A1shb транзистор

Содержание:

SI2301 Datasheet (PDF)
SM1A23NSU MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
SM1A23NSU Datasheet (PDF)
Технические характеристики j3y
AO3400 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
AO3400 Datasheet (PDF)
PMBT2907A Datasheet (PDF)
SI2301DS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
SI2301DS Datasheet (PDF)
Результаты подбора транзистора (поиска аналога)
SI2306 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
SI2306 Datasheet (PDF)
SI2307 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
SI2307 Datasheet (PDF)

SI2301 Datasheet (PDF)

1.1. si2301cds.pdf Size:193K _vishay

Si2301CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
FEATURES
MOSFET PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) RDS(on) ()
ID (A)a Qg (Typ.)
Definition
0.112 at VGS = — 4.5 V — 3.1
• TrenchFET Power MOSFET
— 20 3.3 nC
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
0.142 at VGS = — 2.5 V — 2.7
APPLICATIONS
• Load Switch
TO-236
(SOT-23)
G

1.2. si2301ds.pdf Size:61K _vishay

Si2301DS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)
0.130 @ VGS = — 4.5 V -2.3
-20
20
0.190 @ VGS = — 2.5 V -1.9
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
Ordering Information: Si2301DS-T1
S 2
Top View
Si2301DS (A1)*
*Marking Code
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS -20
V

1.3. si2301-tp.pdf Size:333K _vishay

MCC
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
SI2301
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
P-Channel
• -20V,-2.8A, RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON)=150mΩ@VGS=-2.5V
Enhancement Mode
• High dense cell design for extremely low RDS(ON)
• Rugged and reliable
Field Effect Transistor
• High Sp

1.4. si2301bds.pdf Size:184K _vishay

Si2301BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free Option Available
VDS (V) RDS(on) (?)
ID (A)b
Pb-free
0.100 at VGS = — 4.5 V Available
— 2.4
— 20
0.150 at VGS = — 2.5 V RoHS*
— 2.0
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
S 2
Top View
Si2301 BDS (L1)*
* Marking Code
Ordering Information: Si2301BDS-T1
Si2301BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

1.5. si2301ads.pdf Size:46K _vishay

Si2301ADS
New Product
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)b
0.130 @ VGS = 4.5 V 2.0
20
0.190 @ VGS = 2.5 V 1.6
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
S 2
Top View
Si2301DS (1A)*
*Marking Code
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit
Drain-Source Voltage VDS 20
V
Gate-Source V

1.6. si2301cd.pdf Size:190K _vishay

Si2301CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
FEATURES
MOSFET PRODUCT SUMMARY
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) RDS(on) (?)
ID (A)a Qg (Typ.)
Definition
0.112 at VGS = — 4.5 V — 3.1
TrenchFET Power MOSFET
— 20 3.3 nC
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
0.142 at VGS = — 2.5 V — 2.7
APPLICATIONS
Load Switch
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
S 2

1.7. si2301.pdf Size:324K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
SI2301
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
P-Channel
-20V,-2.8A, RDS(ON)=120m?@VGS=-4.5V
RDS(ON)=150m?@VGS=-2.5V
Enhancement Mode
High dense cell design for extremely low RDS(ON)
Rugged and reliable
Field Effect Transistor
High Speed Switching

1.8. si2301.pdf Size:3667K _htsemi

SI2301
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A 130mΩ
RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A 190m
Ω
Features
Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
Package Dimensions
D
G
S
SOT-23(PACKAGE)
Millimeter Millimeter
REF. REF.
Min.
Max. Min. Max.
A 2.70 3.10 G 1.90 REF.
B 2.40 2.80 H 1.00 1.30

1.9. si2301ds.pdf Size:1698K _kexin

SMD Type MOSFET
P-Channel Enhancement MOSFET
SI2301DS (KI2301DS)
■ Features
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
● VDS (V) =-20V
+0.1
0.4-0.1
● RDS(ON) ＜ 130mΩ (VGS =-4.5V)
3
● RDS(ON) ＜ 190mΩ (VGS =-2.5V)
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
G 1
1.Gate
3 D
2.Source
S 2
3.Drain
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit

1.10. si2301ds-3.pdf Size:1968K _kexin

SMD Type MOSFET
P-Channel Enhancement MOSFET
SI2301DS (KI2301DS)
SOT-23-3
Unit: mm
+0.2
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
■ Features
3
● VDS (V) =-20V
● RDS(ON) ＜ 100mΩ (VGS =-4.5V)
● RDS(ON) ＜ 150mΩ (VGS =-2.5V)
1 2
+0.02
+0.1
0.15 -0.02
0.95 -0.1
+0.1
1.9 -0.2
G 1
3 D
1. Gate
S 2
2. Source
3. Drain
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol 5 se

1.11. si2301bds.pdf Size:1887K _kexin

SMD Type MOSFET
P-Channel Enhancement MOSFET
SI2301BDS (KI2301BDS)
SOT-23
Unit: mm
■ Features
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
● VDS (V) =-20V
3
● RDS(ON) ＜ 100mΩ (VGS =-4.5V)
● RDS(ON) ＜ 150mΩ (VGS =-2.5V)
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9 -0.1
G 1
1.Gate
3 D
2.Source
S 2
3.Drain
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol 5 sec Stea

1.12. si2301bds-3.pdf Size:1943K _kexin

SMD Type MOSFET
P-Channel Enhancement MOSFET
SI2301BDS (KI2301BDS)
SOT-23-3
Unit: mm
+0.2
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
■ Features
3
● VDS (V) =-20V
● RDS(ON) ＜ 100mΩ (VGS =-4.5V)
● RDS(ON) ＜ 150mΩ (VGS =-2.5V)
1 2
+0.02
+0.1
0.15 -0.02
0.95 -0.1
+0.1
1.9 -0.2
G 1
3 D
1. Gate
S 2
2. Source
3. Drain
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol 5

SM1A23NSU MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

1am smd транзистор даташит

Наименование прибора: SM1A23NSU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 6
ns

Выходная емкость (Cd): 45
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1
Ohm

Тип корпуса: TO252

SM1A23NSU
Datasheet (PDF)

Транзистор 2n5401

1.1. sm1a23nsu.pdf Size:267K _sino

SM1A23NSU

N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
100V/15A,
D
RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS= 10V
S
RDS(ON)= 110m (max.) @ VGS= 4.5V
Reliable and Rugged
G
Lead Free and Green Devices Available
(RoHS Compliant) Top View of TO-252
D (2)
Applications
G (1)
Power Management in DC/DC Converter.
S (3)
N-Channel MOSFET
Ordering and Marking Information
Packa

2.1. sm1a23nsfp.pdf Size:150K _sino

SM1A23NSFP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
100V/13A,
RDS(ON)= 100mΩ(max.) @ VGS= 10V
RDS(ON)= 110mΩ(max.) @ VGS= 4.5V
S
Reliable and Rugged
D
G
Lead Free and Green Devices Available
(RoHS Compliant)
Top View of TO-220FP
ESD Protection
D
100% UIS + Rg Tested
G
Applications
Power Management in DC/DC Converter.
S
N-Channel MOSFET
Ord

2.2. sm1a23nsk.pdf Size:265K _sino

SM1A23NSK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
D
D
100V/4.2A,
D
D
RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS= 10V
RDS(ON)= 110m (max.) @ VGS= 4.5V
S
Reliable and Rugged
S
S
G
Lead Free and Green Devices Available
Top View of SOP-8
(RoHS Compliant)
( 5,6,7,8 )
D D D D
(4)
Applications
G
Power Management in DC/DC Converter.
S S S
(1, 2, 3)
N-Channel MOSF

2.3. sm1a23nsv.pdf Size:270K _sino

SM1A23NSV
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
100V/4.2A,
RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS= 10V
G
RDS(ON)= 110m (max.) @ VGS= 4.5V
D
S
Reliable and Rugged
Lead Free and Green Devices Available
Top View SOT-223
(RoHS Compliant)
D (2)
Applications
G (1)
Power Management in DC/DC Converter.
S (3)
N-Channel MOSFET
Ordering and Marking Information
Package C

2.4. sm1a23nsd.pdf Size:248K _sino

SM1A23NSD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features Pin Description
100V/4.2A,
RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS= 10V S
D
RDS(ON)= 110m (max.) @ VGS= 4.5V
G
Reliable and Rugged
Lead Free and Green Devices Available
Top View SOT-89
(RoHS Compliant)
D (2)
Applications
G (1)
Power Management in DC/DC Converter.
Load Switching.
S (3)
N-Channel MOSFET
Ordering and Marking Inform

Другие MOSFET… SM1A20NSU
, SM1A20NSV
, SM1A21NSK
, SM1A21NSKP
, SM1A22NSFP
, SM1A23NSD
, SM1A23NSFP
, SM1A23NSK
, IRFP150N
, SM1A23NSV
, SM1A24NSK
, SM1A24NSKP
, SM1A24NSU
, SM1A25NSK
, SM1A25NSU
, SM1A25NSUB
, SM1A25NSV
.

