Транзистор h945

Содержание:

Другие разделы справочника:
Основные технические характеристики
Биполярный транзистор KTC945 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
KTC945 Datasheet (PDF)
2SC945L Datasheet (PDF)
2SC945-GR Datasheet (PDF)
Сравнение производительности и результаты тестов
Производители
2SC945 Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор 2SC945P — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
2SC945P Datasheet (PDF)
Характеристики
2SC945P Datasheet (PDF)
KSC945 Datasheet (PDF)

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск транзистора по маркировке.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Типоразмеры корпусов транзисторов.Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Основные технические характеристики

C5353 транзистор характеристики

У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):

принцип действия – биполярный;
корпус ТО-92, SOT-23;
материал корпуса – пластмасса;
материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;

электрические:

проводимость – обратная (n-p-n);
максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) I_{K макс} (I_{c max}) 0,15 А или 150 мА (mA);
максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U _{КЭ макс.} (V_CE_max) не более 50 В (V);
максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U_{КБ макс.} (V_CB_max) не более 60 В (V);
максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) U_{ЭБ макс} (V_ЕВ_max) не более 5 В (V);
напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) U_КЭ_.нас. (V_CE_sat) не более 0.3 В (V);
граничная частота передачи тока (Current Gain Bandw >Классификация по H_fe

Наименование	Коэффициент Hfe
С945-Y	120-240
С945-O	70-140
С945-R	90-180
С945-Q	135-270
С945-P	200-400
C945-K	300-600
C945-G	200-400
C945-GR	200-400
C945-BL	350-700
C945-L (SOT-23)	120-200
C945-H (SOT-23)	200-400

Точное значение H_fe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer H_fe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.

Биполярный транзистор KTC945 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Транзистор s9012 (ss9012, c9012, 2sс9012)

Наименование производителя: KTC945

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90

Корпус транзистора: TO92

KTC945
Datasheet (PDF)

D2058 транзистор характеристики

1.1. ktc945.pdf Size:44K _kec

SEMICONDUCTOR KTC945
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
Excellent hFE Linearity.
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.)
N DIM MILLIMETERS
Low Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
Complementary to KTA733. G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
_
MAXIMUM RATING (Ta=2

1.2. ktc945b.pdf Size:272K _kec

SEMICONDUCTOR KTC945B
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
Excellent hFE Linearity.
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.)
N DIM MILLIMETERS
Low Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
Complementary to KTA733B(O, Y, GR class). G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
_
MA

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2SC945L Datasheet (PDF)

1.1. 2sc945lt1.pdf Size:634K _update

SEMICONDUCTOR 2SC945LT1
Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Package:SOT-23
* Collector Current: Ic= 150mA
* Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V
* High Total Power Dissipation:Pc=225mW
* High Hfe And Good Linearity
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage Vcbo 60 V

4.1. 2sc945-y.pdf Size:244K _update

MCC
2SC945-Y
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
2SC945-GR
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon
• Collector-current 0.15A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 60V
• Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

4.2. 2sc945-gr.pdf Size:244K _update

4.3. 2sc945.pdf Size:73K _nec

4.4. 2sc945.pdf Size:180K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH FREQUENCY
OSC NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high
frequency OSC NPN transistor.
FEATURES
* Collector-Emitter voltage:
BVCBO=50V
* Collector current up to 150mA
* High hFE linearity
Lead-free: 2SC945L
* Complimentary to UTC 2SA733

4.5. 2sc945.pdf Size:226K _no

ST 2SC945
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for switching and AF amplifier applications.
The transistor is subdivided into five groups, R, O,
Y, P and L, according to its DC current gain. As
complementary type the PNP transistor ST
2SA733 is recommended.
On special request, these transistors can be
1. Emitter 2. Collector 3. Base
manufactured in different pin configurati

4.6. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Transistor 2SC945
DESCRIPTION
·High Voltage
·Excellent h linearity
FE
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Dsigned for use in driver stage of AF amplifier
and low speed switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 60 V
CBO
V Collector-Emitter Vol

