) — диод, отличающийся от обычного диода тем, что излучает фотоны при рекомбинации электронов и дырок в p-n-переходе. Выпускаются светодиоды с излучением в инфракрасном, видимом, а с недавних пор — и в ультрафиолетовом диапазоне.
- Полупроводниковый лазер — диод, близкий по устройству к светодиоду, но имеющий оптический резонатор. Излучает когерентный свет.
- Фотодиод — диод, управляемый светом.
- Солнечный элемент — диод, похожий на фотодиод, но работающий без смещения. Падающий на p-n-переход свет вызывает движение электронов и генерацию тока.
- Диод Ганна — диод, используемый для генерации и преобразования частоты в СВЧ-диапазоне.
- Диод Шоттки — диод с малым падением напряжения при прямом включении.
- Лавинный диод — диод, принцип работы которого основан на лавинном пробое (см. обратный участок вольт-амперной характеристики). Применяется для защиты цепей от перенапряжений.
- Лавинно-пролётный диод — диод, принцип работы которого основан на лавинном умножении носителей заряда. Применяется для генерации колебаний в СВЧ-технике.
- Магнитодиод — диод, вольт-амперная характеристика которого существенно зависит от значения индукции магнитного поля и расположения его вектора относительно плоскости p-n-перехода.
- Стабистор — диод, при работе которых используется участок ветви вольт-амперной характеристики, соответствующий «прямому напряжению» на диоде.
- Смесительный диод — диод, предназначенный для перемножения двух высокочастотных сигналов.
- pin-диод — диод, обладающий меньшей ёмкостью за счёт наличия между сильнолегированными полупроводниками p- и n-типов материала, характеризующегося собственной проводимостью. Используется в СВЧ-технике, силовой электронике, как фотодетектор.
Как проверить 1N4007?
С проверкой данного полупроводникового компонента проблем не возникнет, он тестируется так же, как и обычные диоды. Для этого процесса нам понадобится только мультиметр или омметр.
Расскажем пошаговый алгоритм тестирования:
- включаем прибор и переводим его в режим «Прозвонка» так, как продемонстрировано на рисунке. Если у вас другая модель мультиметра, обратитесь к руководству пользователя, оно прилагается к каждому измерительному прибору. Режим для проверки диодов отмечен синим квадратом
- Подключаем щупы к проверяемой детали, причем красный к аноду, а черный к катоду. При такой полярности через диод 1N4007 будет проходить ток, что отобразится на дисплее прибора. Если он показывает бесконечно большое сопротивление, значит, можно с уверенностью констатировать внутренний обрыв, и на этом заканчивать тестирование.
- Меняем полярность подключения и смотрим на показания мультиметра. При смене направления (полярности) диод не пропускает через себя напряжение, следовательно, сопротивление будет бесконечно большим. Другие показания говорят о пробое перехода.
Этих действий вполне достаточно для определения работоспособности полупроводниковых диодов этой серии.
«>
F12C20C Datasheet Download — Thinki Semiconductor
Номер произв | F12C20C | ||
Описание | 12.0 Ampere Common Cathode Fast Recovery Rectifier Diode | ||
Производители | Thinki Semiconductor | ||
логотип | |||
1Page
F12C20C thru F12C60C F12C20C thru F12C60C Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. Current TC=100oC VRRM VRMS VDC IF(AV) F12C20C IFSM 100 Maximum DC Reverse Current @TJ=25oC At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125oC Maximum Reverse Recovery Time (Note 1) VF IR Trr CJ R JC TJ, TSTG 0.98 oCW oC NOTES : (1) Reverse recovery test conditions IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A. (2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.
F12C20C thru F12C60C FIG.1 — FORWARD CURRENT DERATING CURVE 0 50 CASE TEMPERATURE, oC 150 6 F12C60C TJ=25oC PULSE WIDTH=300uS 100 Pulse Width 8.3ms Single Half-Sire-Wave 1 10 100 TJ=125oC 100 TJ=25oC 1 20 40 60 80 100 TJ = 25oC f = 1.0 MHZ |
|||
Всего страниц | 2 Pages | ||
Скачать PDF |