Datasheet multicomp 2n3906

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

KST3906 Datasheet (PDF)

Sod 123

1.1. kst3906.pdf Size:107K _fairchild_semi

September 2010
KST3906
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Features
General Purpose Transistor
3
Marking
2
2A
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V
VEBO Emitter-Base Voltage -5 V
IC Collector Current -200 mA
PC Collector Po

1.2. kst3906.pdf Size:47K _samsung

KST3906 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
SOT-23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V
Emitter-Base Voltage VEBO -5 V
Collector Current IC -200 mA
Collector Dissipation PC 350 mW
Storage Temperature TSTG 150
1. Base 2. Emitter 3. Collector
ELECTRICAL

4.1. kst3904.pdf Size:55K _fairchild_semi

KST3904
3
General Purpose Transistor
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 60 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current 200 mA
PC Collector Power Dissipation 350 mW
TSTG Storage Temperat

4.2. kst3903.pdf Size:47K _samsung

KST3903/3904 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
SOT-23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -60 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V
Emitter-Base Voltage VEBO -6 V
Collector Current IC -200 mA
Collector Dissipation PC 350 mW
Storage Temperature TSTG 150
1. Base 2. Emitter 3. Collector
ELECT

Datasheets

2n2222a datasheet, equivalent, cross reference search

Просмотр и загрузка
Datasheet 2N3906

PDF, 155 Кб, Язык: анг., Версия: 1.1, Файл опубликован: 5 дек 2008, Страниц: 4PNP Silicon Planar Switching Transistors for General Purpose Switching and Amplifier Applications in TO-92 Plastic Package

Выписка из документа

2N3906Low Power Bipolar TransistorsFeatures:• PNP Silicon Planar Switching Transistors.• General Purpose Switching and Amplifier Applications. TO-92 Plastic Package Dimensions Minimum Maximum A 4.32 5.33 B 4.45 5.20 C 3.18 4.19 D 0.41 0.55 E 0.35 0.50 FGHK 5°1.40 1.14 1.53 12.70 Dimensions : Millimetres Pin Configuration:1. Collector2. Base3. Emitter Page 12/05/08 V1.1 2N3906Low Power Bipolar TransistorsAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25°C unless otherwise specified)Description Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO Collector-Base Voltage VCBO Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 IC 200 mA 6255.0 mWmW/°C 1.512 WmW/°C Tj, Tstg -55 to +150 °C Junction to Case Rth (j-c) 125 Junction to Ambient Rth (j-a) 200 Collector Current ContinuousPower Dissipation at Ta = 25°CDerate above 25°C 40 V PD Power Dissipation at Tc = 25°CDerate above 25°COperating and Storage JunctionTemperature Range …

Производители

Даташит d1047 pdf ( datasheet )

Выпускают транзистор 2N3906 такие фирмы: ON Semiconductor, KEC(Korea Electronics), Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Micro Commercial Components, SeCoS Halbleitertechnologie, First Silicon, Central Semiconductor, AUK, STMicroelectronics, Inchange Semiconductor, Transys Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Tiger Electronic, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Pan Jit International, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Rohm, Daya Electric Group, Guangdong Kexin Industrial, General Semiconductor, Weitron Technology, New Jersey Semi-Conductor Products, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Electronics, Dc Components, KODENSHI KOREA, Semtech Corporation, Silicon Standard, Nanjing International, Diodes Incorporated.

