Оригинальный тонер-картридж samsung mlt-d209l (экономичный) черный (black)

Содержание:

2SD2081 Datasheet (PDF)
D209L Datasheet Download — Jilin Sino
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ209
2SD1944 Datasheet (PDF)
Электрические параметры транзистора КТ209
Биполярный транзистор KSH13009 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
KSH13009 Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор 2SD1944 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
2SD1944 Datasheet (PDF)
2SD2058O Datasheet (PDF)
КТ209 (кремниевый транзистор, p-n-p)
- - Краткая справочная таблица:
Справочный листок по транзисторам КТ209А…М, КТ209Б1,КТ209В1
2SK4108 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
2SK4108 Datasheet (PDF)

2SD2081 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd2081.pdf Size:22K _sanken-ele

Equivalent C
circuit
B
Darlington 2SD2081
(2k?) (200?)
E
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1259)
Application : Driver for Solenoid, Motor and General Purpose
External Dimensions FM20(TO220F)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol Conditions 2SD2081 Unit
Symbol 2SD2081 Unit
0.2
4.2
0.2
10.1
c0.5
2.8
A

1.2. 2sd2081.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2081
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 2000(Min)@ (V = 4V, I = 5A)
FE CE C
·Large Current Capability
·Complement to Type 2SB1259
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Driver for solenoid, motor and general purpose
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

4.1. 2sd2088.pdf Size:170K _toshiba

2SD2088
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor)
2SD2088
Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
Unit: mm
Switching Applications
Power Amplifier Applications
• High DC current gain: hFE = 2000 (min) (V = 2 V, I = 1 A)
CE C
• Low saturation voltage: V = 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA)
CE (sat) C B
• Zener diode included between c

4.2. 2sd2089.pdf Size:79K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD2089
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·Small screen color TV horizontal
output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
A

4.3. 2sd2082.pdf Size:76K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD2082
DESCRIPTION
·With TO-3PML package
·DARLINGTON
·Complement to type 2SB1382
APPLICATIONS
·Driver for Solenoid, Motor
and General Purpose
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol
Maximum absolute ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITION

4.4. 2sd2083.pdf Size:25K _sanken-ele

Equivalent C
circuit
B
Darlington 2SD2083
(2k?) (100?)
E
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1383)
Application : Driver for Solenoid, Motor and General Purpose
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions MT-100(TO3P)
Symbol 2SD2083 Unit Symbol Conditions 2SD2083 Unit
0.2
4.8
0.4
15.6
0.1
VCBO 120 V

4.5. 2sd2082.pdf Size:26K _sanken-ele

Equivalent C
circuit
B
Darlington 2SD2082
(2k?) (100?)
E
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1382)
Application : Driver for Solenoid, Motor and General Purpose
External Dimensions FM100(TO3PF)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol 2SD2082 Symbol Conditions 2SD2082 Unit
Unit
0.2
0.2 5.5
15.6
0.2
3.45
VCBO

4.6. 2sd2089.pdf Size:200K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2089
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
：V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Bas

4.7. 2sd2083.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2083
DESCRIPTION
·High DC Current Gain
: h = 2000(Min.)@ I = 12A, V = 4V
FE C CE
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V(Min)
(BR)CEO
·Complement to Type 2SB1383
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for driver of solenoid, motor and general
purpose

4.8. 2sd2082.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2082
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 120V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 2000( Min.) @(I = 8A, V = 4V)
FE C CE
·Low Collector Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max)@ (I = 8A, I = 16mA)
CE(sat) C B
·Complement to Type 2SB1382
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable o

D209L Datasheet Download — Jilin Sino

Номер произв

D209L

Описание

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

Производители

Jilin Sino

логотип

1Page

Rjh60f5

No Preview Available !

NPN 型高压功率开关晶体管

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD209L

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS

VCEO

12A
400V
120W

封装 Package

用途

z 节能灯

z 电子镇流器

z 高频开关电源

z 高频功率变换

z 一般功率放大电路

APPLICATIONS

z Energy-saving light

z Electronic ballasts

z High frequency switching power

supply

z High frequency power transform

z Commonly power amplifier

产品特性

z高耐压

z高电流容量

z高开关速度

z高可靠性

z环保（RoHS）产品

FEATURES

z High breakdown voltage

z High current capability

z High switching speed

z High reliability

z RoHS product

TO-3PN(B)
TO-247

订货信息 ORDER MESSAGE

订货型号
Order codes
3DD209L-O-AN-N-B
3DD209L-O-AB-N-B
3DD209L-O-W-N-B
印记
Marking
D209L
D209L
D209L
无卤素
Halogen Free

否 NO

封装
Package
TO-3PN
TO-3PB
TO-247
包装
Packaging

条管 Tube

版本：201105D

1/7

No Preview Available !

