Характеристики транзистора j3y в smd-корпусе

AP72T02GH-HF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AP72T02GH-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 62
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Время нарастания (tr): 80
ns

Выходная емкость (Cd): 250
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009
Ohm

Тип корпуса: TO-252

AP72T02GH-HF
Datasheet (PDF)

1.1. ap72t02gh.pdf Size:192K _ape

AP72T02GH/J-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
▼ D BVDSS 25V
▼ Simple Drive Requirement
▼
▼
▼ RDS(ON) 9mΩ
▼ Low On-resistance
▼
▼
▼ ID 62A
▼ Fast Switching Characteristic
▼
▼
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
▼
▼
▼
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

1.2. ap72t02gh j-hf.pdf Size:104K _ape

AP72T02GH/J-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 25V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 62A
G
▼ RoHS Compliant
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
G
ruggedized device de

 4.1. ap72t03gj-hf.pdf Size:96K _ape

AP72T03GH/J-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 62A
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
G
D
S TO-252(H)
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast s

4.2. ap72t03gp.pdf Size:94K _ape

AP72T03GP
RoHS-compliant Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9.5mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 65A
G
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance

 4.3. ap72t03gi-hf.pdf Size:93K _ape

AP72T03GI-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9.5mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 62A
G
▼ RoHS Compliant
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
G
D
ruggedized device

4.4. ap72t03gh ap72t03gj.pdf Size:96K _ape

AP72T03GH/J
RoHS-compliant Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 62A
G
S
Description
G
D
S TO-252(H)
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design,

 4.5. ap72t03gp-hf.pdf Size:94K _ape

AP72T03GP-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9.5mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 65A
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggediz

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся

Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код	Сопротивление
101	100 Ом
471	470 Ом
102	1 кОм
122	1.2 кОм
103	10 кОм
123	12 кОм
104	100 кОм
124	120 кОм
474	470 кОм

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Legal status

1P-LSD is not scheduled under the UN Convention on Psychotropic Substances. It is considered to exist in a legal grey area in many countries, meaning that while it is not specifically illegal, individuals may still be charged for its possession under certain circumstances such as under analogue laws and with the intent to sell or consume.

• Austria: 1P-LSD is technically not illegal but it may fall in the NPSG (Neue-Psychoaktive-Substanzen-Gesetz Österreich) as an analogue of LSD, thus making it illegal to supply for human consumption.
• Canada: 1P-LSD is not mentioned in the Controlled Drugs and Substances Act, so it is technically not illegal.
• Denmark: As of August 25, 2015, 1P-LSD is specifically named on the list of illegal substances.
• Germany: 1P-LSD is controlled under the NpSG (New Psychoactive Substances Act) as of July 18, 2019. Production and import with the aim to place it on the market, administration to another person and trading is punishable. Possession is illegal but not penalized.
• Latvia: 1P-LSD is illegal in Latvia. Although it is not officially scheduled, it is controlled as an LSD structural analog due to an amendment made on June 1, 2015.
• Lithuania: 1P-LSD is illegal in Lithuania and is specifically named on the list of illegal substances since September 21, 2015.
• Sweden: Following its sale as a designer drug, 1P-LSD was made illegal in Sweden on January 26, 2016.
• Switzerland: 1P-LSD is a controlled substance specifically named under Verzeichnis E. It is illegal as of December 2015.
• Turkey: 1P-LSD is illegal in Turkey as of February 2016.
• United Kingdom: 1P-LSD is illegal to produce, supply, or import under the Psychoactive Substance Act, which came into effect on May 26, 2016.
• United States: Since 1P-LSD can be considered a prodrug for LSD, its possession and sale may be prosecutable in the United States under the Federal Analogue Act.

1P vs 3P on Walmart and Amazon

Benefits of 1P

Selling 1P on Walmart or Amazon means you sell directly to the marketplace, and they then sell to the buyers. Marketplaces are more likely to promote listings they own and can be sure of, and they’ll purchase items in bulk. 1P sellers may also get access to more marketing tools.

Since you’re the supplier, all you have to worry about is the supply, and the marketplace will handle customer-facing aspects. You remove all inventory risk from your business, because your items are sold and on the books.

Your items also get the benefit of being listed as an Amazon or Walmart product, which can encourage trust and potentially more purchases.

Drawbacks of 1P

The biggest drawback of 1P is lack of control and lower margins. Selling at wholesale instead of retail hurts your margins, but even beyond that, you give the marketplace power to control pricing, even beyond your recommended sales price.