CH3906ZGP Datasheet (PDF)

1.1. ch3906zgp.pdf Size:148K _upd

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
CH3906ZGP
SURFACE MOUNT
PNP Switching Transistor
VOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere
APPLICATION
* Telephony and proferssional communction equipment.
* Other switching applications.
SC-73/SOT-223
FEATURE
* Small flat package. ( SC-73/SOT-223 )
1.65+0.15
* Low current (Max.=200mA).
6.50+0.20
0.90+0.05
2.0+0.3
* Suitable for high packing density. 3.00

4.1. ch3906gp-a.pdf Size:172K _upd

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
CH3906GP-A
SURFACE MOUNT
PNP Switching Transistor
VOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere
APPLICATION
* Telephony and proferssional communction equipment.
* Other switching applications.
SOT-23
FEATURE
* Small surface mounting type. (SOT-23)
* Low current (Max.=200mA).
* Suitable for high packing density.
* Low voltage (Max.=40V) .
(1)
* High saturation

4.2. ch3906gp.pdf Size:168K _upd

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
CH3906GP
SURFACE MOUNT
PNP Switching Transistor
VOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere
APPLICATION
* Telephony and proferssional communction equipment.
* Other switching applications.
SOT-23
FEATURE
* Small surface mounting type. (SOT-23)
* Low current (Max.=200mA).
* Suitable for high packing density.
* Low voltage (Max.=40V) .
(1)
* High saturation cu

4.3. ch3906vgp.pdf Size:124K _upd

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
CH3906VGP
SURFACE MOUNT
PNP Switching Transistor
VOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere
APPLICATION
* Telephony and proferssional communction equipment.
* Other switching applications.
FEATURE
SOT-563
* Small surface mounting type. (SOT-563)
* Low current (Max.=200mA).
* Suitable for high packing density.
* Low voltage (Max.=40V) .
(1)
(5)
* High satur

4.4. ch3906sgp.pdf Size:146K _upd

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
CH3906SGP
SURFACE MOUNT
PNP Switching Transistor
VOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere
APPLICATION
* Telephony and proferssional communction equipment.
* Other switching applications.
FEATURE
SC-88/SOT-363
* Small surface mounting type. (SC-88/SOT363)
* Low current (Max.=200mA).
* Suitable for high packing density.
* Low voltage (Max.=40V) .
(1) (6)
*

4.5. ch3906wgp.pdf Size:194K _upd

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
CH3906WGP
SURFACE MOUNT
PNP Switching Transistor
VOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere
APPLICATION
* Telephony and proferssional communction equipment.
* Other switching applications.
FEATURE
SC-70/SOT-323
* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)
* Low current (Max.=200mA).
* Suitable for high packing density.
* Low voltage (Max.=40V) .
* High sat

4.6. ch3906tgp.pdf Size:117K _upd

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
CH3906TGP
SURFACE MOUNT
PNP Switching Transistor
VOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere
APPLICATION
* Telephony and proferssional communction equipment.
* Other switching applications.
SC-75/SOT-416
FEATURE
* Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416)
* Low current (Max.=200mA).
* Suitable for high packing density.
0.1
0.2±0.05
* Low voltage (Max.=40

Подробное описание

RoHS: Yes

Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 V
Collector Emitter Voltage Vces: 250 mV
Continuous Collector Current Ic Max: 200 mA
Current Ic @ Vce Sat: 10 mA
Current Ic Continuous a Max: 200 mA
Current Ic Fall Time Measurement: 10 mA
DC Collector Current: 200 mA
DC Current Gain Min: 100
DC Current Gain: 1 mA
Fall Time @ Ic: 75 ns
Full Power Rating Temperature: 25°C
Gain Bandwidth ft Min: 250 MHz
Gain Bandwidth ft Typ: 250 MHz
Mounting Type: Through Hole
Number of Pins: 3
Number of Transistors: 1
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Package / Case: TO-92
Pin Configuration: b
Power Dissipation Pd: 625 mW
Power Dissipation Ptot Max: 250 mW
Transistor Case Style: TO-92
Transistor Polarity: PNP
Voltage Vcbo: 40 V

2N3906S Datasheet (PDF)

1.1. 2n3906sc.pdf Size:700K _upd

SEMICONDUCTOR 2N3906SC
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
·Low Leakage Current
: ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.)
@VCE=-30V, VEB=-3V.
·Excellent DC Current Gain Linearity.
·Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA.
·Complementary to 2N3904SC.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERIST

1.2. 2n3906s.pdf Size:51K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3906S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
E
L B L
DIM MILLIMETERS
FEATURES
_
+
2.93 0.20
A
B 1.30+0.20/-0.15
Low Leakage Current
C 1.30 MAX
2
: ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
@VCE=-30V, VEB=-3V.
1
G 1.90
H 0.95
Excellent DC Current Gain Linearity.
J 0.13

1.3. 2n3906s.pdf Size:199K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
2N3906S
TECHNICAL DATA
General Purpose Transistors
PNP Silicon
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
3
ORDERING INFORMATION
Device Marking Shipping
2
2N3906S 2A 3000/Tape & Reel 1
SOT–23
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
3
Collector–Emitter Voltage V – 40 Vdc
CEO
COLLECTOR
Collector–Base Voltage V CBO – 40

H3906 Datasheet (PDF)

1.1. ch3906gp-a.pdf Size:172K _upd

1.2. ch3906gp.pdf Size:168K _upd

1.3. ch3906vgp.pdf Size:124K _upd

1.4. ch3906zgp.pdf Size:148K _upd

1.5. ch3906sgp.pdf Size:146K _upd

1.6. ch3906wgp.pdf Size:194K _upd

1.7. ch3906tgp.pdf Size:117K _upd

1.8. h3906.pdf Size:65K _shantou-huashan

PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H3906
█ APPLICATIONS
Small Signal Amplifier ；High Frequency oscillator；Switching Applications.
(complement To H3904)
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃ TO-92
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯

Биполярный транзистор H3906 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: H3906

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: TO92

H3906
Datasheet (PDF)

1.1. ch3906gp-a.pdf Size:172K _upd

1.2. ch3906gp.pdf Size:168K _upd

1.3. ch3906vgp.pdf Size:124K _upd

1.4. ch3906zgp.pdf Size:148K _upd

1.5. ch3906sgp.pdf Size:146K _upd

1.6. ch3906wgp.pdf Size:194K _upd

1.7. ch3906tgp.pdf Size:117K _upd

1.8. h3906.pdf Size:65K _shantou-huashan

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

DMBT3906 Datasheet (PDF)

1.1. dmbt3906.pdf Size:115K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT3906
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for general purpose switching and
amplifier applications.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter 3
.063(1.60) .108(0.65)
3 = Collector
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85

3.1. dmbt3904.pdf Size:160K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT3904
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for general purpose switching and
amplifier applications.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter 3
.063(1.60) .108(0.65)
3 = Collector
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85

SMBT3906 Datasheet (PDF)

1.1. mbt3906dw1t1g smbt3906dw1t1g.pdf Size:130K _update

MBT3906DW1T1G,
SMBT3906DW1T1G
Dual General Purpose
Transistor
The MBT3906DW1T1G device is a spin-off of our popular
SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general
http://onsemi.com
purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363
six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in
one package, this device is ideal for low-power surface mount

1.2. smbt3906 mmbt3906.pdf Size:107K _update

SMBT3906/ MMBT3906
PNP Silicon Switching Transistor
3
• High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA
• Low collector-emitter saturation voltage
• Complementary type:
2
SMBT3904/ MMBT3904 (NPN)
1
VPS05161
Type Marking Pin Configuration Package
SMBT3906/ MMBT3906 s2A SOT23
1 = B 2 = E 3 = C
Maximum Ratings
Parameter Symbol Value Unit
40 V
Collector-emitter voltage VCEO
40
Coll

1.3. smbt3906u.pdf Size:76K _update

SMBT3906U
PNP Silicon Switching Transistor Array
4
High DC current gain: 0.1mA to 100mA
5
6
Low collector-emitter saturation voltage
Two ( galvanic) internal isolated Transistors
with good matching in one package
3
2
Complementary type: SMBT3904U (NPN)
1
C1 B2 E2 VPW09197
6 5 4
TR2
TR1
1 2 3
E1 B1 C2
EHA07175
Type Marking Pin Configuration Package
SMBT3906U s2A 1=E1 2=