R 3DD209L

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)

项目
符号数值
Parameter
Symbol Value

集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（VBE=0）

VCES

700

集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0）

VCEO

400

发射极—基极直流电压

Emitter-Base Voltage

VEBO

9
最大集电极直流电流

Collector Current（DC）

IC 12

最大集电极脉冲电流

Collector Current（pulse）

ICP 24

最大基极直流电流

Base Current（DC）

IB 6

最大基极脉冲电流

Base Current（pulse）

IBP 12

最大集电极耗散功率

Total Dissipation (TO-3PN(B)/TO-247) PC

120
最高结温
Junction Temperature

Tj 150

贮存温度
Storage Temperature

Tstg -55~+150

注：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.

单位
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃

电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC

项目
测试条件
最小值典型值最大值
Parameter

V(BR)CEO

V(BR)CBO

V(BR)EBO

ICBO

ICEO

IEBO

Hfe(1)
Hfe(2)

VCE(sat)(1)

VCE(sat)(2)

VBE(sat)

ts
Tests conditions

IC=10mA,IB=0

IC=1mA,IB=0

IE=1mA,IC=0

VCB=700V, IE=0

VCE=400V,IB=0

VEB=9V, IC=0

VCE =5V, IC=5A

VCE =5V, IC=8A

IC=5A, IB=1A

IC=8A, IB=1.6A

VCC=24V IC=5A,IB1=-IB2=1A

Value(min)
400
700
9
—
—
—
8
5
—
—
—
—
—
Value(typ) Value(max)
—
—
—
— 100
— 50
— 10
— 40
—
— 1.2
— 1.8
— 1.8
— 0.7
-3

fT VCE=10V, IC=0.5A

4—
单位
Unit
V
V
V

μA

V
V
V

μS

MHz

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项目
Parameter

结到管壳的热阻 TO-3PN(B) /TO-247

Thermal Resistance Junction Case
TO-3PN(B) /TO-247
符号最小值最大值

Symbol Value(min) Value(max)

单位
Unit

Rth(j-c)

—

1.05 ℃/W

版本：201105D

2/7

No Preview Available !

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

3DD209L

hFE – IC

VBE（sat）- IC

VCE(sat)- IC

PC-TC

SOA
RSOA

VCE (V)

版本：201105D

VCE (V)

3/7

Всего страниц

7 Pages

Скачать PDF

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ209

• Напряжение К-Б (постоянное):
при Т = +25…+100°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1	15 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е	30 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К	45 В
КТ209Л, КТ209М	60 В
при Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1	10 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е	25 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К	40 В
КТ209Л, КТ209М	55 В

• Напряжение К-Э (постоянное) при R_бэ ≤ 10 КОм:
при Т = +25…+100°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1	15 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е	30 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К	45 В
КТ209Л, КТ209М	60 В
при Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1	10 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е	25 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К	40 В
КТ209Л, КТ209М	55 В

• Напряжение Э-Б (постоянное):
при Т = +25…+100°C:
КТ209Б1	5 В
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209В1	10 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М	15 В

• Ток коллектора (постоянный):	300 мА

• Ток коллектора (импульсный):	500 мА
• Ток базы (постоянный):	100 мА

• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
T = −45…+45°C	200 мВт
T = +100°C	62.5 мВт

• Тепловое сопротивление переход − среда	0.45°C/мВт

• Температура p-n перехода	+125°C

• Рабочая температура (окружающей среды)	−45 … +100°C

Усилители класса d: irs20957s, irs2092s, tda8954th

При Т > +45°C P_{к_макс} уменьшается линейно.

