Даташит kt872a pdf ( datasheet )

Транзистор КТ872 — DataSheet

Параметры транзистора КТ872

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ872А		BU508, MJE 13005, BU508A, BU508D, BU2508A, BU706 *2, BU706D *2, NTE2300 *3, NTE2318 *3
КТ872Б		BU508A,  BU508A, BU508D, BU2508A, BU706 *2, BU706D *2, NTE2300 *3, NTE2318 *3
КТ872В		BU508D
Структура			—	n-p-n

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
P_K max,P*_{K, τ max},P**_{K, и max}
КТ872А
—
100*
Вт

КТ872Б
—
100*

КТ872В
—
100*

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр, f*_h31б, f**_h31э, f***_max
КТ872А
—
≥7
МГц

КТ872Б
—
≥7

КТ872В
—
≥7

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб.,} U*_{КЭR проб.,} U**
_{КЭО проб.}
КТ872А
—
1500; 700*
В

КТ872Б
—
1500; 700*

КТ872В
—
1200; 600*

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
U_{ЭБО проб.,} 
КТ872А
—
6
В

КТ872Б
—
6

КТ872В
—
6

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ872А
—
8(15*)
А

КТ872Б
—
8(15*)

КТ872В
—
8(15*)

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ872А
1500 В
≤1
мА
КТ872Б
1500 В
≤1

КТ872В
1200 В
≤1

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э,  h*_21Э
КТ872А
5 В; 30 А
≥6

КТ872Б
5 В; 30 А
≥6

КТ872В
5 В; 30 А
≥6

Емкость коллекторного перехода
c_к,  с*_12э
КТ872А
15 В
≤125
пФ

КТ872Б
15 В
≤125

КТ872В
15 В
≤125

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 r_{КЭ нас},  r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ872А
—
≤0.22
Ом, дБ

КТ872Б
—
≤1.1

КТ872В
—
≤1.1

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ872А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ872Б
—
—

КТ872В
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас,  t**_выкл,  t***
_пк(нс)
КТ872А
—
≤7500*
пс

КТ872Б
—
≤7500*

КТ872В
—
≤7500*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

KT872A Datasheet Download — Integral

Номер произв
KT872A

Описание
NPN Transistor
Производители
Integral
логотип

　

1Page

No Preview Available !
КТ872

n-p-n кремниевый

эпитаксиально-планарный

высоковольтный транзистор
Назначение

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ872Г с демпфирующим диодом).

Предназначены для применения в блоках питания, в схемах строчной развертки телевизионных

приемников, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Зарубежные прототипы

• Прототипы – BU508А, BU508, BU508D

Особенности

• Диапазон рабочих температур от — 60 до + 125°C

Обозначение технических условий

• аАО.336.681 ТУ / 02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) — КТ872А, Б, В, Г

• пластмассовый корпус КТ-43 ISOWATT (ТО-218 ISOWATT) — КТ872А1, Г1

Назначение выводов
Вывод

№1

№2

№3

Назначение
База
Коллектор
Эмиттер

КТ872 (январь 2011г., редакция 1.0)

1
No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ872 при Токр. среды = 25 °С

Паpаметpы

Граничное напряжение коллектор-эмиттер

КТ872А, Б, Г, А1, Г1

КТ872В

Обратный ток коллектора

КТ872А, Б, Г, А1, Г1

КТ872В

Обратный ток эмиттера

КТ872А, Б, В, А1

КТ872Г, Г1

Статический коэффициент передачи тока

КТ872В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

КТ872А, Г, А1, Г1

КТ872А, Г, А1, Г1

КТ872Б

КТ872В

Вpемя спада

КТ872А, Г, А1, Г1

КТ872Б, В

Вpемя рассасывания

КТ872А, Г, А1, Г1

КТ872Б, В

Постоянное прямое напряжение диода

КТ872Г, Г1

Обозн. Ед. Режимы измеpения Min Max

изм

Uкэо гp. B Iк=100mA, Iб=0,

L=40мГн

700
600

Iкэк мА

Uкэк =1500B Uбэ=0

1,0

Uкэк =1200B Uбэ=0

0,6

Iэбо мA Uэб=6B

10
75 150

h21э

Uкэ=5B, Iк=0,03A

6

Uкэ(нас) В

Iк=2,5A, Iб=0,6A

0,5

Iк=4,5A, Iб=2,0A

1,0

Iк=4,5A, Iб=2,0A

5,0

Iк=2,5A, Iб=1,0A

1,0

tсп. мкс Uкэ=500В,

Iк нас =4,5А

0,8
1,0

tрас.

Iб нас= Iб зап =1,4 А

6,7

Uбэ зап = -5В

7,5

Uпр.

В Iпр=4,5А

2,0

Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ872

Параметры

Напpяжение коллектоp-эмиттеp:

КТ872А, Б, Г, А1, Г1

КТ872В

Напряжение коллектор-эмиттеp (импульсное):

Uбэ ≤В, Q ≥4, tu ≤20 мкс

КТ872А, Б, Г, А1, Г1

КТ872В

Напряжение эмиттер-база

Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Постоянный ток базы
Импульсный ток базы
Постоянный запирающий ток базы
Импульсный запирающий ток базы

Рассеиваемая мощность коллектора

КТ872А, Б, В, Г

КТ872А1, Г1

Температура перехода

Обозначение Ед. измер.

