Даташит rjp63k2dpk-m0 pdf ( datasheet )

Содержание:

RJP63F3DPP-M0 — IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
- RJP63F3DPP-M0 Datasheet (PDF)
RJP63K2DPK-M0 Datasheet Download — Renesas
RJP30H2A Datasheet Download — Renesas
Подделка RJP5001 #2
CT40KM
TIG056
Подделка TIG056 #1
Причины выхода из строя оригинальных транзисторов и методы борьбы с этим явлением
RJP4301, подделка #1
RJP5001

RJP63F3DPP-M0 — IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: RJP63F3DPP-M0

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 630

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40

Время нарастания: 100

Корпус: TO220FL

RJP63F3DPP-M0
Datasheet (PDF)

1.1. rjp63f3dpp-m0.pdf Size:159K _igbt

Preliminary Datasheet
RJP63F3DPP-M0
R07DS0321EJ0200
Silicon N Channel IGBT
Rev.2.00
High Speed Power Switching
May 26, 2011
Features
• Trench gate and thin wafer technology (G6H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
• High speed switching tf = 100 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
• Isolated package TO-220FL
Outline

1.2. r07ds0321ej rjp63f3dpp.pdf Size:179K _renesas

Preliminary Datasheet
RJP63F3DPP-M0
R07DS0321EJ0200
Silicon N Channel IGBT
Rev.2.00
High Speed Power Switching
May 26, 2011
Features
Trench gate and thin wafer technology (G6H series)
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
High speed switching tf = 100 ns typ
Low leak current ICES = 1 ?A max
Isolated package TO-220FL
Outline
RENESAS Pac

5.1. rjp63k2dpp-m0.pdf Size:124K _igbt

Preliminary Datasheet
RJP63K2DPP-M0
R07DS0468EJ0200
Silicon N Channel IGBT
Rev.2.00
High Speed Power Switching
Jun 15, 2011
Features
 Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
 Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.9 V typ
 High speed switching: tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ.
 Low leak current: ICES = 1 A max
 Isolated pa

5.2. rjp63k2dpk-m0.pdf Size:124K _igbt

Preliminary Datasheet
RJP63K2DPK-M0
R07DS0469EJ0200
Silicon N Channel IGBT
Rev.2.00
High speed power switching
Jun 15, 2011
Features
 Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
 Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.9 V typ
 High speed switching: tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ.
 Low leak current: ICES = 1 A max
Outline
RENES

5.3. r07ds0469ej rjp63k2dpk.pdf Size:155K _renesas

Preliminary Datasheet
RJP63K2DPK-M0
R07DS0469EJ0200
Silicon N Channel IGBT
Rev.2.00
High speed power switching
Jun 15, 2011
Features
? Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
? Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.9 V typ
? High speed switching: tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ.
? Low leak current: ICES = 1 ?A max
Outline
RENESAS Package co

5.4. r07ds0468ej rjp63k2dpp.pdf Size:145K _renesas

Preliminary Datasheet
RJP63K2DPP-M0
R07DS0468EJ0200
Silicon N Channel IGBT
Rev.2.00
High Speed Power Switching
Jun 15, 2011
Features
? Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
? Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.9 V typ
? High speed switching: tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ.
? Low leak current: ICES = 1 ?A max
? Isolated package TO-220FL

Другие IGBT… RJP30K3DPP-M0
, RJP6065DPM
, RJP60D0DPE
, RJP60D0DPP-M0
, RJP60F0DPE
, RJP60F0DPM
, RJP60F4DPM
, RJP60F5DPM
, GT20D101
, RJP63K2DPK-M0
, RJP63K2DPP-M0
, RJP6085DPN-00
, RJP6085DPK
, RJH60F0DPK
, RJH60F4DPK
, RJH60F6DPK
, RJH60F7ADPK
.

RJP63K2DPK-M0 Datasheet Download — Renesas

Номер произв

RJP63K2DPK-M0

Описание

N-Channel IGBT

Производители

Renesas

логотип

1Page

Rjh60f5

No Preview Available !

RJP63K2DPK-M0
Silicon N Channel IGBT
High speed power switching
Features

 Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

 Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.9 V typ

 High speed switching: tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ.

