Diode in5399
Технические характеристики
1n5819 выгодно отличается от обычных кремниевых собратьев меньшим падением напряжения при прямом включении, что способствует выделению более низкой рассеиваемой мощности в виде тепла. P-n-переход заменен барьер Шоттки, у которого очень низкая электрическая ёмкость (110 пФ), позволяющая работать устройству на высоких частотах (до 1000 кГц).
Максимальные параметры
Рассмотрим максимальные параметры диода 1n5819:
- обратное напряжение (VRRMmax) до 40 В;
- падение прямого напряжения на диоде (VF max) до 0,6 В;
- прямой (от анода к катоду) действующий ток (IF max) до 1 А;
- диапазон рабочих температур перехода (TJ) -65 … +150 oC.
Электрические параметры
Способность к быстрому восстановлению при переключениях делают 1n5819 незаменимым спутником многих логических интегральных микросхем. Однако, с ростом температуры кристалла резко увеличивается ток утечки и падение прямого напряжения на переходе. Эта особенность наглядно продемонстрирована в таблице электрических параметров и является одним из основных недостатков всех диодов Шоттки.
Скачать основные характеристики диода 1n5819 на русском языке можно по этой ссылке.
Аналоги
Американец SB140 от Vishay — это полноценный аналог 1N5819. Это копия старичка 11DQ04 от японской компании Nihon Inter Electronics Corporation. В качестве функциональной замены можно использовать: 1N5822 (STM), MBR140P (ON Semiconductor), BYV10-40 (STM), но они имеют другое корпусное исполнение.
КДШ2105В – отечественный аналог в пластиковой упаковке КТ-26 (ТО-92) от белорусского предприятия «Интеграл».