2SD1944 Datasheet (PDF)

E13007 транзистор характеристики аналог

1.1. 2sd1944.pdf Size:29K _rohm

4.1. 2sd1949fra 2sd1484kfra.pdf Size:977K _update

Data Sheet
AEC-Q101 Qualified
Medium Power Transistor (50V,0.5A)
2SD1949FRA / 2SD1484KFRA
2SD1949 / 2SD1484K
Features Dimensions (Unit : mm)
1) High current.(IC=0.5A)
UMT3
2) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.
(SC-70)

(1) Emitter
(2) Bace
(3) Collector
Absolute maximum rationgs (Ta=25 C)
SMT3
(SC-59)
Parameter Symbol Limits Unit

4.2. 2sd1947a.pdf Size:231K _toshiba

4.3. 2sd1947.pdf Size:221K _toshiba

4.4. 2sd1940.pdf Size:83K _sanyo

Ordering number:EN2533
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1940
85V/6A, AF 25 to 30W
Output Applications
Features Package Dimensions
Micaless package facilitating mounting.
unit:mm
Wide ASO.
2041A

4.5
10.0
2.8
3.2
2.4
1.6
1.2
0.7
0.75
1 2 3
1 : Base
2.55 2.55
2 : Collector
3 : Emitter
2.55 2.55
SANYO : TO-220ML
Specifications
Absolute Maximum Rati

4.5. 2sd1949.pdf Size:106K _rohm

Data Sheet
Medium Power Transistor (50V,0.5A)
M
e
d
i
u
m
P
o
w
e
r
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
(
5
0
V
,
0
.
5
A
)
2SD1949 / 2SD1484K
2
S
D
1
9
4
9
2
S
D
1
4
8
4
K
Features Dimensions (Unit : mm)
1) High current.(IC=0.5A)
UMT3
2) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.
(SC-70)

(1) Emitter
(2) Bace
(3) Coll

4.6. 2sd1949 2sd1484k.pdf Size:106K _rohm

(1) Emitter
(2) Bace
(3) Coll

4.7. 2sd1941.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1941
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for CTV/character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Ba

4.8. 2sd1940.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1940
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 85V(Min.)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for AF 25~30W output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V

Электрические параметры транзистора КТ209

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером. U_кб = 1 В, I_к = 30 мА:
Т = +25°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л	20 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М	40 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е	80 ÷ 240
КТ209К	80 ÷ 160
КТ209Б1, не менее	12
КТ209В1, не менее	30
Т = +100°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л	20 ÷ 120
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М	40 ÷ 240
КТ209В, КТ209Е	80 ÷ 480
КТ209К	80 ÷ 320
КТ209Б1, не менее	12
КТ209В1, не менее	30
Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л	10 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М	20 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е	40 ÷ 240
КТ209К	40 ÷ 160
КТ209Б1, не менее	6
КТ209В1, не менее	15

• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при U_кб = 5 В, I_к = 10 мА, не менее:	5 МГц

• Коэффициент шума при I_к = 0.2 мА, U_кэ = 5 В, f = 1 кГц для КТ209В, КТ209Е, КТ209К, не более:	5 дБ

• Напряжение насыщения К-Э, при I_к = 300 мА, I_б = 30 мА, не более	0.4 В

• Напряжение насыщения Б-Э, при I_к = 300 мА, I_б = 30 мА, не более	1.5 В

• Ток эмиттера (обратный), при U_эб = U_{эб max}, не более	1 мкА

• Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером, при U_кэ = 5 В, I_к = 5 мА	130÷2500 Ом

• Ёмкость коллекторного перехода при U_кб = 10 В, f = 500 КГц, не более:	50 пФ

• Ёмкость коллекторного перехода при U_эб = 0.5 В, f = 1 МГц, не более:	100 пФ

Биполярный транзистор KSH13009 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSH13009

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6

Корпус транзистора: TO-220

KSH13009
Datasheet (PDF)

1.1. ksh13009l.pdf Size:219K _upd

KSH13009L
◎ SEMIHOW REV.A0,May 2003
KSH13009L
KSH13009L
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
— High voltage, high speed power switching
— Suitable for switching regulator, inverters motor controls
12 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted
100 Watts
TO-3P
CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT
1. Base
2. Collector
C

1.2. ksh13009al.pdf Size:459K _upd

KSH13009AL
◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007
KSH13009AL
KSH13009AL
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
— High voltage, high speed power switching
— Suitable for switching regulator, inverters motor controls
12 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted
130 Watts
TO-3P
CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT
1. Base