 Low leak current: ICES = 1 A max

Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZH-A
(Package name: TO-3PSG)
4
1
23
G

Preliminary Datasheet

R07DS0469EJ0200
Rev.2.00
Jun 15, 2011
C
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
4. Collector (Flange)
E
Absolute Maximum Ratings
Item
Collector to Emitter voltage
Gate to Emitter voltage
Collector current
Collector peak current
Collector dissipation
Junction to case thermal impedance
Junction temperature
Storage temperature

Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%

2. Tc = 25C

www.DataSheet.co.kr
Symbol

VCES

VGES

ic(peak) Note1

PC Note2

j-c

Tj
Tstg
Ratings
630
±30
35
200
60
2.08
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
W
°C/ W
°C
°C
R07DS0469EJ0200 Rev.2.00
Jun 15, 2011
Page 1 of 6
Datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

No Preview Available !

RJP63K2DPK-M0
Electrical Characteristics
Item
Zero gate voltage collector current
Gate to emitter leak current
Gate to emitter cutoff voltage
Collector to emitter saturation voltage
Input capacitance
Output capacitance
Reveres transfer capacitance
Total gate charge
Gate to emitter charge
Gate to collector charge
Switching time
Notes: 3. Pulse test.
Symbol

ICES

IGES

VGE(off)

VCE(sat)

Cies
Coes
Cres
Qg
Qge
Qgc

td(on)

td(off)

Min
—
—
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Preliminary
Typ
—
—
—
1.9
620
26
11
20
3
7
0.02
0.06
0.05
0.2
Max
1
±100
5
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Unit

A

nA
V
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC

s

(Ta = 25°C)
Test Conditions

VCE = 630 V, VGE = 0

VGE = ±30 V, VCE = 0

VCE = 10 V, IC = 1 mA

IC = 35 A, VGE = 15 V Note3

VCE = 25 V

VGE = 0

f = 1 MHz

VGE = 15 V

VCE = 300 V

IC = 35 A

RL = 8.5 

VGE = 15 V

RG = 5 

www.DataSheet.co.kr
R07DS0469EJ0200 Rev.2.00
Jun 15, 2011
Page 2 of 6
Datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

No Preview Available !

RJP63K2DPK-M0

Main Characteristics
Maximum Safe Operation Area
1000

100 PW 10 μs

10 = 100 μs

1
0.1

Ta = 25°C

1 shot pulse
0.01
0.1 1
10
100 1000

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

Typical Transfer Characteristics
50

VCE = 10 V

Pulse Test
40
30
20

10 Tc = 75°C

024
25°C

−25°C

68
10

Gate to Emitter Voltage VGE (V)

Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current (Typical)
10

VGE = 15 V

Pulse Test

Tc = 75°C

www.DataSheet.co.kr
Preliminary
Typical Output Characteristics
100

Ta = 25°C

Pulse Test
80
10 V
15 V
60
9V
8.5 V
8V
7.5 V
7V

40 6.5 V

20 VGE = 5.5 V

0 2 4 6 8 10

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
10

Ta = 25°C

Pulse Test
8
6

IC = 35 A

80 A
120 A
4
2

0 4 8 12 16 20

Gate to Emitter Voltage VGE (V)

1
25°C

−25°C

0.1
1
10 100

Collector Current IC (A)

R07DS0469EJ0200 Rev.2.00
Jun 15, 2011
Page 3 of 6
Datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

Всего страниц

7 Pages

Скачать PDF

RJP30H2A Datasheet Download — Renesas

Номер произв

RJP30H2A

Описание

Silicon N Channel IGBT

Производители

Renesas

логотип

1Page

Даташит d1047 pdf ( datasheet )

No Preview Available !