In the case of Amazon, although you get access to more merchandising options, 1P sellers are still expected to pay for them.

You also lose some leverage in the relationship, since you end up becoming more dependent on the marketplace and are at the mercy of their accounting departments when it comes to getting paid in a timely manner. For example, 3P sellers on Amazon typically get paid every 7 or 14 days. However, 1P sellers typically get Net 90 terms, with the option for Net 30 or Net 60 if you provide discounts (2% or 1%, respectively).

Finally, you end up not controlling your entire inventory, so if you’re running low on inventory in Walmart, you cannot use your items with Amazon to fulfill additional orders.

Benefits of 3P

When you sell through the marketplace, you get the benefit of setting your own prices so you can protect your margins. You can also ensure you don’t get de-listed on any marketplace due to a price discrepancy, since Amazon crawls listings on competitor marketplaces.

3P also means you control your own inventory, so you can fulfill orders on various marketplaces from your stock.

Finally, you have complete ownership and control of your product, and get additional brand exposure for your seller account.

Drawbacks of 3P

Selling directly to consumers through Amazon or Walmart means you will have to set up your own listings, ensure they are optimized, and handle your own marketing. This option does come with more responsibility on the seller, but this can be mitigated by outsourcing to strategic partners.

Описание шестеренных насосов 1P

Шестеренные насосы 1P представляют собой насосы фиксированной производительности с шестернями внешнего зацепления с компенсацией осевого зазора.
Насосы характеризуются значительными величинами расхода даже при высоких рабочих давлениях, низким уровнем шума и продолжительным сроком службы.
Насосы выпускаются с производительностью от 1,1 до 8,0 см³/об и рабочими давлениями до 230 бар.
Насосы выпускают с коническим валом вращающимся по часовой стрелке.
Гидравлическое присоединение представляет собой отверстия с резьбой типа BSP.

Технические характеристики

Диапазон производительности: 1,1…8,0 см³ /об
Диапазон температур окружающей среды: -20°C … +50°C.
Диапазон температур рабочей жидкости: -10°C … +80°C.
Рекомендуемая вязкость: 25…100 сСт
Минимальная вязкость: 12 сСт (при максимальной температуре сливаемой жидкости 80°C).
Максимальная вязкость: 1600 сСт (ограничивается только фазой пуска насоса).

Масса: 1,6 кг.

Допустимая степень загрязненности жидкости должна соответствовать классу чистоты 20/18/15 по ISO 4406:1999, поэтому рекомендуется использовать фильтр с β≥75. Для оптимального срока службы насоса рекомендуется, чтобы максимальная степень загрязнения соответствовала классу чистоты 18/16/13 по ISO 4406:1999, для этого рекомендуется использовать фильтр с β10 ≥ 100. Если на магистрали всасывания устанавливается фильтр, убедитесь в том, что давление на входе насоса не ниже значений, указанных в п. 6. Фильтр магистрали всасывания должен быть оснащен байпасным клапаном и, по возможности, датчиком засорения.

Кратко о MOSFET

MOSFET — это управляемый переключатель с тремя контактами (затвор, сток и исток). Сигнал затвора (управления) подается между затвором и истоком, а контактами переключения являются сток и исток. Сам затвор выполнен из металла и отделен от истока оксидом металла в качестве диэлектрика. Это позволяет снизить энергопотребление и делает этот транзистор отличным выбором для использования в качестве электронного переключателя или усилителя в схеме с общим истоком. 

Существует много различных типов МОП-транзисторов, но наиболее сопоставимыми с IGBT являются мощные MOSFET. Они специально разработаны для работы со значительными уровнями мощности и используются чаще всего только во включенном или выключенном состояниях, что делает их наиболее используемым ключом для низковольтных схем. По сравнению с IGBT, мощные полевые МОП-транзисторы имеют преимущества — более высокую скорость коммутации и более высокую эффективность при работе при низких напряжениях. Более того, такая схема может выдерживать высокое напряжение блокировки и поддерживать высокий ток. Это связано с тем что большинство мощных МОП-структур являются вертикальными (а не плоскими). Номинальное напряжение является прямой функцией легирования и толщины эпитаксиального слоя с примесью N-типа, а ток зависит от ширины канала (чем шире канал, тем выше ток).