1.4. smbt3906-s-u mmbt3906.pdf Size:884K _update

SMBT3906…MMBT3906
PNP Silicon Switching Transistors
• High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA
• Low collector-emitter saturation voltage
• For SMBT3906S and SMBT3906U:
Two (galvanic) internal isolated transistor
with good matching in one package
• Complementary types:
SMBT3904…MMBT3904 (NPN)
• SMBT3906S/ U: for orientation in reel
see package information below
• P

1.5. smbt3906.pdf Size:178K _siemens

PNP Silicon Switching Transistor SMBT 3906
High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary type: SMBT 3904 (NPN)
Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)
(tape and reel) 1 2 3
SMBT 3906 s2A Q68000-A4417 B E C SOT-23
Maximum Ratings
Parameter Symbol Values Unit
Collector-emitter voltage VCE0 40 V
Collector-base voltage VCB0 40

1.6. smbt3906 s2a sot363.pdf Size:31K _siemens

SMBT 3906S
PNP Silicon Switching Transistor Array
4
High DC current gain: 0.1mA to 100mA
5
Low collector-emitter saturation voltage
6
Two ( galvanic) internal isolated Transistors
with high matching in one package
Complementary type: SMBT 3904S (NPN)
3
2
VPS05604
1
Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package
SMBT 3906S s2A Q62702-A1202 1/4=E1/E2 2/5=B1/B2 3/6=C2/C1

1.7. smbt3906 mmbt3906.pdf Size:107K _infineon

1.8. smbt3906u.pdf Size:76K _infineon

1.9. smbt3906-s-u mmbt3906.pdf Size:884K _infineon

CH3906WGP Datasheet (PDF)

1.1. ch3906wgp.pdf Size:194K _upd

4.1. ch3906gp-a.pdf Size:172K _upd

4.2. ch3906gp.pdf Size:168K _upd

4.3. ch3906vgp.pdf Size:124K _upd

4.4. ch3906zgp.pdf Size:148K _upd

4.5. ch3906sgp.pdf Size:146K _upd

4.6. ch3906tgp.pdf Size:117K _upd

Биполярный транзистор SMBT3906 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: SMBT3906

Маркировка: 2A_S2A_s2A_s2A_SO

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT23

SMBT3906
Datasheet (PDF)

1.1. mbt3906dw1t1g smbt3906dw1t1g.pdf Size:130K _update

1.2. smbt3906 mmbt3906.pdf Size:107K _update

1.3. smbt3906u.pdf Size:76K _update

1.4. smbt3906-s-u mmbt3906.pdf Size:884K _update

1.5. smbt3906.pdf Size:178K _siemens

1.6. smbt3906 s2a sot363.pdf Size:31K _siemens

1.7. smbt3906 mmbt3906.pdf Size:107K _infineon

1.8. smbt3906u.pdf Size:76K _infineon

1.9. smbt3906-s-u mmbt3906.pdf Size:884K _infineon

Другие транзисторы… BCW66KG
, BCW66KH
, BCM846S
, BCM856S
, SMBT3904PN
, SMBT3904S
, SMBT3904U
, SMBT3904UPN
, BC547C
, SMBT3906U
, BUL63B
, BUL63A
, 2SA2154
, 2SA2154CT
, 2SA2154MFV
, 2SA2195
, 2SA2214
.

Цоколевка

Распиновку транзистор 2N3906 имеет следующую. Чаще всего выпускаются в пластмассовом ТО-92 и весит не более 0,18 г. Этот корпус имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть прямо на скошенную часть с той стороны, где нанесена маркировка, то самый левый вывод -это эмиттер, средний – база, правый – коллектор.

Компании Fairchild Semiconductor, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, General Semiconductor, Silicon Standard, Daya Electric Group, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS также выпускают данное изделие в SOT-23. У Fairchild Semiconductor встречаются в SOT-223. Эти пластиковые корпуса, с тремя короткими выводами, предназначены для поверхностного монтажа (SMD).

