Схема низкочастотного генератора на микросхеме кр140уд708 (20-20000гц)

Детали и печатная плата

Большинство деталей расположено на печатной плате. Все регуляторы-резисторы, переключатели и разъемы расположены на передней панели. Многие детали смонтированы на их выводах.

Рис. 2. печатная плата для низкочастотного генератора сигналов.

Переключатель S1 галетный на три направления и три положения. Используются только два направления. Выключатель S2 -тумблер на два направления. Все разъемы — коаксиальные разъемы типа «Азия» от видеотехники.

Дроссели L1 и L2 — от модулей цветности старых телевизоров УСЦТ (можно использовать любые дроссели индуктивностью не менее 30 мкГн). Лампа накаливания Н1 — индикаторная, с гибкими проволочными выводами (похожа на светодиод), на напряжение 6,ЗV и то 20 мА. Можно использовать и другую лампу на напряжение 2,5-13,5V и ток не более 0,1 А.

Принципиальная схема генератора

Схема состоит из низкочастотного синусоидального генератора на операционном усилителе А1 и выходного делителя на резисторах R6, R12, R13, R14.

Рис. 1. Принципиальная схема НЧ генератора на ОУ (20-20000Гц).

Схема синусоидального генератора традиционная. Операционный усилитель, при помощи положительной обратной связи (С1-C3, R3, R4, R5, С4-С6) выполненной по схеме моста Винна, переведен в режим генерации. Избыточная глубина положительной обратной связи, приводящая к искажению выходного синусоидального сигнала, компенсируется отрицательной ОС R1-R2.

Причем, R1 подстроечный, чтобы с его помощью можно было установить величину ОС такой, при которой на выходе операционного усилителя неискаженный синусоидальный сигнал наибольшей амплитуды.

Лампа накаливания Н1 включена на выходе ОУ в его цепи обратной связи. Вместе с резистором R16 лампа образует делитель напряжения, коэффициент деления которого зависит от протекающего через него тока (лампа Н1 выполняет функции терморезистора, увеличивая свое сопротивление от нагрева, вызванного протекающим током).

Частота устанавливается двумя органами управления, — переключателем S1 выбирают один из трех поддиапазонов «20-200 Гц», «200-2000 Гц» и «2000-20000 Гц». Реально диапазоны немного шире и частично перекрывают друг друга. Плавная настройка частоты производится сдвоенным переменным резистором R5. Желательно чтобы резистор был с линейным законом изменения сопротивления.

Сопротивления и законы изменения составных частей R5 должны быть строго одинаковыми, поэтому, применение самодельных сдвоенных резисторов (сделанных из двух одиночных) недопустимо. От точности равенства сопротивлений R5 сильно зависит коэффициент нелинейных искажений синусоидального сигнала.

На оси переменного резистора закреплена ручка со стрелкой (как у галетных приборных переключателей) и простая шкала для установки частоты. Для точной установки частоты лучше всего использовать цифровой частотомер.

Выходное напряжение плавно регулируют переменным резистором R6. С этого резистора поступает НЧ напряжение на выход. Понизить установленное значение в 10 и 100 раз можно при помощи аттенюатора на резисторах R12-R14.

Максимальное выходное напряжение НЧ генератора, -1,0V. Контролировать величину выходного напряжение удобнее всего по низкочастотному милливольтметру, делая поправку на значение аттенюатора на резисторах R12-R14. Выключают генератор тумблером на два направления S2, отключающим генератор от источника двуполярного напряжения ±10V.

Налаживание

Налаживать генератор желательно используя частотомер и осциллограф. В этом случае, подстройкой резистора R1 добиваются максимального и неискаженного переменного синусоидального напряжения на выходе генератора, во всем диапазоне частот (это, обычно, соответствует величине выходного переменного напряжения 1V).

Затем, более точным подбором R4 и R3 (эти сопротивления должны быть одинаковы) устанавливают диапазоны перестройки частоты. Если используются недостаточно точные конденсаторы С1-С6 может понадобиться их подбор или включение параллельно им «достроечных» конденсаторов.

Иванов А. РК-08-16.

Литература: 1. Овечкин М. Низкочастотный измерительный комплекс, Р-1980-04.

A708 Datasheet (PDF)

1.1. ksa708.pdf Size:39K _fairchild_semi

KSA708
Low Frequency Amplifier & Medium Speed
Switching
• Complement to KSC1008
• Collector-Base Voltage : VCBO= -80V
• Collector Power Dissipation : PC=800mW
• Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
TO-92
1
1. Emitter 2. Base 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol Para

1.2. csc1008 csa708.pdf Size:217K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSC1008 NPN
CSA708 PNP
TO-92
CBE
Low Frequency Amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Collector -Base Voltage VCBO 80 V
Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V
Emitter -Base Voltage VEBO