1.3. ksh13009af.pdf Size:191K _upd

KSH13009AF

KSH13009AF
KSH13009AF
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
— High voltage, high speed power switching
— Suitable for switching regulator, inverters motor controls
12 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted
100 Watts
TO-220F
CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT
1. Base
2. Collector

1.4. ksh13009.pdf Size:227K _upd

KSH13009
KSH13009
◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007
KSH130
009
KSH13009
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
— High voltage, high speed power switching
— Suitable for switching regulator, inverters motor controls
12 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted
100 Watts
TO-220

1.5. ksh13009f.pdf Size:224K _upd

KSH13009F
KSH13009F
◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007
KSH130
009F
KSH13009F
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
— High voltage, high speed power switching
— Suitable for switching regulator, inverters motor controls
12 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted
100 Watts
TO-2

1.6. ksh13009a.pdf Size:203K _upd

KSH13009A

KSH13009A
KSH13009A
Switch Mode series NPN silicon Power Transistor
— High voltage, high speed power switching
— Suitable for switching regulator, inverters motor controls
12 Amperes
NPN Silicon Power Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted
100 Watts
TO-220
CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT
1. Base
2. Collector
Co

1.7. ksh13009w.pdf Size:141K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
KSH13009W
█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATIONS
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Montor Control
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
TO-263（D2PAK）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature………

Другие транзисторы… KSH13005A
, KSH13005AF
, KSH13006A
, KSH13007
, KSH13007A
, KSH13007AF
, KSH13007F
, KSH13008A
, 2SC5200
, KSH13009A
, KSH13009AF
, KSH13009AL
, KSH13009F
, KSH13009L
, KSH5027
, KSH5027A
, KSH5027AF
.

Биполярный транзистор 2SD1944 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1944

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400

Корпус транзистора: TO220

2SD1944
Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1944.pdf Size:29K _rohm

4.1. 2sd1949fra 2sd1484kfra.pdf Size:977K _update

(1) Emitter
(2) Bace
(3) Collector
Absolute maximum rationgs (Ta=25 C)
SMT3
(SC-59)
Parameter Symbol Limits Unit

4.2. 2sd1947a.pdf Size:231K _toshiba

4.3. 2sd1947.pdf Size:221K _toshiba

4.4. 2sd1940.pdf Size:83K _sanyo

4.5
10.0
2.8
3.2
2.4
1.6
1.2
0.7
0.75
1 2 3
1 : Base
2.55 2.55
2 : Collector
3 : Emitter
2.55 2.55
SANYO : TO-220ML
Specifications
Absolute Maximum Rati

4.5. 2sd1949.pdf Size:106K _rohm

(1) Emitter
(2) Bace
(3) Coll

4.6. 2sd1949 2sd1484k.pdf Size:106K _rohm

(1) Emitter
(2) Bace
(3) Coll

4.7. 2sd1941.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

4.8. 2sd1940.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

2SD2058O Datasheet (PDF)

1.1. 2sd2058g 2sd2058o 2sd2058y.pdf Size:290K _update_bjt

www.DataSheet4U.com
SavantIC Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD2058
DESCRIPTION
·With TO-220F package
·Complement to type 2SB1366
·Low collector saturation voltage:
VCE(SAT)=1.0V(Max) at IC=2A,IB=0.2A
·Collector power dissipation:
PC=25W(TC=25ı)
APPLICATIONS
·With general purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Co

3.1. 2sc3882s 2sc4368 2sc4369 2sc4371 2sc4377 2sd1351a 2sd2058a bf599 bfq31 bfs20 bu508a bu806 buv48a buv48c kta1242 kta940.pdf Size:495K _update_bjt

3.2. 2sd2058.pdf Size:194K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2058
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 60V (Min)
(BR)CEO
·Collector Power Dissipation
: P = 25 W(Max)
C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

КТ209 (кремниевый транзистор, p-n-p)

КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В,
КТ209В1, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж,
КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М
Кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный p-n-p
транзистор.
Предназначен для использования в
низкочастотных устройствах
аппаратуры широкого применения.
Зарубежный аналог(прототип) MPS404
Диапазон рабочих температур от — 45
до + 100°C
Пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)

Краткая
справочная таблица:

