Кт817 характеристики транзистора

Содержание:

KT817V Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор KT817A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
KT817A Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор KT817G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
KT817G Datasheet (PDF)
KT817A Datasheet (PDF)
Технические характеристики
Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.
КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом
Технические характеристики
Стабилизатор напряжения 12 вольт
- Классический стабилизатор
- Интегральный стабилизатор
Биполярный транзистор KT817V — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
KT817V Datasheet (PDF)
Меры безопасности
KT817G Datasheet (PDF)

KT817V Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Биполярный транзистор KT817A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Кт312

Наименование производителя: KT817A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817A
Datasheet (PDF)

Транзисторы кт837(2т837) и кт829

1.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.1. kt8170.pdf Size:195K _integral

5.2. kt817.pdf Size:225K _integral

5.3. kt8177.pdf Size:196K _integral

5.4. kt8176.pdf Size:196K _integral

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Биполярный транзистор KT817G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Транзисторы серии кт825, 2т825

Наименование производителя: KT817G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817G
Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

KT817A Datasheet (PDF)

1.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.1. kt8170.pdf Size:195K _integral

5.2. kt817.pdf Size:225K _integral

5.3. kt8177.pdf Size:196K _integral

5.4. kt8176.pdf Size:196K _integral

Технические характеристики

В блоках питания от сети 220В линейный стабилизатор обычно устанавливается сразу после выпрямительного диодного моста, где выполняет свою основную роль источника вторичного электропитания (ИВЭП). Рекомендуемая производителями величина входного напряжения у КРЕН8Б находится в диапазоне 14,5 … 18 В. В любом случае, должно быть на 2,5-3 В больше от опорного.

Максимальные параметры

Изготовителями заявлены следующие максимальные параметры КР142ЕН8Б, при температуре корпуса (Т_К) от -45 до +70оС, если не указано иного:

входное напряжение (при Т_К от -45 до +100оС) — до 30 В;
мощность рассеивания – до 1,5 Вт; до 8 Вт (c теплоотводом);
ток в нагрузке – до 1500 мА (c использованием теплоотвода).

Электрические параметры

Если ток в нагрузке будет более 100 мА, то рекомендуется применение теплоотвода. На практике его величина может достигать 900 мА, что на много меньше значения заявленного отдельными производителями в даташит, но вполне достаточного для большинства современных слаботочных систем. Сведения о электрических параметрах КРЕН8Б, при температуре окружающей среды +25оС, представлены в таблице ниже.

Типовое включение

Устойчивая работа электронных приборов обеспечивается стабильностью поданного на них электропитания. Отсюда и возникает потребность в его выравнивании до необходимого уровня. Превышение или снижение питающих значений недопустимо, так как приводит к неисправности в работе оборудования. Самый очевидный способ — использовать популярную отечественную микросхему из серии КР142.

КР142ЕН8Б является одним из линейных стабилизаторов указанной серии. Его типовая схема подключения очень простая и подходит для всех КР142ЕН. Она включает в себя саму КРЕНку (еще одно неофициальное название 142ЕН8Б) и пару сглаживающих конденсаторов. В даташит рекомендовано применение небольших ёмкостей с величиной 0,33 и 1,0 мкФ. Обычно используют керамические или танталовые версии.

Если для проекта выбраны алюминиевые электролитические конденсаторы, то они должны быть не менее 10 мкФ. Их лучше подсоединять как можно ближе к выводам микросхемы. Многие радиолюбители делают это навесным монтажом, спаивая ножки радиоэлементов между собой.

Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.