Биполярный транзистор BFT92 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BFT92

Маркировка: W1_W1p_W1s

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

Корпус транзистора: SOT23

BFT92
Datasheet (PDF)

1.1. bft92 cnv 2.pdf Size:41K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFT92
PNP 5 GHz wideband transistor
November 1992
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC14
Philips Semiconductors Product specification
PNP 5 GHz wideband transistor BFT92
DESCRIPTION PINNING
PNP transistor in a plastic SOT23
PIN DESCRIPTION
envelope.
Code: W1p
It is primarily intended for use in RF
1 base
fpage 3
wideband

1.2. bft92w.pdf Size:345K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFT92W
PNP 4 GHz wideband transistor
Product specification May 1994
NXP Semiconductors Product specification
PNP 4 GHz wideband transistor BFT92W
FEATURES DESCRIPTION
? High power gain Silicon PNP transistor in a plastic,
3
SOT323 (S-mini) package. The
handbook, 2 columns
? Gold metallization ensures
BFT92W uses the same crystal as the
excell

 1.3. bft92w 1.pdf Size:73K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFT92W
PNP 4 GHz wideband transistor
May 1994
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC14
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors Product specification
PNP 4 GHz wideband transistor BFT92W
FEATURES DESCRIPTION
High power gain Silicon PNP transistor in a plastic, handbook, 2 columns
3
SOT323 (S-mini) package. The
Gold me

1.4. bft92 cnv.pdf Size:192K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFT92
PNP 5 GHz wideband transistor
Product specification November 1992
NXP Semiconductors Product specification
PNP 5 GHz wideband transistor BFT92
DESCRIPTION PINNING
PNP transistor in a plastic SOT23
PIN DESCRIPTION
envelope.
Code: W1p
lfpage 3
It is primarily intended for use in RF
1 base
wideband amplifiers, such as in aerial
2 emitter

 1.5. bft92w.pdf Size:56K _siemens

BFT 92W
PNP Silicon RF Transistor
For broadband amplifiers up to 2GHz
at collector currents up to 20mA
Complementary type: BFR 92W (NPN)
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package
BFT 92W W1s Q62702-F1681 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323
Maximum Ratings
Parameter Symbol Values Unit
Collector-emitter volta

1.6. bft92.pdf Size:57K _siemens

BFT 92
PNP Silicon RF Transistor
For broadband amplifiers up to 2GHz
at collector currents up to 20mA
Complementary type: BFR 92P (NPN)
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package
BFT 92 W1s Q62702-F1062 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23
Maximum Ratings
Parameter Symbol Values Unit
Collector-emitter voltage

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2N3879 Datasheet (PDF)

1.1. 2n3879smd.pdf Size:10K _upd

2N3879SMD
Dimensions in mm (inches).
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed
0.89
(0.035)
min.
Ceramic Surface Mount
3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)
3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.
Package for High
Reliability Applications
1 3
Bipolar NPN Device.
2
VCEO = 75V
IC = 7A
9.67 (0.381)
All Semelab hermetically sealed products
9.38 (0.369)
0.50 (0.020)
0.26 (0

1.2. 2n3879smd05.pdf Size:10K _upd

2N3879SMD05
Dimensions in mm (inches).
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed
7.54 (0.296)
0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount
min.
3.175 (0.125)
2.41 (0.095) Package for High
2.41 (0.095)
Max.
0.127 (0.005)
Reliability Applications
1 3
Bipolar NPN Device.
2
VCEO = 75V
IC = 7A
0.127 (0.005)
16 PLCS 0.127 (0.005)
0.50(0.020)
0.50 (0.020)
All Semelab herm

 1.3. 2n3879.pdf Size:413K _no

1.4. 2n3879.pdf Size:185K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3879
DESCRIPTION
·Excellent Safe Operating Area
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation.
APPLICATIONS
·Designed for high speed switching and linear- amplifier
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

