Кт312

Биполярный транзистор KT312B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT312B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT312B
Datasheet (PDF)

5.1. kt312a-b-v 2t312a-b-v.pdf Size:893K _russia

5.2. kt3120a 2t3120a.pdf Size:694K _russia

 5.3. kt3127.pdf Size:191K _integral

КТ3127А
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный СВЧ транзистор малой мощности. Предназначен для
генерирования, усиления, преобразований колеба

5.4. kt3129.pdf Size:205K _integral

КТ3129
кремниевый эпитаксиально-планарный
биполярный p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный p-n-p транзистор. Предназначен для использования
в низкочастотных устройствах радиоэле

 5.5. kt3126.pdf Size:179K _integral

КТ3126
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный СВЧ транзистор малой мощности. Предназначен для
использования в радиоэлектронной аппаратуре, из

5.6. kt3128.pdf Size:174K _integral

КТ3128
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор малой мощности. Предназначен для использования
в радиоэлектронной аппаратуре, изгот

Другие транзисторы… KT3128A9
, KT3128B-1
, KT3129A9
, KT3129B9
, KT3129D9
, KT3129G9
, KT3129V9
, KT312A
, TIP42C
, KT312V
, KT3130A9
, KT3130B9
, KT3130D9
, KT3130E9
, KT3130G9
, KT3130J9
, KT3130V9
.