2N3904S Datasheet (PDF)

1.1. 2n3904sc.pdf Size:699K _upd

SEMICONDUCTOR 2N3904SC
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
·Low Leakage Current
: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)
@VCE=30V, VEB=3V.
·Excellent DC Current Gain Linearity.
·Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.
·Complementary to 2N3906SC.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMB

1.2. 2n3904s.pdf Size:410K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
E
L B L
DIM MILLIMETERS
FEATURES
_
+
2.93 0.20
A
B 1.30+0.20/-0.15
Low Leakage Current
C 1.30 MAX
2
: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
@VCE=30V, VEB=3V.
1
G 1.90
H 0.95
Excellent DC Current Gain Linearity.
J 0.13+0.1

1.3. 2n3904s.pdf Size:227K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
2N3904S
TECHNICAL DATA
General Purpose Transistor
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
ORDERING INFORMATION
Device Marking Shipping
3
2N3904S 1AM 3000/Tape & Reel
2
1
MAXIMUM RATINGS
SOT–23
Rating Symbol Value Unit
Collector–Emitter Voltage VCEO 40 Vdc
Collector–Base Voltage VCBO 60 Vdc
3
COLLECTOR
Emitter–Base Vo

Технические характеристики

2N3055 являются низкочастотным транзистором. Вместе с тем считается, что типовая граничная частота его перехода находится в диапазоне 3-6 МГц. Но так было не всегда. Впервые данный параметр на устройства появился в техописаниях компании RCA в 1971 г. и составлял всего 0,8 МГц. Постепенно он рос, вместе с совершенствованием технического процесса изготовления. В 1977 г принял современное значение в 2,5 МГц.

Основные параметры рассматриваемого транзистора, с момента начала его производства (с 1967 г.) практически не изменялись. У разных производителей могут быть они могут незначительно отличатся. Вот типовые значения максимально допустимых эксплуатационных характеристик 2N3055:

предельное напряжение К-Б (V_{КБО макс}) до 100 В, при разомкнутой цепи Э;
предельное напряжение К-Э (V_{КЭО макс}) до 70 В, при обрыве на Б;
максимальный коллекторный ток (I_К_макс) до 15 А;
рассеиваемая мощность (P_К_макс) до 115 Вт;
статический коэффициент передачи тока (H_FE) 20 … 70;
температура перехода (T_К) до 200 oC, хранения (Т_Хран) -65…+200 oC.

Превышение любого из этих значений может привести к выходу устройства из строя. С повышением температуры окружающей среды рассеиваемая мощность падает линейно.

Аналоги

Самым популярным российским аналогом 2N3055 считается мощный биполярный транзистор KT819ГM от АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ». От зарубежных производителей, в качестве замены можно использовать современный варианты с большим номинальным напряжением 2N3055HV (VКЭО = 100 В), MJ15015G (VКЭО = 120 В). Хорошей альтернативой является: T2N6371HV

Стоит обратить внимание на появившиеся в настоящее время версии в пластиковом корпусе ТО-3PN типа TIP3055 с мощностью до 90 Вт

В 70-хх компания Philips выпускала очень похожие устройства с маркировкой BDY20 (V_КЭО до 60 В) и позиционировала их для применения в аппаратуре Hi-Fi. Очень надежными и качественными эквивалентами у радиолюбителей до сих пор считаются KD502, KD503 бывшего Чехословацского производителя Teslа. К сожалению найти их сейчас очень сложно, так как они больше не выпускаются, а предприятие после распада СССР пришло в упадок.

Комплементарная пара

У устройства есть комплементарная пара MJ2955 с переходом типа PNP. По своим параметрам, кроме кремниевой структуры, он является почти полной копией транзистора 2N3055. Применяется вместе с ним в выходных каскадах мощных усилителей до 40 Вт с нагрузкой до 8 Ом, и 60 Вт на 4 Ом.