Preliminary Datasheet

RJP30H2DPK-M0 / RJP30H2A

Silicon N Channel IGBT
High speed power switching
R07DS0467EJ0200
Rev.2.00
Jun 15, 2011
Features

 Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

 Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ

 High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ

 Low leak current: ICES = 1 A max

Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZH-A
(Package name: TO-3PSG)
4
C
1
23
1. Gate
2. Collector

G 3. Emitter

4. Collector (Flange)
E
Absolute Maximum Ratings
Item
Collector to Emitter voltage
Gate to Emitter voltage
Collector current
Collector peak current
Collector dissipation
Junction to case thermal impedance
Junction temperature
Storage temperature

Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%

2. Tc = 25C

www.DataSheet.co.kr
Symbol

VCES

VGES

ic(peak) Note1

PC Note2

j-c

Tj
Tstg
Ratings
360
±30
35
250
60
2.08
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
W
°C/ W
°C
°C
R07DS0467EJ0200 Rev.2.00
Jun 15, 2011
Page 1 of 6
Datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

No Preview Available !

RJP30H2DPK-M0
Electrical Characteristics
Item
Zero gate voltage collector current
Gate to emitter leak current
Gate to emitter cutoff voltage
Collector to emitter saturation voltage
Input capacitance
Output capacitance
Reveres transfer capacitance
Total gate charge
Gate to emitter charge
Gate to collector charge
Switching time
Notes: 3. Pulse test.
Symbol

ICES

IGES

VGE(off)

VCE(sat)

Cies
Coes
Cres
Qg
Qge
Qgc

td(on)

td(off)

Min
—
—
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Preliminary
Typ
—
—
—
1.4
1200
60
30
37
6
10
0.02
0.1
0.06
0.18
Max
1
±100
5
1.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Unit

A

nA
V
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC

s

(Ta = 25°C)
Test Conditions

VCE = 360 V, VGE = 0

VGE = ± 30 V, VCE = 0

VCE = 10 V, IC = 1 mA

IC = 35 A, VGE = 15 V Note3

VCE = 25 V

VGE = 0

f = 1 MHz

VGE = 15 V

VCE = 150 V

IC = 35 A

RL = 4.5 

VGE = 15 V

RG = 5 

www.DataSheet.co.kr
R07DS0467EJ0200 Rev.2.00
Jun 15, 2011
Page 2 of 6
Datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

No Preview Available !

RJP30H2DPK-M0

Main Characteristics
Maximum Safe Operation Area
1000

100 10 μs

10
1
0.1

Ta = 25°C

1 shot pulse
0.01
0.1 1
10
100 1000

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

Preliminary
Typical Output Characteristics (1)
100

Ta = 25°C

Pulse Test
80 8 V
10 V
15 V
60
7V
6.5 V
6V
40
5.5 V

20 VGE = 5 V

012345

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

Typical Output Characteristics (2)
Typical Transfer Characteristics
200
10 V
12 V
160
15 V
9V
8V
50

VCE = 10 V

Pulse Test
40
120
80

Ta = 25°C

Pulse Test
7V
6V
www.DataSheet.co.kr
30
20

Tc = 75°C

25°C

–25°C

VGE = 5 V

0 2 4 6 8 10
10

0 2 4 6 8 10

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

Gate to Emitter Voltage VGE (V)

Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
5
4

IC = 35 A

80 A

3 120 A

2
1
Pulse Test

Ta = 25°C

04
8
12 16 20

Gate to Emitter Voltage VGE (V)

Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current (Typical)
10

VGE = 15 V

Pulse Test

Tc = –25°C

1
25°C 75°C
0.1
1
10 100

Collector Current IC (A)

R07DS0467EJ0200 Rev.2.00
Jun 15, 2011
Page 3 of 6
Datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

Всего страниц

6 Pages

Скачать PDF

Подделка RJP5001 #2

Даташит stps2045ct pdf ( datasheet )

Еще одна подделка

Особенности: Корпус напоминает оригинальный TIG056, за исключением маркировки. Ровная, шлифованная и блестящая поверхность транзистора не свойственна оригинальным изделиям. Кристалл также размером не вышел.

CT40KM

Полное название транзистора	CT40KM-8H
Производитель	NEC, позже Renesas
Напряжение К-Э	400В
Коммутируемый импульсный ток	200А
Рабочее напряжение на затворе	30-40В
Заменяем без переделок	RJP4301, RJP63F3A

Рассмотрим особенности оригинальных транзисторов:

Толстые, луженые ножки, у основания видна голая медь
Корпус с круглыми проштамповками в верхних углах корпуса, внутри них некие цифры, отличаются от серии к серии.
Маркировка жирным шрифтом с нечеткими границами. Маркировка краской, состоит из трех строк.