Очнь Высоковольтные MOSFET транзисторы

Type	VDSS	RDS(on) @ 10V	ID(cont)	Qg @ 10V (Typ)	Package
V	Ohm	A	nC
STU10NC70Z	700	0,75	9,4	72	Max220
STU10NC70ZI	700	0,75	9,4	72	Max220I
STW10NC70Z	700	0,75	10,6	72	TO-247
STB8NC70Z	700	1,2	6,8	60	D2PAK/I2PAK
STB8NC70Z-1	700	1,2	6,8	60	D2PAK/I2PAK
STP8NC70Z	700	1,2	6,8	60	TO-220
STP8NC70ZFP	700	1,2	6,8	60	TO-220FP
STW9NC70Z	700	1,2	7,5	60	TO-247
STB7NC70Z	700	1,38	6	47	D2PAK/I2PAK
STB7NC70Z-1	700	1,38	6	47	D2PAK/I2PAK
STP7NC70Z	700	1,38	6	47	TO-220
STP7NC70ZFP	700	1,38	6	47	TO-220FP
STW8NC70Z	700	1,38	7	47	TO-247
STB5NC70Z	700	2	4,6	—	D2PAK
STP5NC70Z	700	2	4,6	—	TO-220
STP5NC70ZFP	700	2	4,6	—	TO-220FP
STD2NC70Z	700	4,5	1,7	—	DPAK/IPAK
STD2NC70Z-1	700	4,5	1,7	—	DPAK/IPAK
STP3NC70Z	700	4,5	2,5	—	TO-220
STU10NB80	800	0,8	10	70	Max220
STU10NB80I	800	0,8	10	70	Max220I
STW11NB80	800	0,8	11	70	TO-247
STH9NC80ZFI	800	0,9	9,4	72,2	ISOWATT218
STU9NC80Z	800	0,9	8,6	71	Max220
STU9NC80ZI	800	0,9	8,6	72,2	Max220I
STW9NC80Z	800	0,9	9,4	71	TO-247
STU9NB80	800	1	9,3	53	Max220
STU9NB80I	800	1	9,3	53	Max220I
STB7NC80Z	800	1,5	6	57	D2PAK/I2PAK
STB7NC80Z-1	800	1,5	6	57	D2PAK/I2PAK
STP7NC80Z	800	1,5	6	57	TO-220
STP7NC80ZFP	800	1,5	6	57	TO-220FP
STW8NC80Z	800	1,5	6,7	57	TO-247
STP7NB80	800	1,6	6,5	40	TO-220
STP7NB80FP	800	1,6	7	40	TO-220FP
STW8NB80	800	1,6	7,5	40	TO-247
STB6NC80Z	800	1,8	5,4	45	D2PAK/I2PAK
STB6NC80Z-1	800	1,8	5,4	45	D2PAK/I2PAK
STP6NC80Z	800	1,8	5,4	45	TO-220
STP6NC80ZFP	800	1,8	5,4	45	TO-220FP
STW7NC80Z	800	1,8	6	45	TO-247
STP6NB80	800	1,9	5,7	33	TO-220
STP6NB80FP	800	1,9	6	33	TO-220FP
STW7NB80	800	1,9	6,5	33	TO-247
STB5NB80	800	2,2	5	30	D2PAK
STP5NB80	800	2,2	5	30	TO-220
STP5NB80FP	800	2,2	3	30	TO-220FP
STB4NC80Z	800	2,8	4	—	D2PAK/I2PAK
STB4NC80Z-1	800	2,8	4	—	D2PAK/I2PAK
STP4NC80Z	800	2,8	4	—	TO-220
STP4NC80ZFP	800	2,8	4	—	TO-220FP
STB4NB80	800	3,3	4	21	D2PAK
STP4NB80	800	3,3	4	21	TO-220
STP4NB80FP	800	3,3	2,3	21	TO-220FP
STD2NB80	800	6,5	1,9	17	DPAK/IPAK
STD2NB80-1	800	6,5	1,9	17	DPAK/IPAK
STP3NB80	800	6,5	2,6	17	TO-220
STP3NB80FP	800	6,5	1,6	17	TO-220FP
STD1NB80	800	20	1	10	DPAK/IPAK
STD1NB80-1	800	20	1	10	DPAK/IPAK
STN1NB80	800	20	0,2	10	SOT-223
STE26NA90	900	0,3	26	470	ISOTOP
STY16NA90	900	0,54	16	245	Max247
STU8NB90	900	1	8,9	64	Max220
STU8NB90I	900	1	8,9	64	Max220I
STW9NB90	900	1	9,7	64	TO-247
STU8NC90Z	900	1,38	7	70	Max220
STU8NC90ZI	900	1,38	7	—	Max220I
STW8NC90Z	900	1,38	7,6	70	TO-247
STH8NB90FI	900	1,45	5	—	ISOWATT218
STU7NB90	900	1,45	7,4	51	Max220
STU7NB90I	900	1,45	7,4	51	Max220I
STW8NB90	900	1,45	8	51	TO-247
STP6NB90	900	1,9	6	40	TO-220
STP6NB90FP	900	1,9	6	40	TO-220FP
STB6NC90Z	900	2	5,3	51	D2PAK/I2PAK
STB6NC90Z-1	900	2	5,3	51	D2PAK/I2PAK
STP6NC90Z	900	2	5,3	52	TO-220
STP6NC90ZFP	900	2	5,3	52	TO-220FP
STW6NB90	900	2	6,3	40	TO-247
STW7NC90Z	900	2	5,8	52	TO-247
STB5NC90Z	900	2,5	4,6	40	D2PAK/I2PAK
STB5NC90Z-1	900	2,5	4,6	40	D2PAK/I2PAK
STP5NB90	900	2,5	5	33	TO-220
STP5NB90FP	900	2,5	5	33	TO-220FP
STP5NC90Z	900	2,5	4,6	40	TO-220
STP5NC90ZFP	900	2,5	4,6	40	TO-220FP
STW5NB90	900	2,5	5,6	33	TO-247
STW6NC90Z	900	2,5	5,2	40	TO-247
STP4NB90	900	2,9	4,4	30	TO-220
STP4NB90FP	900	2,9	2,5	30	TO-220FP
STB3NC90Z	900	3,5	3,5	40	D2PAK/I2PAK
STB3NC90Z-1	900	3,5	3,5	40	D2PAK/I2PAK
STP3NC90Z	900	3,5	3,5	40	TO-220
STP3NC90ZFP	900	3,5	3,5	40	TO-220FP
STP3NB90	900	4,2	3,5	21	TO-220
STP3NB90FP	900	4,2	2	21	TO-220FP
STE24NA100	1000	0,375	24	470	ISOTOP
STE15NA100	1000	0,77	15	470	ISOTOP
STY15NA100	1000	0,77	15	470	Max247
STU7NB100	1000	1,5	7	—	Max220
STU7NB100I	1000	1,5	7	—	Max220I
STW8NB100	1000	1,8	7,3	68	TO-247
STP5NB100	1000	2,7	5	39	TO-220
STP5NB100FP	1000	2,7	5	39	TO-220FP
STW6NB100	1000	2,8	5,4	39	TO-247
STP4NB100	1000	4,4	4,4	32	TO-220
STP4NB100FP	1000	4,4	4,4	32	TO-220FP
STW5NB100	1000	4,4	4,3	32	TO-247
STP3NB100	1000	6	3	22	TO-220
STP3NB100FP	1000	6	1,8	22	TO-220FP