Технические характеристики j3y

Транзистор irf540

Рассмотрим основные параметры транзистора J3Y. По своим свойствам он относится к кремниевым, маломощным, низкочастотным биполярным устройствам с структурой-NPN. Низкая стоимость, отличная линейность статического коэффициента усиления, способность выдерживать большие коллекторные токи до 800 мА (у некоторых производителей) и напряжение до 25 В, cделали это его одним из лидеров по применению в сегменте небольших бытовых аудиоустройств. Поэтому, его так легко можно найти практически в любом стареньком портативном CD-проигрывателе или плеере.

Предельно допустимые параметры

Приведем типовые максимальные параметры J3Y(SOT-23), встречающиеся в техописании большинства производителей, при температуре окружающей среды (Т_окр_.) до +25 ОС:

постоянное (DC) напряжение между выводами: К-Б (U_{КБмакс.}) до 40В; К-Э (U_{КЭмакс.}) до 25В; E-Б (U_{ЭБмакс.}) до 5 В;
ток коллектора (I_Кmax.) до 500 мА;
мощность рассеивания(P_{К макс.}) до 300 мВт;
температура: кристалла (T_К) до +150 ОС; хранения (Т_хран.) -55 … +150 ОС.

Электрические параметры

В столбце «Режимы измерения» указаны условия измерений. Они также приводятся в даташит для Т_окр_.= +25ОС., если не указывается иного.

J3Y имеют классификацию по степени усиления H_FE₁: L от 120 до 200;H от 200 до 350

Аналоги

В последнее время аналоги транзистора с символами “J3Y” на корпусе редко встречаются в продаже и встает вопрос «Чем его заменит?». Вместе с тем, их можно найти с названием S8050 или SS8050 в усовершенствованной пластмассовой упаковке SOT-23-3. Они лучше по своим параметрам, чем классический J3Y. Например, максимальный ток коллектора новых версий в три раза больше (до 1500 мА), а H_FE достигает 400 (для классификации J). Если заглянуть в его техническое описание, то можно увидеть другую маркировку — “Y1”.

Также этот транзистор можно попробовать заменить на следующие: 2N583О, 2SC1ОО8, 2SC1ОО9, 2SD471A, BC537, BC538, KSC1ОО8, KSC1ОО9, KSPО5, KSPО6, KSP42, KSP43, MPS65О, MPS65ОG, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS66О2, MPS66О2G, MPS8О5О, MPSA42, MPSA43, MPSWО1, MPSWО1A, MPSWО1AG, MPSWО1G, MPSWО5, MPSWО5G, MPSWО6, MPSWО6G, MPSW42, MPSW42G, S9О13, SS8О5О, ZTX457.

Российские изделия с похожими параметрами: КТ6114А, КТ968В, КТ6114Б, КТ6114В.

AO3400 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AO3400

Маркировка: A01TF_A09T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.45
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 15
ns

Выходная емкость (Cd): 115
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028
Ohm

Тип корпуса: SOT233L

AO3400
Datasheet (PDF)

1.1. ao3400.pdf Size:1848K _htsemi

AO3400
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDS= 30V
RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A 1.2. ao3400a.pdf Size:471K _aosemi

AO3400A
30V N-Channel MOSFET
General Description Product Summary
VDS
30V
The AO3400A combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
ID (at VGS=10V) 5.7A
extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a
RDS(ON) (at VGS=10V)

1.3. ao3400.pdf Size:472K _aosemi

AO3400
30V N-Channel MOSFET
General Description Product Summary
VDS
30V
The AO3400 combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
ID (at VGS=10V) 5.8A
extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a
RDS(ON) (at VGS=10V) 1.4. ao3400.pdf Size:771K _blue-rocket-elect