Кристалл размером с таковой у RJP5001, при несравнимо более скромных параметрах.

Подделок на CT40KM-8H нам еще не попадалось, как и самих транзисторов в продаже.

Оригинальный CT40KM

Вскрытый транзистор CT40KM

TIG056

Полное название транзистора	TIG056BF
Производитель	Sanyo
Напряжение К-Э	400В
Коммутируемый импульсный ток	240A
Рабочее напряжение на затворе	33В
Заменяем без переделок	RJP4301

Именно этот транзистор на сегодняшний (2020 год) день является единственным доступным IGBT транзистором с допустимым напряжением на затворе 30В. А значит, это единственная прямая замена CT40KM и RJP301. У нас на складе они есть в наличии: IGBT TIG056 на складе. Рассмотрим особенности оригинальных транзисторов:

Оригинальный транзистор TIG056

Вскрытый транзистор TIG056

Ножки однородные, гладкие, лужения не видно. Утолщение начинается от корпуса и продолжается примерно на 5мм.
Корпус с круглыми выштамповками. Два углубления на фланце по верхним углам, два по нижним. В верхних углублениях проштампованы: слева латинская буква, справа — цифра. Обе разные у разных экземплярах. Лицевая поверхность корпуса зеркально-гладкая, по центру верхнего края углубление с штампом (цифра или буква).
Маркировка толстым «разделенным» шрифтом Цифры «0» и «6» состоят из двух половинок. Способ маркировки лазером, под углом видна глубина прожига, три строки маркировки, последняя строка — точка.
Корпус сзади гладкий с тремя углублениями.
Размер кристалла квадратный, примерно 4.5мм на 4.5мм.

Подделка TIG056 #1

Подделка TIG056

Вскрытая подделка TIG056

Особенности: Корпус со шлифовкой на лицевой стороне, не очень аккуратно выполнена. Маркировка тонким шрифтом, двумя строками вместо трех. Выштамповки вроде-бы есть, но не там и не в тех количествах. Кристалл меньше раза в два.

Причины выхода из строя оригинальных транзисторов и методы борьбы с этим явлением

Кратко пройдемся и по причинам выхода из строя транзисторов. Если копии/перемаркировка «вылетают» по вполне понятным причинам, то почему мастера сталкиваются с выходом из строя оригинальных транзисторов?

Причин, в принципе, может быть три.

1) Превышение максимально допустимого импульсного тока коллектора. В штатном режиме этого не произойдет, ток транзисторов выбран с большим запасом. Но случается, что импульсная лампа пробивается «обходным путем» — через подгоревшее стекло у электродов на рефлектор. Цепь, в таком случае, получается очень коротка: плюсовой вывод лампы-рефлектор-минусовой вывод лампы. В таком случае ток уже не ограничен лампой. Немного его ограничивает катушка индуктивности в цепи питания лампы да провода. Но на пробой транзистора хватает.

Факторы риска:

Изношенная лампа с почернением у плюсового электрода.
Замененная лампа с плохой изоляцией электрода.
Закороченный тиристор-шунт индуктивности (CR3AS, CR5AS)
Частое использование режима HSS на предельных мощностях. К примеру, TTL HSS днем на солнце, для подсветки теней.

Методы повышения надежности:

Замена лампы вспышки на более длинную. Мы рекомендуем устанавливать во все вспышки лампы бОльшей мощности на шаг. SB600->SB800, 430EX, 430EXII -> SB900, 580EXII->SB900. Это никак не сказывается на функциональности вспышки, но значительно (более чем вдвое) продлевает ресурс. Медленнее портится и сама лампа (запас по мощности), и не возникает пробоев через электроды, т.к. они вынесены за рефлектор.
Хорошая изоляция электродов. В оригинальных конструкциях используется силиконовая термоусадка с клеевым слоем, закрывающая стекло лампы до границы электродов. Хорошей заменой будет силиконовая трубка от капельницы с силиконовым герметиком.
Для 580EXII — установка дополнительного провода поджига на рефлектор лампы.

