F12c20c диод характеристики на русском

Related Datasheets

Номер в каталоге Описание Производители
F20C20 (F20C05 — F20C20) Dual Fast Recovery Power Rectifiers Mospec
F20C20A (F20C05 — F20C20) Switchmode Dual Fast Recovery Power Rectifiers Thinki Semiconductor
F20C20C (F20C05 — F20C20) Switchmode Dual Fast Recovery Power Rectifiers Thinki Semiconductor
F20C20D (F20C05 — F20C20) Switchmode Dual Fast Recovery Power Rectifiers Thinki Semiconductor
Номер в каталоге Описание Производители
6MBP200RA-060

Intelligent Power Module

Fuji Electric
ADF41020

18 GHz Microwave PLL Synthesizer

Analog Devices
AN-SY6280

Low Loss Power Distribution Switch

Silergy
DataSheet26.com    |    2020    |   Контакты    |    Поиск  

Монтаж

Для установки элементов в корпусе D0-41 используется выводная схема монтажа, при этом допускается как горизонтальное, так и вертикальное положение детали (относительно печатной платы). Пайка должна производится «мягким» (низкотемпературным) припоем с точкой плавления менее 210-220°С, например, ПОС-61. Процесс должен занимать не более 10 секунд, чтобы не допустить перегрев элемента.

Заметим, что в даташите указана пороговая температура 260°С, но, как показывает практика, в данном случае лучше перестраховаться, чем испортить деталь и тратить время на ее выпаивание обратно.

Диоды в корпусе D0-215, как и все SMD элементы, устанавливаются по методике поверхностного монтажа, с применением для этой цели специальной паяльной пасты.

F20C20C Datasheet Download — Thinki Semiconductor

Номер произв F20C20C
Описание (F20C05 — F20C20) Switchmode Dual Fast Recovery Power Rectifiers
Производители Thinki Semiconductor
логотип  
1Page

No Preview Available !

F20C05 thru F20C20

F20C05 thru F20C20
Pb Free Plating Product
Pb
Switchmode Dual Fast Recovery Power Rectifiers
Designed for use in switching power supplies. inverters and as free
wheeling diodes. These state-of-the-art devices have the following
features:
Glass Passivated chip junctions
Low Reverse Leakage Current
Fast Switching for High Efficiency
150 Operating Junction Temperature
Low Stored Charge Majority Carrier Conduction
Low Forward Voltage , High Current Capability
Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
TO-220AB

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRIAL CHARACTERISTICS

Characteristic
F20C05C F20C10C F20C15C F20C20C

Symbol F20C05A F20C10A F20C15A F20C20A

F20C05D F20C10D F20C15D F20C20D
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage

VRRM

VRWM

VR

50
100 150 200
V
RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

35
70 105 140 V
Average Rectifier Forward Current
Per Leg

TC=125

Per Total Device

IF(AV)

Peak Repetitive Forward Current

(Rate VR, Square Wave, 20kHz)

IFM

Non-Repetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rate load conditions
halfware, single phase, 60Hz)

IFSM

Operating and Storage Junction
Temperature Range

TJ , Tstg

10
20
20
175
-65 to +150
A
A
A
Characteristic
F20C05C F20C10C F20C15C F20C20C

Symbol F20C05A F20C10A F20C15A F20C20A

F20C05D F20C10D F20C15D F20C20D
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage

( IF =10 Amp TC = 25 )

VF

1.30
V
Maximum Instantaneous Reverse Current

( Rated DC Voltage, TC = 25 )

( Rated DC Voltage, TC = 125 )

IR

10 uA
200
Reverse Recovery Time

( IF = 0.5 A, IR =1.0 , Irr =0.25 A )

Trr

150
ns
Typical Junction Capacitance
(Reverse Voltage of 4 volts & f=1 MHz)

CP

55

PF

DIM MILLIMETERS

MIN MAX
A 14.68 15.32
B 9.78 10.42
C 5.02 6.52
D 13.06 14.62
E 3.57 4.07
F 2.42 2.66
G 1.12 1.36
H 0.72 0.96
I 4.22 4.98
J 1.14 1.38
K 2.20 2.98
L 0.33 0.55
M 2.48 2.98
O 3.70 3.90
2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Page 1/2
http://www.thinkisemi.com/
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

No Preview Available !