AO3400(BRCS3400M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 N 道 MOS 晶体管。N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
VDS (V) = 30V
ID = 5.8 A (VGS = 10V)
RDS(ON)

1.5. ao3400-3.pdf Size:1190K _kexin

SMD Type IC
SMD Type MOSFET
N-Channel Enhancement MOSFET
AO3400 (KO3400)
SOT-23-3
Unit: mm
+0.2
2.9 -0.1
Features
+0.1
0.4-0.1
3
VDS (V) = 30V
ID = 5.8 A (VGS = 10V)
RDS(ON) 28m (VGS = 10V)
1 2
RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)
+0.02
+0.1
0.15 -0.02
0.95 -0.1
RDS(ON) 52m (VGS = 2.5V) D
+0.1
1.9 -0.2
1. Gate
2. Source
G
S 3. Drain
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Sy

1.6. ao3400a-3.pdf Size:1871K _kexin

SMD Type MOSFET
N-Channel MOSFET
AO3400A (KO3400A)
SOT-23-3
Unit: mm
+0.2
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● VDS (V) = 30V
● ID = 5.7 A (VGS = 10V)
● RDS(ON) ＜ 26.5mΩ (VGS = 10V) 1 2
+0.02
+0.1
0.15 -0.02
0.95 -0.1
● RDS(ON) ＜ 32mΩ (VGS = 4.5V)
+0.1
1.9 -0.2
● RDS(ON) ＜ 48mΩ (VGS = 2.5V)
1. Gate
2. Source
D
D
3. Drain
G
G
S
S
■ Absol

1.7. ao3400a.pdf Size:1866K _kexin

SMD Type MOSFET
N-Channel MOSFET
AO3400A (KO3400A)
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
■ Features
● VDS (V) = 30V
● ID = 5.7 A (VGS = 10V)
1 2
● RDS(ON) ＜ 26.5mΩ (VGS = 10V)
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
● RDS(ON) ＜ 32mΩ (VGS = 4.5V)
● RDS(ON) ＜ 48mΩ (VGS = 2.5V)
1. Gate
2. Source
3. Drain
D
D
G
G
S
S
■ Absolute

1.8. ao3400.pdf Size:1115K _kexin

SMD Type IC
SMD Type MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
AO3400 (KO3400)
SOT-23
Unit: mm
+0.1
Features 2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
VDS (V) = 30V
3
ID = 5.8 A (VGS = 10V)
RDS(ON) 28m (VGS = 10V)
1 2
RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
RDS(ON) 52m (VGS = 2.5V)
1.Base
1. Gate
2.Emitter
2. Source
3. Drain
3.collector
Ab

Другие MOSFET… 2P7233A-5
, 2P7209A
, 2P7234A
, 2P7234A-5
, SI2300
, SI2302
, SI2312
, XP151A13COMR
, IRF9530
, PT8205
, PT8205A
, PT8822
, PT4410
, PT9926
, SI2301
, SI2305
, XP152A12COMR
.

PMBT2907A Datasheet (PDF)

1.1. pmbt2907ays.pdf Size:261K _upd

PMBT2907AYS
60V, 600 mA, double PNP switching transistor
26 June 2015 Product data sheet
1. General description
Double PNP switching transistor in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
Double NPN complement: PMBT2222AYS
2. Features and benefits
• Double general-purpose switching transistor
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• Switching and

5.1. pmbt2222ays.pdf Size:256K _upd

PMBT2222AYS
40 V, 600 mA, double NPN switching transistor
24 June 2015 Product data sheet
1. General description
Double NPN switching transistor in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
Double PNP complement: PMBT2907AYS
2. Features and benefits
• Double general-purpose switching transistor
• High current (max. 600 mA)
• Voltage max. 40 V

5.2. pmbt2369.pdf Size:653K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
PMBT2369 (KMBT2369)
SOT-23
Unit: mm
2.9+0.1
-0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=200mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=15V
1 2
+0.1
+0.05
● NPN switching transistor 0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
C
2.Emitter
3.collector
B
E
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rati

SI2301DS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SI2301DS

Маркировка: A1SHB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 36
ns

Выходная емкость (Cd): 223
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13
Ohm

Тип корпуса: SOT23, TO236

SI2301DS
Datasheet (PDF)

1.1. si2301ds.pdf Size:61K _vishay

1.2. si2301ds.pdf Size:1698K _kexin

1.3. si2301ds-3.pdf Size:1968K _kexin

Другие MOSFET… J203
, J204
, SST201
, SST202
, SST203
, SST204
, JCS12N60CT
, JCS12N60FT
, 2SK117
, ULB4132
, IRLB4132PBF
, 2SK240
, 2SJ75
, 2SK146
, 2SJ73
, 2SK266
, 2SK455
.

