Даташит ap8012 pdf ( datasheet )
Содержание:
TPCA8012-H MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPCA8012-H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 42
nC
Время нарастания (tr): 40
ns
Выходная емкость (Cd): 150
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0049
Ohm
Тип корпуса: SOP, Advance
TPCA8012-H
Datasheet (PDF)
4.1. tpca8084.pdf Size:234K _update_mosfet
TPCA8084
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)
TPCA8084
TPCA8084
TPCA8084
TPCA8084
1. Applications
1. Applications
1. Applications
1. Applications
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
2. Features
2. Features
2. Features
2. Features
(1) Small, thin package
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(3) Low leakage current: IDSS =
4.2. tpca8085.pdf Size:234K _update_mosfet
TPCA8085
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)
TPCA8085
TPCA8085
TPCA8085
TPCA8085
1. Applications
1. Applications
1. Applications
1. Applications
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
2. Features
2. Features
2. Features
2. Features
(1) Small, thin package
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(3) Low leakage current: IDSS =
4.3. tpca8083.pdf Size:233K _update_mosfet
TPCA8083
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)
TPCA8083
TPCA8083
TPCA8083
TPCA8083
1. Applications
1. Applications
1. Applications
1. Applications
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
2. Features
2. Features
2. Features
2. Features
(1) Small, thin package
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(3) Low leakage current: IDSS =
4.4. tpca8086.pdf Size:235K _update_mosfet
TPCA8086
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)
TPCA8086
TPCA8086
TPCA8086
TPCA8086
1. Applications
1. Applications
1. Applications
1. Applications
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
2. Features
2. Features
2. Features
2. Features
(1) Small, thin package
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 9.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(3) Low leakage current: IDSS =
Другие MOSFET… TPC8406-H
, TPC8A01
, TPC8A02-H
, TPC8A07-H
, TPCA8003-H
, TPCA8004-H
, TPCA8005-H
, TPCA8009-H
, IRF9640
, TPCA8014-H
, TPCA8015-H
, TPCA8016-H
, TPCA8018-H
, TPCA8019-H
, TPCA8020-H
, TPCA8021-H
, TPCA8022-H
.
AP8012 Datasheet Download — AiT Semiconductor
Номер произв | AP8012 | |||
Описание | OFF LINE SMPS PRIMARY SWITCHER GREEN POWER | |||
Производители | AiT Semiconductor | |||
логотип | ||||
1Page
AiT Semiconductor Inc. M8 AP8012M8R AP8012M8VU Suffix “ V “ means Halogen free Package APPLICATION Power AC/DC Adapters for Chargers DVD/VCD power supplies Electromagnetic Oven power supplies Air Conditioner power supplies STB power supplies AC/DC LED Driver Applications TYPICAL APPLICATION
AiT Semiconductor Inc.
AiT Semiconductor Inc. (TA=25°C, unless otherwise specified) VSW SW to GND Voltage (Tj=25-125°C) -0.3 to 730 V ID Continuous VDMOS Drain Current Internally limited A ICOMP Feedback Current 3 mA VESDMM Machine Model ((R=0Ω; C=200pF) VESDHBM Electrostatic Discharge: HBM 2000 V Tj Junction Operating Temperature Internally limited °C Tc Case Operating Temperature -40 to 150 °C TSTG Storage Temperature -55 to 150 °C Stresses above may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and functional operation of the device at BVDSS VDMOS Breakdown Voltage IDSS Zero Gate Voltage Drain Current RDSON Static Drain-Source on Resistance Tr Rise Time Tf COSS Fall Time ID=1mA; VCOMP=2V VDS=500V; VCOMP=2V; VGS=10V ID=0.4A; ID=0.1A; VIN=300V ID=0.2A; VIN=300V VDS=25V Min. Typ. Max. Unit 100 μA 27 30 Ω 50 |
||||
Всего страниц | 10 Pages | |||
Скачать PDF |
TPCA8012-H Datasheet (PDF)
4.1. tpca8084.pdf Size:234K _update_mosfet
TPCA8084
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)
TPCA8084
TPCA8084
TPCA8084
TPCA8084
1. Applications
1. Applications
1. Applications
1. Applications
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
2. Features
2. Features
2. Features
2. Features
(1) Small, thin package
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(3) Low leakage current: IDSS =
4.2. tpca8085.pdf Size:234K _update_mosfet
TPCA8085
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)
TPCA8085
TPCA8085
TPCA8085
TPCA8085
1. Applications
1. Applications
1. Applications
1. Applications
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
2. Features
2. Features
2. Features
2. Features
(1) Small, thin package
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(3) Low leakage current: IDSS =
4.3. tpca8083.pdf Size:233K _update_mosfet
TPCA8083
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)
TPCA8083
TPCA8083
TPCA8083
TPCA8083
1. Applications
1. Applications
1. Applications
1. Applications
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
2. Features
2. Features
2. Features
2. Features
(1) Small, thin package
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(3) Low leakage current: IDSS =
4.4. tpca8086.pdf Size:235K _update_mosfet
TPCA8086
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)
TPCA8086
TPCA8086
TPCA8086
TPCA8086
1. Applications
1. Applications
1. Applications
1. Applications
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
2. Features
2. Features
2. Features
2. Features
(1) Small, thin package
(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 9.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(3) Low leakage current: IDSS =
Схема плавного включения ламп — 2
Схема устройства, которое включается последовательно с лампой накаливания, приведена на рисунке. Полевой транзистор включен в диагональ диодного моста, поэтому на него поступает пульсирующее напряжение. В начальный момент транзистор закрыт и все напряжение падает на нем, поэтому лампа не горит. Через диод VD1 и резистор R1 начинается зарядка конденсатора С1. Напряжение на конденсаторе не превысит 9,1 В, потому что оно ограничено стабилитроном VD2. Когда напряжение на нем достигнет 9,1 В, транзистор начнет плавно открываться, ток будет возрастать, а напряжение на стоке уменьшаться. Это приведет к тому, что лампа начнет плавно зажигаться.
Но следует учесть, что лампа начнет зажигаться не сразу, а через некоторое время после замыкания контактов выключателя, пока напряжение на конденсаторе не достигнет указанного значения. Резистор R2 служит для разрядки конденсатора С1 после выключения лампы. Напряжение на стоке будет незначительным и при токе 1 А не превысит 0,85 В.
При сборке устройства были использованы диоды 1N4007 из отработавших свое энергосберегающих ламп. Стабилитрон может быть любой маломощный с напряжением стабилизации 7…12 В. Под рукой нашелся BZX55-C11. Конденсаторы — К50-35 или аналогичные импортные, резисторы — МЛТ, С2-33. Налаживание устройства сводится к подбору конденсатора для получения требуемого режима зажигания лампы. Я использовал конденсатор на 100 мкф – результатом стала пауза от момента включения до момента зажигания лампы в 2 секунды.
Немаловажным является отсутствие мерцания лампы, как это наблюдалось при реализации других схем. Для облегчения жизни другим заинтересованным самодельщикам выкладываю фото готового гаджета и печатную плату в Sprint-Layout 6.0 (перед нанесением на текстолит делать зеркальное отражение не нужно).
Это устройство работает уже долгое время и лампы накаливания пока менять не пришлось. Автор статьи и фото — Николай Кондратьев (позывной на сайте Николай5739), г.Донецк. Украина.
Обсудить статью СХЕМА ПЛАВНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