AP72T02GH-HF Datasheet (PDF)

1.1. ap72t02gh.pdf Size:192K _ape

AP72T02GH/J-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
▼ D BVDSS 25V
▼ Simple Drive Requirement
▼
▼
▼ RDS(ON) 9mΩ
▼ Low On-resistance
▼
▼
▼ ID 62A
▼ Fast Switching Characteristic
▼
▼
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
▼
▼
▼
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

1.2. ap72t02gh j-hf.pdf Size:104K _ape

AP72T02GH/J-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 25V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 62A
G
▼ RoHS Compliant
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
G
ruggedized device de

 4.1. ap72t03gj-hf.pdf Size:96K _ape

AP72T03GH/J-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 62A
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
G
D
S TO-252(H)
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast s

4.2. ap72t03gp.pdf Size:94K _ape

AP72T03GP
RoHS-compliant Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9.5mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 65A
G
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance

 4.3. ap72t03gi-hf.pdf Size:93K _ape

AP72T03GI-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement D BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9.5mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 62A
G
▼ RoHS Compliant
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
G
D
ruggedized device

4.4. ap72t03gh ap72t03gj.pdf Size:96K _ape

AP72T03GH/J
RoHS-compliant Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 62A
G
S
Description
G
D
S TO-252(H)
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design,

 4.5. ap72t03gp-hf.pdf Size:94K _ape

AP72T03GP-HF
Halogen-Free Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
D
▼ Simple Drive Requirement BVDSS 30V
▼ Low On-resistance RDS(ON) 9.5mΩ
▼ Fast Switching Characteristic ID 65A
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggediz

Сравнение IGBT с MOSFET

Структуры обоих транзисторов очень похожи друг на друга. Что касается протекания тока, важным отличием является добавление слоя подложки P-типа под слой подложки N-типа в структуре модуля IGBT. В этом дополнительном слое дырки вводятся в слой с высоким сопротивлением N-типа, создавая избыток носителей. Это увеличение проводимости в N-слое помогает уменьшить общее напряжение во включенном состоянии в IGBT-модуле. К сожалению, это также блокирует поток электроэнергии в обратном направлении. Поэтому в схему добавлен специальный диод, который расположен параллельно с IGBT чтобы проводить ток в противоположном направлении.