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Hfe	Caps
2N4401SC	Si	NPN	0.35	75	40	6	0.6	150	250	150	SOT23
2SC1741AM	Si	NPN	0.3	50	50	5	0.5	150	250	120	SOT23
2SD1501	Si	NPN	1	70			1	150		250	SOT23
2STR1160	Si	NPN	0.5	60	60	5	1	150		250	SOT23
3DG1741AM	Si	NPN	0.3	50	50	5	0.5	150	250	120	SOT23
50C02CH-TL-E	Si	NPN	0.7	60	50	5	0.5	150	500	300	SOT23
8050HQLT1	Si	NPN	0.3	40	25	5	1.5	150		150	SOT23
8050QLT1	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.8	150		150	SOT23
8050SLT1	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
BC817-25	Si	NPN	0.31	50	45	5	0.5	150	200	160	SOT23
BC817-40	Si	NPN	0.31	50	45	5	0.5	150	200	250	SOT23
BC817K-16	Si	NPN	0.5	50	45	5	0.5		170	160	SOT23
BC817K-25	Si	NPN	0.5	50	45	5	500		170	160	SOT23
BC817K-40	Si	NPN	0.5	50	45	5	500		170	160	SOT23
BCV47	Si	NPN	0.36	80	60	10	0.5	150	170	10000	SOT23
BCW66KG	Si	NPN	0.5	75	45	5	0.8		170	160	SOT23
BCW66KH	Si	NPN	0.5	75	45	5	0.8		170	250	SOT23
BSP52T1	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
BSP52T3	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
CD4024	Si	NPN	90		36		12	175	175		SOT23
CHT9013GP	Si	NPN	0.3	45	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
CMPT3820	Si	NPN	0.35	80	60	5	1	150	150	200	SOT23
CMPT491E	Si	NPN	0.35	80	60	5	1	150	150	200	SOT23
D965ASS	Si	NPN	0.75	40	30	7	5	150	150	230	SOT23
DNLS160	Si	NPN	0.3		60		1		150	200	SOT23
DSS30101L	Si	NPN	0.6		30		1		250	300	SOT23
DTD163TA	Si	NPN	0.6	50	40	5	0.5	150		250	SOT23
DTD163TF	Si	NPN	0.3	50	40	5	0.5	150		250	SOT23
DTD163TL	Si	NPN	0.3	50	40	5	0.5	150		250	SOT23
DTD163TS	Si	NPN	0.3	50	40	5	0.5	150		250	SOT23
DTD163TV	Si	NPN	0.6	50	40	5	0.5	150		250	SOT23
F8050HPLG	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
FMMT2222AR	Si	NPN	0.33	75	40	6	0.6	150	300	120	SOT23
FMMT493A	Si	NPN	0.5		60		1		150	500	SOT23
FMMTL619	Si	NPN	0.5		50		1.25		180	300	SOT23
KC817A-25	Si	NPN	0.31	50	45	5	0.5	150	170	160	SOT23
KC817A-40	Si	NPN	0.31	50	45	5	0.5	150	170	250	SOT23
KST8050S	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
KST9013	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
KST9013C	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	144	SOT23
KTC9013SC	Si	NPN	0.35	40	30	5	0.5	150	150	200	SOT23
MMBT8050D	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	200	SOT23
MMS8050-H	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	200	SOT23
MMS8050-L	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
MMS9013-H	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	200	SOT23
MMS9013-L	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
MPS8050SC	Si	NPN	0.35	40	25	5	1.2	150	150	200	SOT23
N0501S	Si	NPN	1	60	50	6	1	150	150	135	SOT23F
NSS40201L	Si	NPN	0.54		40		4		150	200	SOT23
NSS40201LT1G	Si	NPN	0.54	40	40	6	2	150	150	200	SOT23
NSS60201LT1G	Si	NPN	0.54		60		4			150	SOT23
NSV40201LT1G	Si	NPN	0.54	40	40	6	2	150	150	200	SOT23
PBSS4041NT	Si	NPN	0.3	60	60	5	3.8	150	175	300	SOT23
PBSS4140T	Si	NPN	0.3	40	40	5	1	150	150	300	SOT23
PBSS4160T	Si	NPN	0.3	80	60	5	1	150	150	250	SOT23
S8050	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
S8050LT1	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
S9013	Si	NPN	0.3	40	25	5	0.5	150	150	120	SOT23
ZXTC2045E6	Si	NPN*PNP	1.1	40	30	7	1.5	150		180	SOT236
ZXTN07045EFF	Si	NPN	1.5		45		4		150	400	SOT23F
ZXTN19100CFF	Si	NPN	1.5		100		4.5		150	200	SOT23F
ZXTN2040F	Si	NPN	0.35		40		1		150	300	SOT23
ZXTN25040DFH	Si	NPN	1.25		40		4		190	300	SOT23
ZXTN25040DFL	Si	NPN	0.35		40		1.5		190	300	SOT23
ZXTN25050DFH	Si	NPN	1.25		50		4		200	240	SOT23
ZXTN25100DFH	Si	NPN	1.25		100		2.5		175	300	SOT23
ZXTN649F	Si	NPN	0.5		25		3			200	SOT23