F20C05 thru F20C20
FIG-1 TYPICAL FORWARD CHARACTERISITICS

FIG-3 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
FORWARD VOLTAGE (Volts)
FIG-2 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE ( )
LEAD TEMPERATURE ( )
FIG-4TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE (Volts.)
FIG-5PEAK FORWARD SURGE CURRENT
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Set time base for 20/50 ns/cm
FIG-6 Reverse Recovery Time Characteristic and Test Circuit Diagram
2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Page 2/2
http://www.thinkisemi.com/
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

Всего страниц 2 Pages
Скачать PDF

Типы диодов

Диоды бывают электровакуумными (кенотроны), газонаполненными (газотроны, игнитроны, стабилитроны коронного и тлеющего разряда), полупроводниковыми и др. В настоящее время в подавляющем большинстве случаев применяются полупроводниковые диоды.

Диоды
Полупроводниковые Не полупроводниковые
Газозаполненные Вакуумные

Ламповые диоды

Ламповые диоды представляют собой радиолампу с двумя рабочими электродами, один из которых подогревается проходящим через него током из специальной цепи накала или отдельной нитью накала. Благодаря этому часть электронов покидает поверхность разогретого электрода (катода) и под действием электрического поля движется к другому электроду — аноду. Если электрическое поле направлено в противоположную сторону, поле препятствует движению электронов, и тока (практически) нет.

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковый диод в стеклянном корпусе. На фотографии виден полупроводник с подходящими к нему контактами

Полупроводниковый диод состоит либо из полупроводников p-типа и n-типа (полупроводников с разным типом примесной проводимости), либо из полупроводника и металла (диод Шоттки). Контакт между полупроводниками называется p-n переходом и проводит ток в одном направлении (обладает односторонней проводимостью).

Специальные типы диодов

Цветные светодиоды

Светодиод ультрафиолетового спектра излучения (увеличен)

  • Стабилитрон (диод Зенера) — диод, работающий в режиме (обратимого) пробоя p-n-перехода (см. обратную ветвь вольт-амперной характеристики). Используются для стабилизации напряжения.
  • Туннельный диод (диод Лео Эсаки) — диод, в котором используются квантовомеханические эффекты. На вольт-амперной характеристике имеет область так называемого «отрицательного сопротивления». Применяются как усилители, генераторы и пр.
  • Обращённый диод — диод, имеющий гораздо более низкое падение напряжения в открытом состоянии, чем обычный диод. Принцип работы такого диода основан на туннельном эффекте.
  • Точечный диод — диод, отличающийся низкой ёмкостью p-n-перехода и наличием на обратной ветви вольт-амперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Ранее использовались в СВЧ-технике (благодаря низкой ёмкости p-n-перехода) и применялись в генераторах и усилителях (благодаря наличию на обратной ветви вольт-амперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением).
  • Варикап (диоды Джона Джеумма) — диод, обладающий большой ёмкостью при запертом p-n-переходе, зависимой от приложенного обратного напряжения. Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости (управляемых напряжением).
  • Светодиод (диоды Генри Раунда) — диод, отличающийся от обычного диода тем, что излучает фотоны при рекомбинации электронов и дырок в p-n-переходе. Выпускаются светодиоды с излучением в инфракрасном, видимом, а с недавних пор — и в ультрафиолетовом диапазоне.
  • Полупроводниковый лазер — диод, близкий по устройству к светодиоду, но имеющий оптический резонатор. Излучает когерентный свет.
  • Фотодиод — диод, управляемый светом.
  • Солнечный элемент — диод, похожий на фотодиод, но работающий без смещения. Падающий на p-n-переход свет вызывает движение электронов и генерацию тока.
  • Диод Ганна — диод, используемый для генерации и преобразования частоты в СВЧ-диапазоне.
  • Диод Шоттки — диод с малым падением напряжения при прямом включении.
  • Лавинный диод — диод, принцип работы которого основан на лавинном пробое (см. обратный участок вольт-амперной характеристики). Применяется для защиты цепей от перенапряжений.
  • Лавинно-пролётный диод — диод, принцип работы которого основан на лавинном умножении носителей заряда. Применяется для генерации колебаний в СВЧ-технике.
  • Магнитодиод — диод, вольт-амперная характеристика которого существенно зависит от значения индукции магнитного поля и расположения его вектора относительно плоскости p-n-перехода.
  • Стабистор — диод, при работе которых используется участок ветви вольт-амперной характеристики, соответствующий «прямому напряжению» на диоде.
  • Смесительный диод — диод, предназначенный для перемножения двух высокочастотных сигналов.
  • pin-диод — диод, обладающий меньшей ёмкостью за счёт наличия между сильнолегированными полупроводниками p- и n-типов материала, характеризующегося собственной проводимостью. Используется в СВЧ-технике, силовой электронике, как фотодетектор.