 1.3. kta708.pdf Size:53K _kec

SEMICONDUCTOR KTA708
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
VOLTAGE REGULATOR, RELAY,
LAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE
B C
FEATURES
·High Voltage : VCEO=-60V(Min.).
·High Current : IC(Max.)=-1A.
N DIM MILLIMETERS
·High Transition Frequency : fT=150MHz(Typ.).
A 4.70 MAX
E
K
·Wide Area of Safe Operation. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
·Complementary to KTC1008.
D 0.45
E 1.00

1.4. 2sa708.pdf Size:86K _usha

Transistors
2SA708

 1.5. ksa708.pdf Size:69K _wietron

WEITRON
KSA708
PNP Plastic-Encapsulate Transistor
P b Lead(Pb)-Free
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
FEATURES :
• Low Saturation Medium Current Application
TO-92
MAXIMUM RATINGS (T unless otherwise noted)
A=25°C
Parameter Symbol Value Units
Collector-Base Voltage V
VCBO -80
Collector-Emitter Voltage V
VCEO -60
Emitter-Base Voltage -8 V
VEBO
A
Collector Current -Continuous IC

1.6. a708.pdf Size:491K _fgx

 风光欣技术资料 A708
—PNP silicon —
■■APPLICATION：Gengeral Purpose Applications.
PARAMETER SYMBOL RATING UNIT
Collector-base voltage VCBO -80 V
Collector-emitter voltage VCEO -60 V
Emitter-base voltage VEBO -8 V
Collector current IC -700 mA
Collector Power Dissipation PC 800 mW
Junction Temperature TJ 150
℃
Storage Temperature Range Tstg ﹣55~150
℃
■■ELE

1.7. fta708.pdf Size:828K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTA708
TECHNICAL DATA
TRANSISTOR (PNP)
B C
FEATURES
Low Saturation Medium Current Application
DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
D 0.55 MAX
E 1.00
F 1.27
G 0.85
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
H 0.45
_
H
J 14.00 + 0.50
L 2.30
F F
Symbol Parameter Value Unit M 0.51 MAX
VCBO Collector-Base Voltage -80 V
1 2 3
1.

Биполярный транзистор A708 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: A708

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO92

A708
Datasheet (PDF)

1.1. ksa708.pdf Size:39K _fairchild_semi

KSA708
Low Frequency Amplifier & Medium Speed
Switching
• Complement to KSC1008
• Collector-Base Voltage : VCBO= -80V
• Collector Power Dissipation : PC=800mW
• Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
TO-92
1
1. Emitter 2. Base 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol Para

1.2. csc1008 csa708.pdf Size:217K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSC1008 NPN
CSA708 PNP
TO-92
CBE
Low Frequency Amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Collector -Base Voltage VCBO 80 V
Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V
Emitter -Base Voltage VEBO

 1.3. kta708.pdf Size:53K _kec

SEMICONDUCTOR KTA708
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
VOLTAGE REGULATOR, RELAY,
LAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE
B C
FEATURES
·High Voltage : VCEO=-60V(Min.).
·High Current : IC(Max.)=-1A.
N DIM MILLIMETERS
·High Transition Frequency : fT=150MHz(Typ.).
A 4.70 MAX
E
K
·Wide Area of Safe Operation. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
·Complementary to KTC1008.
D 0.45
E 1.00

1.4. 2sa708.pdf Size:86K _usha

Transistors
2SA708

 1.5. ksa708.pdf Size:69K _wietron

WEITRON
KSA708
PNP Plastic-Encapsulate Transistor
P b Lead(Pb)-Free
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
FEATURES :
• Low Saturation Medium Current Application
TO-92
MAXIMUM RATINGS (T unless otherwise noted)
A=25°C
Parameter Symbol Value Units
Collector-Base Voltage V
VCBO -80
Collector-Emitter Voltage V
VCEO -60
Emitter-Base Voltage -8 V
VEBO
A
Collector Current -Continuous IC

1.6. a708.pdf Size:491K _fgx

 风光欣技术资料 A708
—PNP silicon —
■■APPLICATION：Gengeral Purpose Applications.
PARAMETER SYMBOL RATING UNIT
Collector-base voltage VCBO -80 V
Collector-emitter voltage VCEO -60 V
Emitter-base voltage VEBO -8 V
Collector current IC -700 mA
Collector Power Dissipation PC 800 mW
Junction Temperature TJ 150
℃
Storage Temperature Range Tstg ﹣55~150
℃
■■ELE

1.7. fta708.pdf Size:828K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTA708
TECHNICAL DATA
TRANSISTOR (PNP)
B C
FEATURES
Low Saturation Medium Current Application
DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
D 0.55 MAX
E 1.00
F 1.27
G 0.85
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
H 0.45
_
H
J 14.00 + 0.50
L 2.30
F F
Symbol Parameter Value Unit M 0.51 MAX
VCBO Collector-Base Voltage -80 V
1 2 3
1.

Другие транзисторы… A1586
, A1587
, A1588
, A1621
, A1663
, A2071
, A327A
, A3355
, AC127
, A720
, A751
, A773
, A817
, A838
, A844
, A9015
, A928A
.

Для дома и офиса