Всего результатов: 67

SI2306 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SI2306

Маркировка: A69TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 7.5
ns

Выходная емкость (Cd): 120
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.057
Ohm

Тип корпуса: SOT23

SI2306
Datasheet (PDF)

1.1. si2306bds.pdf Size:207K _vishay

Si2306BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free Option Available
VDS (V) RDS(on) (Ω)ID (A) Qg (Typ.)
• TrenchFET Power MOSFET
0.047 at VGS = 10 V
4.0
30 3.0 • 100 % Rg Tested
RoHS
0.065 at VGS = 4.5 V
3.5
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
S 2
Top View
Si2306BDS (L6 )*
* Marking Code
Ordering Information: Si2306

1.2. si2306ds.pdf Size:64K _vishay

Si2306DS
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
D TrenchFETr Power MOSFET
VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)
D 100% Rg Tested
0.057 @ VGS = 10 V 3.5
30
30
0.094 @ VGS = 4.5 V 2.8
—
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
S 2
Top View
Si2306DS (A6)*
*Marking Code
Ordering Information: Si2306DS-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter Sym

1.3. si2306.pdf Size:845K _blue-rocket-elect

SI2306(BRCS2306M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 N 道 MOS 晶体管。N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
沟道场效应管,功率 MOS 晶体管。
Trench FET Power MOSFET 100% Rg Tested.
用途 / Applications
主要用于显示屏驱动。
Primarily the display screen drive applications.
内部等效电路

1.4. si2306ds.pdf Size:1404K _kexin

SMD Type
SMD Type IC
SMD Type MOSFET
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2306DS (KI2306DS)
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
Features +0.1
0.4 -0.1
3
● RDS(ON) ＜ 57mΩ (VGS =-10V)
● RDS(ON) ＜ 94 mΩ (VGS =-4.5V)
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
D
1.Base
1. Gate
2.Emitter
2. Source
G 3. Drain
3.collector
S
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter

1.5. si2306ds-3.pdf Size:1411K _kexin

SMD Type MOSFET
IC
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2306DS (KI2306DS)
SOT-23-3
Unit: mm
+0.2
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
■ Features
3
● VDS (V) = 30V
● RDS(ON) ＜ 57mΩ (VGS =-10V)
● RDS(ON) ＜ 94 mΩ (VGS =-4.5V)
1 2
+0.02
+0.1
D
0.15 -0.02
0.95 -0.1
+0.1
1.9 -0.2
G
1. Gate
2. Source
S
3. Drain
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit

Другие MOSFET… BRP50N20
, BRS1N60
, BRS1N70
, BRS1N80
, BRS3N25
, BRU20N50
, IRFB830
, IRFH3205
, J310
, VTI630
, VTI630F
, VTI634F
, VTI640
, VTI640F
, SSP2N60B
, SSS2N60B
, 2SK4100LS
.