КТ817 —
кремниевый биполярный n-p-n транзистор низкочастотный
средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126

Назначение: КТ817 -транзистор широкого
применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г

Комплементарная пара:
КТ816

Аналог: BD233, BD235, BD237

Цоколевка КТ817: Э-К-Б, смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Datasheet: (подробные
характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные характеристики транзисторов КТ817:
Параметры	Режим измерения	Min (минимальное значение параметра)	Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ817(А-Г)	Uкб=2B, Iэ=1A	25	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ817(А-Г)	Iк=1А, Iб=0.1A		0.6В
Предельные параметры транзисторов КТ817:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеpКТ817АКТ817БКТ817В КТ817Г	Rэб ≤ 1кОм		40В45В60В100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)			5В
Постоянный ток коллектора КТ817			3А
Импульсный ток коллектора	tи ≤ 20 мс, Т/tи≥100		6А
Максимально допустимый постоянный ток базы			1А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Тк ≤ 50 °С		25Вт
Температура перехода		-60	+150

Подробные параметры КТ817 и многих других отечественных транзисторов приведены в
справочнике мощных транзисторов

КТ817Г

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

Прибор

Максимальные параметры

Параметры при температуре = 25°C

R_{Т п-к}, °C/Ватт

при температуре = 25°C

I_{К, max}, ампер

I_{К и, макс}, ампер

U_{КЭ0 гран}, вольт

U_{КБ0 макс}, вольт

U_{ЭБ0 макс}, вольт

P_{К макс}, ватт

T_К, °C

T_{п макс}, °C

T_{К макс}, °C

h_21Э

U_КЭ, вольт

I_Э, ампер

U_{КЭ насыщ}, вольт

I_КБ0, мАмпер

f_гр, МГц

К_ш, дБ

C_К, пФ

C_Э, пФ

t_вкл, мкс

t_выкл, мкс

КТ817А

150

100

0,6

0,1

115

КТ817Б

150

100

0,6

0,1

115

КТ817В

150

100

0,6

0,1

115

КТ817Г

150

100

0,6

0,1

115

Технические характеристики

Технические характеристики транзистора КТ815 зависят от группы, которая обозначается символом в конце маркировки. Рассмотрим первый, самый слабый по своим параметрам, относительно других устройств — КТ815А. Он имеет следующие максимально допустимые режимы эксплуатации:

предельно допустимое постоянное напряжение между: К-Э до 40 В (R_ЭБ≤ 100 Ом); Э-Б до 5 В;
коллекторный ток: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
ток базы до 0.5 А;
мощность рассеиваемая на коллекторе: до 10 Вт (c теплотводом); до 1 Вт (без отвода тепла);
температура p-n-перехода до +150 °C;
диапазон рабочих температур вокруг корпуса -60 … +125 °C.

Другие устройства в серии, отличаются большими напряжениями между выводами К-Э (до 100 В для группы «Г») и немного другими режимами измерений. Подробнее об этом рассмотрено в статьях про КТ815Б, КТ815Г.

Электрические

Основные электрические параметры КТ815А, при температуре окружающей среды до +25 °C (±10 °C), представлены ниже. В отдельном столбце приведены режимы измерения (тестирования в процессе производства).

Обратите внимание на большой диапазон возможных знамений статического коэффициента передачи ток (H21Э от 40 до 275). С таким разбросом достаточно тяжело подобрать комплементарную пару, поэтому многие радиолюбители давно отказались от использования этого транзистора в своих схемах

Комплементарники

Для каждой из групп КТ815 разработана своя комплиментарная пара, относящаяся к серии отечественных транзисторов — КТ814. По своим свойствам и характеристикам, кроме структуры с p-n-p-проводимостью, она очень похожа на рассмотренный. В паре эти два транзистора часто встречаются в схемах предкаскадов усиления мощности, а также стабилизаторах напряжения для питания небольшой нагрузки.

Аналоги

Качественный аналог для КТ815 подобрать трудно, особенно если он работает по схеме вместе с другим транзистором. В связи с большим разбросом параметров по H_21Э и вероятностью брака даже в новых белорусских образцах, его чаще всего меняют на зарубежный BD139. Именно он указан в даташите как импортный прототип. Также в качестве возможной альтернативы можно рассмотреть такие устройства: BD13910STU, BD135, BD137, BD165-BD169(ТО-126), TIP29C(ТО-220), КТ-817.