4.7. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

2SC945M(BR3DG945M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
耐压高,放大特性好。
High voltage, excellent hFE linearity.
用途 / Applications
用于一般放大及低速开关。
General power amplifier application and low speed switching.
内

4.8. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

SMD Type
SMD Type si o ors
SMD Type TranDistdes
NPN Transistors
2SC945
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector current up to 150mA
● High hFE linearity
1 2
● Complementary to 2SA733
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector

2SC945-GR Datasheet (PDF)

1.1. 2sc945-gr.pdf Size:244K _update

3.1. 2sc945-y.pdf Size:244K _update

4.1. 2sc945lt1.pdf Size:634K _update

4.2. 2sc945.pdf Size:73K _nec

4.3. 2sc945.pdf Size:180K _utc

4.4. 2sc945.pdf Size:226K _no

4.5. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

4.6. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

4.7. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

Сравнение производительности и результаты тестов

Назад

Вперед

Чтобы помочь вам сделать осознанный выбор, процессор был протестирован в Компьютерном Супермаркете НИКС 21-07-2017. Результаты тестирования наглядно отображены в диаграмме и двух таблицах.

За диаграммой следует таблица с аналогичными показателями для 10 товаров-чемпионов в своей категории, в виде рейтинга ТОП10.

По этой таблице легко определить место процессора в общей «табели о рангах», а также оценить, насколько дорого будет попытаться повысить производительность. Выбранный товар также выделен красной строкой.

Последняя табличка — просто список результатов тестов. Из них подсчитывается процентный рейтинг, который использовался в двух первых отчетах. Кликнув на название теста, можно перейти к сводной таблице с показателями всех товаров категории, в том числе и отсутствующих на складе в данный момент.

Для сравнений используются только товары, которые сейчас есть в наличии.

Производители

Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Аналоги транзистор C945

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Cc	Hfe	Caps
2DC2412R	Si	NPN	0.3	50	0.15	180	180	SOT23
2SC1623RLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	180	SOT23
2SC1623SLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	270	SOT23
2SC2412-R	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412-S	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC2412KRLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412KSLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC945LT1	Si	NPN	0.23	60	50	5	0.15	150	150	2.2	200	SOT23
2SD1501	Si	NPN	1	70	1	150	250	SOT23
2STR1160	Si	NPN	0.5	60	60	5	1	150	250	SOT23
50C02CH-TL-E	Si	NPN	0.7	60	50	5	0.5	150	500	2.8	300	SOT23
BRY61	Si	PNPN	0.25	70	70	70	0.175	150	1000	SOT23
BSP52T1	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
BSP52T3	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
C945	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
DNLS160	Si	NPN	0.3	60	1	150	200	SOT23
DTD123	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50	0.5	150	200	250	SOT23
ECG2408	Si	NPN	0.2	60	65	0.3	150	300	300	SOT23
FMMT493A	Si	NPN	0.5	60	1	150	500	SOT23
FMMTL619	Si	NPN	0.5	50	1.25	180	300	SOT23
L2SC1623RLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	180	SOT23
L2SC1623SLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	270	SOT23
L2SC2412KRLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
L2SC2412KSLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
MMBT945-H	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	200	SOT23
MMBT945-L	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
NSS60201LT1G	Si	NPN	0.54	60	4	150	SOT23
ZXTN19100CFF	Si	NPN	1.5	100	4.5	150	200	SOT23F
ZXTN25050DFH	Si	NPN	1.25	50	4	200	240	SOT23
ZXTN25100DFH	Si	NPN	1.25	100	2.5	175	300	SOT23

2SC945 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc945-y.pdf Size:244K _update

1.2. 2sc945-gr.pdf Size:244K _update

1.3. 2sc945lt1.pdf Size:634K _update

1.4. 2sc945.pdf Size:73K _nec

1.5. 2sc945.pdf Size:180K _utc

1.6. 2sc945.pdf Size:226K _no

1.7. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

1.8. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

1.9. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

Биполярный транзистор 2SC945P — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC945P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: TO92