SI2307 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SI2307

Маркировка: A79TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08
Ohm

Тип корпуса: SOT23

SI2307
Datasheet (PDF)

1.1. si2307cd.pdf Size:201K _vishay

New Product
Si2307CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free Option Available
VDS (V) RDS(on) (?)
ID (A)a, b Qg (Typ.)
TrenchFET Power MOSFET
0.088 at VGS = — 10 V — 2.7
— 30 4.1 nC
RoHS
0.138 at VGS = — 4.5 V — 2.2
COMPLIANT
APPLICATIONS
Load Switch for Portable Devices
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
S
S 2
G
Top View
Si2307C

1.2. si2307cds.pdf Size:204K _vishay

New Product
Si2307CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free Option Available
VDS (V) RDS(on) (Ω)
ID (A)a, b Qg (Typ.)
• TrenchFET Power MOSFET
0.088 at VGS = — 10 V — 2.7
— 30 4.1 nC
RoHS
0.138 at VGS = — 4.5 V — 2.2
COMPLIANT
APPLICATIONS
• Load Switch for Portable Devices
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
S
S 2
G
Top Vi

1.3. si2307ds.pdf Size:76K _vishay

Si2307DS
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)
0.080 @ VGS = 10 V 3
30
30
0.140 @ VGS = 4.5 V 2
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
S 2
Top View
Si2307DS (A7)*
*Marking Code
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLSS OTHERWISE NOTED)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS 30
V
V
Gate-Source Voltage VGS «20
TA= 25_C

1.4. si2307bds.pdf Size:185K _vishay

Si2307BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free Option Available
VDS (V) RDS(on) (?)
ID (A)b
TrenchFET Power MOSFET
0.078 at VGS = — 10 V
— 3.2
— 30 RoHS
0.130 at VGS = — 4.5 V
— 2.5
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G 1
3 D
S 2
Top View
Si2307BDS (L7)*
* Marking Code
Ordering Information: Si2307BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2

1.5. si2307bds-3.pdf Size:1919K _kexin

SMD Type MOSFET
P-Channel Enhancement MOSFET
SI2307BDS (KI2307BDS)
SOT-23-3
Unit: mm
+0.2
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
■ Features 3
● VDS (V) =-30V
● RDS(ON) ＜ 78mΩ (VGS =-10V)
● RDS(ON) ＜ 130mΩ (VGS =-4.5V)
1 2
+0.02
+0.1
0.15 -0.02
0.95 -0.1
+0.1
1.9 -0.2
G 1
3 D
1. Gate
S 2 2. Source
3. Drain
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol 5 sec

1.6. si2307ds-3.pdf Size:1508K _kexin

SMD Type MOSFET
P-Channel Enhancement MOSFET
SI2307DS (KI2307DS)
SOT-23-3
Unit: mm
+0.2
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
■ Features
3
● VDS (V) =-30V
● ID =-3.0A (VGS =-10V)
● RDS(ON) ＜ 80mΩ (VGS =-10V)
1 2
+0.02
+0.1
● RDS(ON) ＜ 140mΩ (VGS =-4.5V)
0.15 -0.02
0.95-0.1
+0.1
1.9-0.2
G 1
3 D
1. Gate
S 2
2. Source
3. Drain
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25

1.7. si2307ds.pdf Size:1474K _kexin

SMD Type MOSFET
P-Channel Enhancement MOSFET
SI2307DS (KI2307DS)
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
■ Features 0.4 -0.1
3
● VDS (V) =-30V
● ID =-3.0A (VGS =-10V)
● RDS(ON) ＜ 80mΩ (VGS =-10V)
1 2
● RDS(ON) ＜ 140mΩ (VGS =-4.5V)
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
G 1
1.Gate
3 D
2.Source
S 2
3.Drain
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Param

1.8. si2307bds.pdf Size:1880K _kexin

SMD Type MOSFET
P-Channel Enhancement MOSFET
SI2307BDS (KI2307BDS)
■ Features
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
● VDS (V) =-30V
+0.1
0.4 -0.1
● RDS(ON) ＜ 78mΩ (VGS =-10V) 3
● RDS(ON) ＜ 130mΩ (VGS =-4.5V)
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
G 1
1.Gate
3 D
2.Source
S 2
3.Drain
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol 5 sec Stead

Другие MOSFET… FDMA905
, FDN338
, S8205A
, SI2301A
, SI2302A
, SI2303
, SI2304
, SI2305B
, IRF5210
, SI2308
, SI2309
, SI2310
, SI2313
, SI2314
, SI2315
, SI2319
, SI2323
.