Стабилизатор напряжения 12 вольт

Главная > Теория > Стабилизатор напряжения 12 вольт

Стабилизаторы напряжения являются важнейшей частью всех электронных схем, они дают непрерывное, устойчивое питание компонентам системы, обеспечивая стабильность её параметров и защиту при неисправностях в схеме или в первичном источнике напряжения. 12 вольт постоянного напряжения – наиболее востребованное, применяется для питания множества устройств, используемых отдельно или встроенных в различные конструкции.

Стабилизация с помощью стабилитрона

Классический стабилизатор

Большинство систем питания построено по схеме линейного стабилизатора напряжения на 12 вольт, которая может иметь несколько вариантов исполнения:

Параллельный – регулировка с помощью включённого параллельно управляющего элемента;
Последовательный – включение элемента регулировки последовательно с нагрузкой.

Простейшим стабилизатором напряжения является стабилитрон, также называемый диодом Зенера – это диод, работающий постоянно в режиме пробоя. Напряжение, при котором наступает пробой, – это напряжение стабилизации, основной параметр стабилитрона. При параллельном включении нагрузки получается элементарный стабилизатор напряжения, примерно равного напряжению стабилизации.

Балластное сопротивление R определяет ток стабилитрона, указанный в спецификации. Такое решение отличается низким коэффициентом стабилизации, зависимостью от температуры и применяется при малых токах нагрузки для питания отдельных компонентов основной схемы. Возможно значительно увеличить выходной ток, если последовательно с нагрузкой установить мощный транзистор.

Линейный стабилизатор с транзистором

В этой схеме транзистор подключён последовательно с нагрузкой как эмиттерный повторитель, весь ток течёт через его переход. Уровнем на базе управляет стабилитрон: при возрастании тока на выходе на базу подаётся большее напряжение, проводимость транзистора увеличивается, и выходное напряжение восстанавливается. Мощность такого стабилизатора определяется типом транзистора и может достигать десятков ватт.

Важно отметить! В таком виде стабилизатор не защищён от перегрузки и короткого замыкания, при котором мгновенно выходит из строя. Для практического применения схема значительно усложняется: вводятся элементы ограничения тока и различные защитные функции

Интегральный стабилизатор

Стабилизатор напряжения 12 вольт легко может быть реализован, если применить специализированный интегральный линейный стабилизатор из серии 78ХХ с фиксированным выходным напряжением. Для выходного напряжения 12 вольт выпускаются микросхемы 7812, у разных производителей они носят наименование LM7812, L7812, K7812 и т.д.

Отечественный аналог – КР142ЕН8Б. Производятся в корпусах TO – 220, TO – 3, D2PAK с тремя выводами. Эти микросхемы можно найти в блоках питания любой аппаратуры, они практически вытеснили стабилизаторы на дискретных элементах.

Основные характеристики стабилизатора в широко распространённом корпусе TO – 220:

Выходное стабилизированное напряжение – от 11,5 до 12,5 В;
Входное напряжение – до 30 В;
Выходной ток – до 1А;
Встроенная защита от перегрузки и короткого замыкания.

Входное напряжение должно превышать выходное (12 вольт) минимум на 3 вольта во всём диапазоне выходного тока. На выходной ток до 100 мА выпускается вариант микросхемы –78L12. Типовая схема включения позволяет своими руками собрать надёжный стабилизатор напряжения 12 вольт с характеристиками, подходящими для многих задач.

Включение микросхемы 7812

Конденсатор фильтров рекомендуется устанавливать не далее 30 мм от выводов микросхемы. Если выходного тока 1 ампер недостаточно, можно установить дополнительный транзистор.

Увеличение выходного тока

Схема имеет параметры стабилизации, аналогичные применённой микросхеме.

В некоторых случаях целесообразно использование микросхем серии 1083/84/85. Это интегральные стабилизаторы с выходным током 3, 5, и 7, 5 ампер. Устройства относятся к типу Low Dropout (с низким падением напряжения) – для них разница между входным и выходным напряжением может быть 1 вольт. Схема включения полностью соответствует микросхемам типа 7812.

Биполярный транзистор KT817V — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817V

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817V
Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

Меры безопасности

Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов

Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.

Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.