2SC945P
Datasheet (PDF)

4.1. 2sc945-y.pdf Size:244K _update

4.2. 2sc945-gr.pdf Size:244K _update

4.3. 2sc945lt1.pdf Size:634K _update

4.4. 2sc945.pdf Size:73K _nec

4.5. 2sc945.pdf Size:180K _utc

4.6. 2sc945.pdf Size:226K _no

4.7. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

4.8. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

4.9. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

Характеристики

Основные характеристики
Описание	Процессор для настольных компьютеров.
Производитель	Intel
Модель	Pentium D 945найти похожий процессор
Гнездо процессора	Socket LGA775совместимые мат.платы
Тип оборудования	Серверный процессор
Поддерживаемые технологии	наборы инструкций: SSE, SSE2, SSE3, EVP (Enhanced Virus Protection/Execute Disable Bit)
Комплектация процессора	OEM
Назначение
Параметры производительности
Ядро	Preslerхарактеристики ядра CPU
Техпроцесс	65 нм
Частота шины CPU	800 МГц
Частота работы процессора	3.4 ГГц
Умножение	17
Количество ядер	2
Количество потоков	2
Кэш L1	16 Кб данных + 12 тыс. микрокоманд x2
Кэш L2	2048 КБ x2
Поддержка 64 бит	Да
Макс. кол-во процессоров на материнской плате	1
Встроенная видеокарта
Видеоядро процессора	Нет встроенной видеокарты
Совместимость
Корпус	775 pin PLGA
Рассеиваемая мощность	95 Вт
Критическая температура	63.4°C
Напряжение питания	1.225 — 1.312 В
Комплект поставки и опции
Опции (водяное охлаждение)	Есть
Опции (процессорный кулер)	Есть
Опции (серверный кулер)	Есть
Логистика
Размеры (ширина x высота x глубина)	37.5 x 37.5 x 3.76 мм
Размеры упаковки (измерено в НИКСе)	3.75 x 0.55 x 3.75 см
Вес брутто (измерено в НИКСе)	0.023 кг

2SC945P Datasheet (PDF)

4.1. 2sc945-y.pdf Size:244K _update

4.2. 2sc945-gr.pdf Size:244K _update

4.3. 2sc945lt1.pdf Size:634K _update

4.4. 2sc945.pdf Size:73K _nec

4.5. 2sc945.pdf Size:180K _utc

4.6. 2sc945.pdf Size:226K _no

4.7. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

4.8. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

4.9. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

KSC945 Datasheet (PDF)

1.1. ksc945 .pdf Size:42K _fairchild_semi

KSC945
Audio Frequency Amplifier & High
Frequency OSC.
Complement to KSA733
Collector-Base Voltage : VCBO=60V
High Current Gain Bandwidth Product : fT=300MHz (TYP)
Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
TO-92
1
1. Emitter 2. Base 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter

1.2. ksc945.pdf Size:126K _fairchild_semi

Audio Frequency AmpIifier & High
Frequency OSC.
Complement to KSA733
Collector-Base Voltage : VCBO=60V
High Current Gain Bandwidth Product : fT=300MHz (TYP.)
TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector
NPN EpitaxiaI SiIicon Transistor
AbsoIute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
SymboI Parameter VaIue Units
VCBO Collector-Base Voltage 60 V
VCEO Collector-Emit

1.3. ksc945.pdf Size:73K _utc

UTC KSC945 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER
HIGH FREQUENCY OSC NPN
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC KSC945 is an audio frequency amplifier high
frequency OSC NPN transistor.
1
FEATURES
*Collector-Base voltage:
BVCBO=60V
TO-92
*Collector current up to 150mA
*High hFE linearity
*Complimentary to KSA733
1:EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR
ABSOLUTE M