Uкэо max

В

Uкэ и max

В

Uэб max

Iк max

Iки max

Iб max

Iби max

Iб зап. max

Iб зап. и max

Pк max

Tj
В
А
А
А
А
мА
А
Вт
°C
Значение
700
600
1500
1200
6
8
15
4
6
100
5
100
34
150

КТ872 (январь 2011г., редакция 1.0)

2
No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г

Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции иили технологии

Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте

http://www.integral.by

КТ872 (январь 2011г., редакция 1.0)

3

Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF

KT8225A Datasheet (PDF)

4.1. kt8225.pdf Size:256K _integral

КТ8225А
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона)
с интегральными демпфирующим (в цеп

5.1. kt822a-b-v.pdf Size:431K _russia

5.2. kt8229.pdf Size:245K _integral

КТ8229А
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для применения в
ключевых и линейных схемах, а также в уз

 5.3. kt8228.pdf Size:244K _integral

КТ8228А, Б
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
высоковольтный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ8228Б с диодом между выводами
коллектора и эмиттера и резисторо

5.4. kt8224.pdf Size:246K _integral

КТ8224А, Б
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
высоковольтный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ8224Б с интегральным
демпфирующим диодом и резистором). Предназ

Транзистор кт 872 технические характеристики — Bitbucket

———————————————————>>> СКАЧАТЬ ФАЙЛ <<<———————————————————Проверено, вирусов нет!———————————————————

Цоколевка транзистора КТ872А.Характеристики транзистора КТ872А. Структура n-p-n. Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В. Основные технические характеристики транзистора КТ872А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером. КТ872. n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор.ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик изделий без предварительного уведомления. Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.Параметры транзистора КТ872. Параметр. Обозначение. Маркировка. Биполярный транзистор КТ872А: технические характеристики, область применения, цветовая маркировка, зарубежные аналоги, схемы и параметры.Rпк C/Вт. Пер. КТ872А. Npn кремниевый высоковольтный эпитаксиально- планарный транзистор.* КТ872А1;Г1 – в корпусе КТ-43 ISOWATT. Предельно- допустимые режимы эксплуатации. Параметры. Транзистор КТ872. Схемы металло искателей.Наиболее важные параметры. Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ898А, КТ898Б, КТ898Б1 — свыше 400 У транзисторов КТ898А1 — до 5000. Technical documentation for КТ872 series bipolar transistors.Комментарии. дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ 827 Основные параметры транзистора КТ872АБолее подробные характеристики транзистора КТ872А Вы можете получить скачав файл документации ниже. KT872A — описание производителя.КТ872 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ872Г с демпфирующим диодом). Транзистор KT872A (КТ872А ). Параметры и характеристики. Описание и техническая документация. Даташит для KT872A. Транзистор КТ872А в наличии и под заказ от производителя Транзистор. Характеристики, описание, инструкция.Особенности. Диапазон рабочих температур: — 60 до + 125 C. Обозначение технических условий. КТ872. n-p-n кремниевый. эпитаксиально-планарный. высоковольтный транзистор. Назначение.ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик. КТ872А транзистор NPN (8А 700В) 100W. Купить Транзистор КТ872А в Москве, СПБ, Ростове, Белгороде по выгодной цене с доставкой по всей России.150. Характеристики. Документация: Техническое описание. Транзистор (англ. transistor), полупроводниковый триод радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Характеристики транзистор КТ872А Параметры компонента КТ872А.Напряжение насыщения VCE (sat) — это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.КТ872А. КТ872Г — мощный высоковольтный NPN транзистор со встроенным демпферным диодом. Применяется в блоках строчной развертки и импульсных блоках питания телевизоров. Параметры и характеристики.

КТ872А

Назначение выводов:1 — база2 — коллектор3 — эмиттер

Характеристики транзистора КТ872А

n-p-n кремниевыйэпитаксиально-планарныйвысоковольтный транзистор   

Структура n-p-n    Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В    Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700(1500) В

Аналоги транзистора КТ872А

    BU508, BU508A, BU508D

Uкбо    — Максимально допустимое напряжение коллектор-базаUкбои    — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-базаUкэо    — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттерUкэои    — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттерIкmax    — Максимально допустимый постоянный ток коллектораIкmax и    — Максимально допустимый импульсный ток коллектораPкmax    — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотводаPкmax т    — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводомh31э    — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Uкэн, В
КТ872А	n-p-n	700(1500)	700(1500)	8000 (15000)	(100)	—	1000	7	<1
КТ872Б	700(1500)	700(1500)	8000 (15000)	(100)	—	1000	7	<1
КТ872В	600(1200)	600(1200)	8000 (15000)	(100)	6

600
7
<1

Биполярный транзистор KT8225A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT8225A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 155
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300

Корпус транзистора: KT-43

KT8225A
Datasheet (PDF)

4.1. kt8225.pdf Size:256K _integral

КТ8225А
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона)
с интегральными демпфирующим (в цеп

5.1. kt822a-b-v.pdf Size:431K _russia

5.2. kt8229.pdf Size:245K _integral

КТ8229А
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для применения в
ключевых и линейных схемах, а также в уз

 5.3. kt8228.pdf Size:244K _integral

КТ8228А, Б
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
высоковольтный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ8228Б с диодом между выводами
коллектора и эмиттера и резисторо

5.4. kt8224.pdf Size:246K _integral

КТ8224А, Б
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
высоковольтный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ8224Б с интегральным
демпфирующим диодом и резистором). Предназ

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.