Виды транзисторов и область их применения. общие сведения

На что нужно обратить внимание?

Открыв PDF-даташит, в первую очередь выясняем тип транзистора: биполярный или полевой, p-n-p или n-p-n, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Из числовых параметров это, прежде всего, максимальный ток и напряжение. У транзистора-замены максимальный ток и напряжение должны быть больше либо равны исходному.

Для биполярного транзистора важным параметром является коэффициент передачи по току hfe. Если транзистор стоит в ключевых схемах (включение-выключение нагрузок), hfe должен быть больше
или равен искомому. Если стоит в аналоговых усилителях или подобных устройствах, то должен быть близок. В импульсных блоках питания
транзисторы-аналоги также нужно выбирать с близким hfe (возможно придётся менять и исправный транзистор, стоящий в паре).

Необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор чрезмерно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в неисправных элементах его обвязки.

2N6426 Datasheet (PDF)

1.1. 2n6426 2n6427.pdf Size:212K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by 2N6426/D
Darlington Transistors
2N6426*
NPN Silicon
2N6427
*Motorola Preferred Device
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
1
2
MAXIMUM RATINGS 3
Rating Symbol Value Unit
CASE 2904, STYLE 1
CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc
TO92 (TO226AA)
CollectorBase Voltage VCBO 40 Vdc
EmitterBase Voltage VEBO 12 Vdc
Collector Cu

1.2. 2n6426.pdf Size:295K _fairchild_semi

Discrete POWER & Signal
Technologies
2N6426
C TO-92
B
E
NPN Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely
high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from
Process 05. See MPSA14 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V
V Collector-Base Voltag

 5.1. 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf Size:298K _rca

5.2. 2n6427 1.pdf Size:49K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D186
2N6427
NPN Darlington transistor
1997 Jul 04
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC04
Philips Semiconductors Product specification
NPN Darlington transistor 2N6427
FEATURES PINNING
High current (max. 500 mA)
PIN DESCRIPTION
Low voltage (max. 30 V)
1 collector
High DC current gain (min. 10000).
2

 5.3. 2n6427 mmbt6427.pdf Size:706K _fairchild_semi

2N6427 MMBT6427
C
E
C TO-92
B
B
SOT-23
E
Mark: 1V
NPN Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely
high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from
Process 05. See MPSA14 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V
VCBO Collector-B

5.4. 2n6428.pdf Size:34K _samsung

 5.5. 2n6428a.pdf Size:35K _samsung

5.6. 2n6425.pdf Size:11K _semelab

2N6425
Dimensions in mm (inches).
Bipolar PNP Device in a
Hermetically sealed TO66
6.35 (0.250)
Metal Package.
8.64 (0.340)
3.68
(0.145) rad.
3.61 (0.142)
max.
4.08(0.161)
rad.
Bipolar PNP Device.
1 2
VCEO = 300V
IC = 0.25A
All Semelab hermetically sealed products
can be processed in accordance with the
requirements of BS, CECC and JAN,
JANTX, JANTXV and JANS speci

5.7. 2n3583 2n3584 2n3585 2n4240 2n6420 2n6421 2n6422 2n6423.pdf Size:224K _bocasemi

A
Boca Semiconductor Corp.
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com

5.8. 2n6420.pdf Size:148K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon PNP Power Transistors 2N6420
DESCRIPTION
·With TO-66 package
·Continuous collector current-IC=-1A
·Power dissipation -PD=35W @TC=25?
·Complement to type 2N3583
APPLICATIONS
·High speed switching and linear amplifier
·High-voltage operational amplifiers
·Switching regulators ,converters
·Deflection stages and high fidelity amplifers

5.9. 2n6420.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon PNP Power Transistor 2N6420
DESCRIPTION
·Contunuous Collector Current-IC= -1A
·Power Dissipation-PC= 35W @TC= 25?
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -5.0 V(Max)@ IC = -1A
APPLICATIONS
·Designed for high-speed switching and linear amplifier appli-
cation for high-voltage operational amplifiers, switch

Расшифровка основных параметров биполярных транзисторов

Полупроводниковый материал: большинство транзисторов будут германиевые или кремниевые. Другие типы не используются в обычных устройствах. С учетом этого параметра будет спроектирована обвязка транзистора.

Полярность (проводимость): при установке транзистора другой полярности, он выходит из строя.

Pc — Максимальная рассеиваемая мощность: необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность недостаточна — ухудшаются остальные характеристики транзистора, может начаться резкое увеличение тока коллектора, что проводит к еще большему разогреву и выходу транзистора из строя.

Ucb — Максимально допустимое напряжение коллектор-база, определяемое величиной пробивного напряжения p-n перехода. Оно имеет зависимость от тока коллектора и температуры транзистора.

Uce — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер. Необходимо, чтобы Uce было на треть больше напряжения питания цепи коллектора. Если нагрузкой схемы является катушка реле, необходимо предусмотреть защиту транзистора от перенапряжения, например диод.

Ueb — Максимально допустимое напряжение эмиттер-база.

Ic — Максимальный постоянный ток коллектора. Ток транзистора также берется с запасом не менее 30%. Его величина зависит от температуры корпуса транзистора или окружающей среды.

Tj — Предельная температура PN-перехода

Этот параметр важно учитывать, если транзистору приходить работать в экстремальных условиях, например в автомобиле, где его температура может доходить до 100 градусов.. ft — Граничная частота коэффициента передачи тока — частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером стремится к единице

Данный параметр важен потому, что с ростом частоты входного сигнала коэффициент усиления падает.

ft — Граничная частота коэффициента передачи тока — частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером стремится к единице. Данный параметр важен потому, что с ростом частоты входного сигнала коэффициент усиления падает.

Cc — Ёмкость коллекторного перехода. От этого параметра зависит быстродействие транзистора. Чем она ниже, тем лучше.

hfe — Статический коэффициент передачи тока — соотношение тока коллектора Iс к току базы Ib.

Выше описаны только наиболее важные параметры транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: напряжение насыщения коллектор-эмиттер, максимально допустимый импульсный ток коллектора, обратный ток эмиттера, максимально допустимый ток базы и т.д.