Как проверить 1N4007?

С проверкой данного полупроводникового компонента проблем не возникнет, он тестируется так же, как и обычные диоды. Для этого процесса нам понадобится только мультиметр или омметр.

Расскажем пошаговый алгоритм тестирования:

  1. включаем прибор и переводим его в режим «Прозвонка» так, как продемонстрировано на рисунке. Если у вас другая модель мультиметра, обратитесь к руководству пользователя, оно прилагается к каждому измерительному прибору. Режим для проверки диодов отмечен синим квадратом
  2. Подключаем щупы к проверяемой детали, причем красный к аноду, а черный к катоду. При такой полярности через диод 1N4007 будет проходить ток, что отобразится на дисплее прибора. Если он показывает бесконечно большое сопротивление, значит, можно с уверенностью констатировать внутренний обрыв, и на этом заканчивать тестирование.
  3. Меняем полярность подключения и смотрим на показания мультиметра. При смене направления (полярности) диод не пропускает через себя напряжение, следовательно, сопротивление будет бесконечно большим. Другие показания говорят о пробое перехода.

Этих действий вполне достаточно для определения работоспособности полупроводниковых диодов этой серии.

«>

F12C20C Datasheet Download — Thinki Semiconductor

Номер произв F12C20C
Описание 12.0 Ampere Common Cathode Fast Recovery Rectifier Diode
Производители Thinki Semiconductor
логотип  
1Page

No Preview Available !

F12C20C thru F12C60C

F12C20C thru F12C60C
Pb
Pb Free Plating Product
12.0 Ampere Common Cathode Fast Recovery Rectifier Diode
Feature
Fast switching for high efficiency
Low forward voltage drop
High current capability
Low reverse leakage current
High surge current capability
Application
Automotive Environment(Inverters/Converters)
Plating Power Supply,Adaptor,SMPS and UPS
Car Audio Amplifiers and Sound Device System
Mechanical Data
Case:TO-220AB Heatsink
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Terminals: Solderable per MIL-STD-202
method 208
Polarity: As marked on diode body
Mounting position: Any
Weight: 2.2 gram approximately
TO-220AB
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
MIN
Unit : inch (mm)
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.038(0.96)
.019(0.50)
.1(2.54)
.1(2.54)
.025(0.65)MAX
Case
Positive
Common Cathode
Suffix «C»
Case
Negative
Common Anode
Suffix «A»
Case
Doubler
Tandem Polarity
Suffix «D»
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified

Current TC=100oC

VRRM

VRMS

VDC

IF(AV)

F12C20C
F12C20A
F12C20D
200
140
200
F12C40C
F12C40A
F12C40D
400
280
400
12.0
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single
Half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)

IFSM

100
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 6.0 A

Maximum DC Reverse Current @TJ=25oC

At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125oC

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage
Temperature Range

VF

IR

Trr

CJ

R JC

TJ, TSTG

0.98
1.3
10.0
250
35
65
2.2
-55 to +150
F12C60C
F12C60A
F12C60D
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
1.7 V
uA
uA
nS
pF

oCW

oC

NOTES : (1) Reverse recovery test conditions IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.

(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.
(3) Thermal Resistance junction to case.
Page 1/2
2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
http://www.thinkisemi.com/

No Preview Available !

F12C20C thru F12C60C

FIG.1 — FORWARD CURRENT DERATING CURVE
12
10
7
5
2
60 Hz Resistive or
Inductive load

0 50
100

CASE TEMPERATURE, oC

150
FIG.3 — TYPICAL INSTANTANEOUS
FORWARD CHARACTERISTICS
10
F12C20C
F12C40C

6 F12C60C

TJ=25oC

PULSE WIDTH=300uS
1% DUTY CYCLE
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,
VOLTS
FIG.2 — MAXIMUM NON-REPETITIVE
PEAK FORWARD SURGE CURRENT

100 Pulse Width 8.3ms

Single Half-Sire-Wave
(JEDEC Method)
80
60
40
20

1 10 100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.4 — TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
1000

TJ=125oC

100
10

TJ=25oC

1
0.1

20 40 60 80 100
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,%
FIG.5 — TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
1000

TJ = 25oC

f = 1.0 MHZ
Vsig = 50mVp-p
100
10
0.1
1.0 4.0 10
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
100
2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Page 2/2
http://www.thinkisemi.com/

Всего страниц 2 Pages
Скачать PDF
Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector