4n35

Содержание:

Типовые схемы РУ ПС 35-750 кВ
RFM4N40 Datasheet (PDF)
FQP16N25 Datasheet (PDF)
FDA59N25 Datasheet (PDF)
FDPF33N25T MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
FDPF33N25T Datasheet (PDF)
MDD14N25CRH Datasheet (PDF)
FDD7N25LZ Datasheet (PDF)
IXTQ82N25P Datasheet (PDF)
FDB44N25 Datasheet (PDF)
FQB27N25TM_F085 Datasheet (PDF)
FDPF33N25T Datasheet (PDF)
SSS4N60B Datasheet (PDF)

Типовые схемы РУ ПС 35-750 кВ

Типовые схемы РУ ПС 35-750 кВ
Номер типовой схемы	Наименование схемы	Напряжение, кВ	Сторона подстанции	Количество присоединяяемых линий	Дополнительные условия
1	Блок (линия-трансформатор) с разъединителем	35-220	ВН	1	Тупиковые ПС, питаемые линией без ответвлений Охват трансформатора линейной защитой со стороны питающего конца или передача телеотключающего импульса
3Н	Блок (линия-трансформатор) с выключателем	35-500	ВН	1	Тупиковые и ответвительные ПС
4Н	Два блока с выключателями и неавтоматической перемычкой со стороны линий	35-500	ВН	2	Тупиковые и ответвительные ПС
5Н	Мостик с выключателями в цепях линий и ремонтной перемычкой со стороны линий	35-220	ВН	2	Проходные ПС при необходимости сохранения в работе трансформаторов при повреждении на ВЛ
5АН	Мостик с выключателями в цепях трансформаторов и ремонтной перемычкой со стороны трансформаторов	35-220	ВН	2	Проходные ПС при необходимости сохранения транзита при повреждении в трансформаторе
6	Заход — Выход	110-220	ВН	2	Проходные ПС Начальные этап более сложной схемы
6Н	Треугольник	110-750	ВН	2	Для однотрансформаторных ПС 110-220 кВ Для ПС 330-750 кВ как начальный этап более сложных схем
7	Четырёхугольник	110-750	ВН	2	Альтернатива схемам «мостика» для ПС 110-220 кВ Начальный этап более сложных схем для ПС 330-750 кВ
8	Шестиугольник	110-330	ВН	4	Для узловых ПС
9	Одна секционированная система шин	35-220	ВНСННН	3 и более	Количесво радиальных ВЛ не более одной на секцию
9Н	Одна секционированная система шин с подключением трансформаторов через развилку из двух выключателей	110-220	ВНСН	3 и более	То же, что и для 9, но при повышенных требованиях к сохранению в работе трансформаторов
9АН	Одна секционированная система шин с подключением ответственных присоединений через «полуторную» цепочку	110-220	ВНСН	3 и более	То же, что и для 9, но при повышенных требованиях к сохранению в работе трансформаторов и особо ответственных ВЛ
12	Одна рабочая секционированная и обходная система шин	110-220	ВНСН	3 и более	Количество радиальных ВЛ не более одной на секцию Недопустимость отключения присоединений при плановом ремонте выключателей При наличии устройств для плавки гололёда
12Н	Одна рабочая секционированная и обходная система шин с подключением трансформаторов через развилку из двух выключателей	110-220	ВНСН	3 и более	То же. что и для 12, но при повышенных требованиях к сохранению в работе трансформаторов
13	Две несекционированные системы шин	110-220	ВНСН	3 и более	При невыполнении условий для выполнения схемы 12
13Н	Две рабочие и обходная системы шин	110-220	ВНСН	3 и более	То же, что и для 13, но при недопустимости отключения присоединений при плановом ремонте выключателей При наличии устройств для плавки гололёда
14	Две секционированные системы шин и обходная	110-220	СН	Более 13	То же, что и для 13Н мощных узловых ПС
15	Трансформаторы — шины с присоединением линий через два выключателя	330-750	ВНСН	330-500 кВ — 4750 кВ — 3	Отсутствие перспективы увеличения количества ВЛ
16	Трансформаторы — шины c полуторным присоединением линии	220-750	ВНСН	5-6	—
17	Полуторная схема	220-750	ВНСН	6 и более	—

Примечание. Количество присоединений равно количеству линий плюс два трансформатора (за исключением схем 1, 3Н, 6 и 6Н, предусматривающих установку одного трансформатора).

