Транзисторы серии кт825, 2т825
Содержание:
KT829B Datasheet (PDF)
5.1. kt829a.pdf Size:33K _no
n-p-n,
829
Ik max,A 8
Uo (U max),B100
U max,B 100
P max(P max), 60
T max,C 150
h21(h21) 750
U(U),B 3
I(I),A 3
U ,B 2
I(IR), 1500
f(fh21), 4
R -(R -),/ 2.08
5.2. kt829a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain
: h = 750(Min) @I = 3A
FE C
·Low Saturation Voltage
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as complementary AF push-pull output
stage applications
ABSOLUTE
5.3. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia
5.4. kt8297.pdf Size:194K _integral
КТ8297
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для
использования в линейных усилителях, сх
5.5. kt8296.pdf Size:194K _integral
КТ8296
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для
использования в линейных усилителях, сх
5.6. kt8290.pdf Size:199K _integral
КТ8290А
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в импульсных источн
Технические характеристики
КТ819Г(ГМ) самые мощные транзисторы в серии. У них наибольшая, по сравнению с другими, максимальная мощность рассеивания до 60 Вт (до 100 Вт) и величина пропускаемого напряжения (до 100 В). Вместе с тем самый низкий коэффициент усиления по току (H21Э) до 12.
Максимальные параметры
Приведем предельные эксплуатационные параметры КТ819Г подробней (в скобках данные для КТ819ГМ, если значения не совпадают):
- постоянное напряжение между: К-Б до 60В (до 100В); К-Б до 5В;
- коллекторный ток: до 10А (до 15А); импульсный до 15А (до 20А);
- базовый ток: до 3А; импульсный до 5А;
- мощность рассеиваемая на коллекторе: до 100Вт (с радиатором); до 2Вт (без теплоотвода);
- температуры: кристалла до +125 oC; окружающей среды -45 до +100 oC.
Как видно из представленных данных, максимальная рассеваемая мощность PК устройства заметно снижается если не использовать радиатор. Так, для КТ819Г при температуре окружающей среды более +25 °C она уменьшается на 0.6 Вт/°С (1 Вт/°С) с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С (0,02 Вт/°С) без него.
Электрические параметры
Как известно, предельно допустимые значения не стоит превышать, в таких случаях с большой вероятностью выйдет из строя. Поэтому, в техописаниях кроме них приведены номинальные величины при которых допускается нормальная работа устройства. Они указываются в разделе – электрических характеристик.
Приведем значения электрических параметров КТ819Г(ГМ,Г1). Они представлены в даташит с учётом температуры вокруг изделия не более +25oC. В графе «режимы измерения» указаны условия, при которых они были получены.