2) Проблемы с управлением затвора IGBT транзистора. Недостаточно резкое нарастание напряжения на затворе гарантированно выведет из строя транзистор. В этом случае он успевает оказаться в линейном режиме, с многократным превышением рассеиваемой мощности.

Сюда же можно отнести неверный выбор напряжения на затворе IGBT при замене транзистора. Транзисторы RJP4301, CT40KM питаются 30В, а RJP5001, IRG4BC40W — 18В. При перекрестной замене требуется найти и заменить стабилитрон в цепи драйвера затвора. Установка дополнительного стабилитрона в затвор мы не рекомендуем, он вносит дополнительную емкость и ограничивает ток затвора.

3) Превышение допустимого напряжения К-Э. Данное явление встречается редко при оборванном, искрящем проводе к негативному электроду лампы. Собственно и добавить тут нечего. Данному явлению особо подвержены старые (420EX) вспышки и, как ни странно, Nikon SB700.

Методы повышения надежности (в общем). Если во вспышке горит уже не первый транзистор, то возможно, данные рекомендации помогут выполнить качественный ремонт:

- Установка транзистора бОльшей мощности, чем родной. Хорошие результаты дает установка RJP5001 вместо RJP4301 с обязательной заменой стабилитрона в цепи питания затвора с 30В на 18В. Можно также вместо RJP5001 устанавливать IRG4PC50U в корпусе TO-247, отпиливая часть корпуса.
- Установка сдвоенного транзистора с развязкой затворов резисторами (22 Ом). Отличные результаты дает пара IRG4BC40W. Стабилитрон можно не менять, напряжение на затворе до 30В допустимо.

В данную статью попадает каждый забракованный транзистор, который нам присылают поставщики-любители подделок. А значит материала со временем станет больше, а работа мастеров чуточку проще.

При копировании статьи индексируемая ссылка на первоисточник обязательна: photo-parts.com.ua

RJP4301, подделка #1

Все типы поддельных транзисторов перечислить невозможно, но некоторые из них нам попались.

Подделка 1

Подделка — вскрытая

Особенности: Ножки тоньше, чем у оригинального транзистора, утолщение имеет меньшую длину у корпуса. На корпусе нет выштамповок, корпус со следами шлифовки. Маркировка отличается расположением строки «RJP4301» — она в центре. Кристалл такого транзистора в два раза меньше оригинального! Очевидно, долго «изделие» не проработает.

RJP5001

Полное название транзистора	RJP5001APP
Производитель	Renesas
Напряжение К-Э	500В
Коммутируемый импульсный ток	300А
Рабочее напряжение на затворе	17В
Заменяем	Пара IRG4BC40W с резисторами 22 Ом в затворах, IRG4PC50U без переделок но с уменьшением корпуса

RJP5001 тоже бывают двух генераций, «новая» нам попалась в Nikon SB700.


RJP5001 оригинал старый	RJP5001 оригинал новый тип
Особенности: Толстые, луженые ножки, у основания видна голая медь Корпус с круглыми проштамповками, внутри них некие цифры, отличаются от серии к серии. Маркировка жирным шрифтом с «разделенными» по вертикали цифрами и буквами. Маркировка нанесена не строго горизонтально. Тип маркировки – лазерная гравировка, под углом видна глубина прожига.	Особенности: Ножки однородные, гладкие, лужения не видно. Утолщение начинается от корпуса и продолжается примерно на 5мм. Корпус с круглыми выштамповками, в правом верхнем углу мелкие цифры по кругу. Маркировка тонким шрифтом, цифры без разрывов. Способ маркировки также лазером, под углом видна глубина прожига, три строки маркировки. Корпус сзади гладкий, на лицевой стороне шероховатый без следов полировки или фрезеровки.
Доберемся до кристалла транзистора, и примем за эталон:
Вскрытый RJP5001
Площадь кристалла почти в два раза больше оригинального RJP4301!	Кристалл точно такой же, как и у старых выпусков