RFM4N40 Datasheet (PDF)

10n60

1.1. rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf Size:42K _update-mosfet

RFM4N35, RFM4N40, RFP4N35, RFP4N40
Semiconductor
Data Sheet October 1998 File Number 1491.3
4A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel Features
Power MOSFETs
• 4A, 350V and 400V
[ /Title
[ /Title
These are N-channel enhancement-mode silicon-gate
• rDS(ON) = 2.000Ω
(RFM4N
()
power field effect transistors designed for applications such
35, • Related Literature
/Sub- as switchi

1.2. rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf Size:42K _harris_semi

FQP16N25 Datasheet (PDF)

8n60c

1.1. fqp16n25.pdf Size:736K _fairchild_semi

May 2000
TM
QFET
QFET
QFET
QFET

250V N-ChanneI MOSFET
GeneraI Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 16A, 250V, RDS(on) = 0.23Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 27 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 23 pF)
This advanced technology has been esp

1.2. fqp16n25c fqpf16n25c.pdf Size:1162K _fairchild_semi

QFET
FQP16N25C/FQPF16N25C
250V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 41 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 68 pF)
This advanced technology has been especially tailore

1.3. fqp16n25c.pdf Size:260K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor FQP16N25C
·FEATURES
·With TO-220 packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PA

FDA59N25 Datasheet (PDF)

2n60

1.1. fda59n25.pdf Size:643K _fairchild_semi

September 2005
TM
UniFET
FDA59N25
VDS = 250V
VDS(Avalanche) = 300V
250V N-Channel MOSFET
RDS(on) Typ. @10V = 41mΩ
Features Description
• 59A, 250V, RDS(on) = 0.049Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,
• Low gate charge (typical 63 nC)
DMOS technology.
• Low Crss (typica

4.1. fda59n30.pdf Size:427K _fairchild_semi

TM
UniFET
FDA59N30
300V N-Channel MOSFET
Features Description
• 59A, 300V, RDS(on) = 0.056Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,
• Low gate charge ( typical 77 nC)
DMOS technology.
• Low Crss ( typical 80 pF)
This advanced technology has been especially tailored to mini-
•

4.2. fda59n30.pdf Size:263K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor FDA59N30
·FEATURES
·With To-3P package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Voltage 300

FDPF33N25T MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDPF33N25T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 36.8
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.094
Ohm

Тип корпуса: TO220F

FDPF33N25T
Datasheet (PDF)

1.1. fdp33n25 fdpf33n25t.pdf Size:1205K _fairchild_semi

October
TM
UniFET
FDP33N25 / FDPF33N25T
250V N-Channel MOSFET
Features Description
• 33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect
• Low gate charge ( typical 36.8 nC) transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
• Low Crss ( typical 39 pF) stripe, DMOS technology.
• Fast switching
This advanced technolog

1.2. fdpf33n25trdtu.pdf Size:448K _fairchild_semi

August 2014
FDPF33N25T
N-Channel UniFETTM MOSFET
250 V, 33 A, 94 mΩ
Features Description
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage
• RDS(on) = 94 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 16.5 A
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.
• Low Gate Charge (Typ. 36.8 nC)
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to
• Low Crss (Typ. 39 pF)
p

5.1. fdpf3n50nz.pdf Size:746K _fairchild_semi

October 2013
FDPF3N50NZ
N-Channel UniFETTM II MOSFET
500 V, 3 A, 2.5 
Features Description
• RDS(on) = 2.1  (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 1.5 A UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage
MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS
• Low Gate Charge (Typ. 6.2 nC)
technology. This advanced MOSFET family has the smallest
• Low Crss (Typ. 2.5 pF

5.2. fdpf390n15a.pdf Size:623K _fairchild_semi

July 2011
FDPF390N15A
N-Channel PowerTrench MOSFET
150V, 15A, 40mΩ
Features Description
• RDS(on) = 31mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 15A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advance PowerTrench process that has been
• Fast Switching Speed
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.

5.3. fdp39n20 fdpf39n20.pdf Size:485K _fairchild_semi

April 2007
TM
UniFET
FDP39N20 / FDPF39N20
200V N-Channel MOSFET
Features Description
• 39A, 200V, RDS(on) = 0.066Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
• Low gate charge ( typical 38 nC)
stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 57 pF)
This advanced technology has been especially

5.4. fdp39n20 fdpf39n20tldtu.pdf Size:644K _fairchild_semi

August 2014
FDP39N20 / FDPF39N20
N-Channel UniFETTM MOSFET
200 V, 39 A, 66 mΩ
Features Description
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage
• RDS(on) = 66 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 19.5 A
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.
• Low Gate Charge (Typ. 38 nC)
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to
• Low Crss (Typ. 5

5.5. fdpf320n06l.pdf Size:220K _fairchild_semi

December 2010
FDPF320N06L
N-Channel PowerTrench MOSFET
60V, 21A, 25mΩ
Features Description
• RDS(on) = 20mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 21A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advance PowerTrench process that has been
• RDS(on) = 23mΩ ( Typ.)@ VGS = 5V, ID = 17A
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior sw

5.6. fdpf3860t.pdf Size:641K _fairchild_semi

March 2008
FDPF3860T
tm
N-Channel PowerTrench MOSFET
100V, 20A, 38.2mΩ
Description General Description
• RDS(on) = 38.2mΩ ( MAX ) @ VGS = 10V, ID = 5.9A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-
ductor’s advanced PowerTrench process that has been espe-
• Fast switching speed
cially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior sw

Другие MOSFET… FDPF18N50
, FDPF18N50T
, FDPF190N15A
, FDPF20N50
, FDPF20N50FT
, FDPF20N50T
, FDPF2710T
, FDPF320N06L
, IRF640
, FDPF3860T
, STF8236
, FDPF390N15A
, FDPF39N20
, STF8234
, FDPF3N50NZ
, FDPF44N25T
, FDPF51N25
.

MDD14N25CRH Datasheet (PDF)

1.1. mdd14n25c.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor MDD14N25C
·FEATURES
·With To-252(DPAK) package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·Load switch
·Power management
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

1.2. mdd14n25crh.pdf Size:820K _magnachip

MDD14N25C
N-Channel MOSFET 250V, 10.2A, 0.28Ω
General Description Features
These N-channel MOSFET are produced using advanced  V = 250V
DS
MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on-  I = 10.2A
D
state resistance, high switching performance and excellent  R ≤ 0.28Ω @ V = 10V
DS(ON) GS
quality.
Applications
These devices are suitable device for SMPS

FDD7N25LZ Datasheet (PDF)

1.1. fdd7n25lztm.pdf Size:285K _upd-mosfet

December 2010
UniFETTM
FDD7N25LZ
N-Channel MOSFET
250V, 6.2A, 0.55Ω
Features Description
• RDS(on) = 0.43Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 3.1A These N-Channel enhancement mode power field effect transis
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,
• Low Gate Charge ( Typ.12nC)
DMOS technology.
• Low Crss ( Typ. 8pF)
This advance technology has been especial

1.2. fdd7n25lztm.pdf Size:285K _fairchild_semi

1.3. fdd7n25lz.pdf Size:291K _fairchild_semi

IXTQ82N25P Datasheet (PDF)

1.1. ixtk82n25p ixtq82n25p ixtt82n25p.pdf Size:294K _ixys

IXTK 82N25P VDSS = 250 V
PolarHTTM
IXTQ 82N25P ID25 = 82 A
Power MOSFET
? ?
IXTT 82N25P RDS(on) ? 35 m?
? ?
? ?
? ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
TO-264 (IXTK)
VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V
VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 250 V
VGSS Continuous 20 V
VGSM Transient 30 V
G
D
ID25 TC = 25 C82 A (TAB)
S
ID(RMS) External

5.1. ixth88n30p ixtk88n30p ixtt88n30p ixtq88n30p.pdf Size:324K _ixys

IXTH 88N30P VDSS = 300 V
PolarHTTM
IXTK 88N30P ID25 = 88 A
Power MOSFET
? ?
IXTQ 88N30P RDS(on) ? 40 m?
? ?
? ?
? ?
IXTT 88N30P
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
D (TAB)
G
D
VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V
S
VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 300 V
VGS Continuous 20 V
TO-264 (IXTK)
VGSM Transient 30 V
ID25 TC

5.2. ixtq80n28t.pdf Size:90K _ixys

Advance Technical Infomation
IXTQ 80N28T
IXTQ 80N28T VDSS = 280 V
Trench Gate
ID25 = 80 A
Power MOSFET
Ω
RDS(on) = 49 mΩ
Ω
Ω
Ω
N-Channel Enhancement Mode
For Plasma Display Applications
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
TO-3P (IXTQ)
VDSS TJ = 25°C to 150°C 280 V
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 280 V
VGSM ±30 V
ID25 TC = 25°C80 A
G
IDRMS External lead cu

FDB44N25 Datasheet (PDF)

1.1. fdb44n25tm.pdf Size:718K _upd-mosfet

September 2005
TM
UniFET
FDB44N25
250V N-Channel MOSFET
Features Description
• 44A, 250V, RDS(on) = 0.069Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,
• Low gate charge ( typical 47 nC)
DMOS technology.
• Low Crss ( typical 60 pF)
This advanced technology has been especially tailore

1.2. fdb44n25tm.pdf Size:718K _fairchild_semi

1.3. fdb44n25.pdf Size:722K _fairchild_semi

FQB27N25TM_F085 Datasheet (PDF)

1.1. fqb27n25tm f085.pdf Size:494K _fairchild_semi

May 2014
FQB27N25TM_F085/FQI27N25TU_F085
N-Channel MOSFET
D
250 V, 25.5 A, 131 mΩ
Features
Typ RDS(on) = 108mΩ at VGS = 10V, ID = 25.5A
Typ Qg(tot) = 45nC at VGS = 10V, ID = 27A
G
S
UIS Capability
D
TO-263AB
RoHS Compliant TO-262AB
Qualified to AEC Q101
Applications
Automotive Engine Control
G
Powertrain Management
Solenoid and Motor Drivers
Electronic Ste

1.2. fqb27n25tm am002 fqi27n25tu fqi27n25 fqb27n25.pdf Size:814K _fairchild_semi

May 2000
TM
QFET
QFET
QFET
QFET
FQB27N25 / FQI27N25
250V N-ChanneI MOSFET
GeneraI Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 25.5A, 250V, RDS(on) = 0.11Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 50 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology

5.1. fqb27p06tm fqi27p06tu.pdf Size:1071K _fairchild_semi

October 2008
QFET
FQB27P06 / FQI27P06
60V P-Channel MOSFET
General Description Features
These P-Channel enhancement mode power field effect • -27A, -60V, RDS(on) = 0.07Ω @VGS = -10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 33 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 120 pF)
This advanced technology has been especia

5.2. fqb27p06 fqi27p06.pdf Size:1119K _fairchild_semi

FDPF33N25T Datasheet (PDF)

1.1. fdp33n25 fdpf33n25t.pdf Size:1205K _fairchild_semi

1.2. fdpf33n25trdtu.pdf Size:448K _fairchild_semi

5.1. fdpf3n50nz.pdf Size:746K _fairchild_semi

5.2. fdpf390n15a.pdf Size:623K _fairchild_semi

5.3. fdp39n20 fdpf39n20.pdf Size:485K _fairchild_semi

5.4. fdp39n20 fdpf39n20tldtu.pdf Size:644K _fairchild_semi

5.5. fdpf320n06l.pdf Size:220K _fairchild_semi

5.6. fdpf3860t.pdf Size:641K _fairchild_semi

SSS4N60B Datasheet (PDF)

1.1. ssp4n60b sss4n60b.pdf Size:888K _upd-mosfet

SSP4N60B/SSS4N60B
600V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 22 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 14 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
• Fast switchi

1.2. ssp4n60b sss4n60b.pdf Size:888K _fairchild_semi

3.1. sss4n60as.pdf Size:501K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 600 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 2.2 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 2.3 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V
Lower RDS(ON) : 2.037 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Unit

3.2. irfs8xx irfs9xxx sss4n60 sss6n60.pdf Size:26K _samsung