Прибор	Предельные параметры	Параметры при T = 25°C	R_{Т п-с}, °C/Вт
		при T = 25°C
I_{К, max} мА	I_{К и. max} мА	U_{КЭR max}, В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, мВт	T, °C	T_{п max}, °C	T_max, °C	h_21Э	U_КБ, В	I_Э, мА	U_{КЭ нас}, В	I_КБ0, мкА	f_гр, МГц	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_рас, мкс
КТ209 А	300	500	15	15	10	200	25	125	100	20…60	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 Б	300	500	15	15	10	200	25	125	100	40..120	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 Б1	300	500	15	15	10	200	25	125	100	>12	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 В	300	500	15	15	10	200	25	125	100	80…240	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 В1	300	500	15	15	10	200	25	125	100	>30	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 Г	300	500	30	30	10	200	25	125	100	20…60	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 Д	300	500	30	30	10	200	25	125	100	40..120	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 Е	300	500	30	30	10	200	25	125	100	80…240	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 Ж	300	500	45	45	20	200	25	125	100	20…60	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 И	300	500	45	45	20	200	25	125	100	40…120	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 К	300	500	45	45	20	200	25	125	100	80…160	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 Л	300	500	60	60	20	200	25	125	100	20…60	1	30	0,4		5	50	100
КТ209 М	300	500	60	60	20	200	25	125	100	40…120	1	30	0,4		5	50	100

Справочный листок по транзисторам КТ209А…М, КТ209Б1,КТ209В1

Основные
электрические параметры
транзистора КТ209 при Т_{окр. среды}
= 25 °С

Паpаметp	Обозначение	Ед.Измеp	Режимы измеpения	Мин	Макс
Обратный ток коллектор-эмиттеp	Iкэr	мкА	Uкэ=Uкэ max, Rбэ=10кОм		1,0
Обратный ток эмиттеpа	Iэбo	мкА	Uэб=Uэб max		1,0
Статический коэффициент передачи тока	h21Е		Uкэ=-1B, Iк=-30мA Uкэ=-1B,Iк=-0,2мA	20	240
Статический коэффициент передачи тока для КТ209Б1	h21Е		Uкэ=-1B, Iк=-30мA Uкэ=-1B,Iк=-0,2мA	12
Статический коэффициент передачи тока для КТ209В1	h21Е		Uкэ=-1B, Iк=-30мA Uкэ=-1B,Iк=-0,2мA	30
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер	Uкэ(нас)	В	Iк=-300мА,Iб=-30мA	0,4
Напряжение насыщения база — эмиттер	Uбэ(нас)	В	Iк=-300мА,Iб=-30мA	1,5
Модуль коэффициента передачи тока	/ h21Е /		Uкб=-5B,Iэ=-10мA, f=20MГц	2

Значения
предельно допустимых
электрических режимов
эксплуатации для транзисторов КТ209:

Параметр	Обозначение	Ед. измер.	Значение
Напряжение коллектор-база	Uкб max	В	15…60
Напpяжение коллектоp-эмиттеp	Uкэ max	В	15…60
Напряжение эмиттер-база	Uэб max	В	5…20
Постоянный ток коллектора	Iк max	мА	300
Постоянный ток базы	Iб max	мА	100
Импульсный ток коллектоpа	Iк, и max	мА	500
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	мВт	200
Температура перехода	Tj	град, С	125

Классификация
транзисторов КТ209:

Прибор	Uкб max, В	Uкэ max, В	Uэб max, В	h21e
КТ209А	15	15	10	20…60
КТ209Б	15	15	10	40…120
КТ209Б1	15	15	5	>12
КТ209В	15	15	10	80…240
КТ209В1	15	15	10	>30
КТ209Г	30	30	10	20…60
КТ209Д	30	30	10	40…120
КТ209Е	30	30	10	80…240
КТ209Ж	45	45	20	20…60
КТ209И	45	45	20	40…120
КТ209К	45	45	20	80…160
КТ209Л	60	60	20	20…60
КТ209М	60	60	20	40…120

Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru

2SK4108 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2SK4108

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 70
nC

Время нарастания (tr): 70
ns

Выходная емкость (Cd): 320
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27
Ohm

Тип корпуса: TO3P

2SK4108
Datasheet (PDF)

1.1. 2sk4108.pdf Size:281K _toshiba

2SK4108
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
2SK4108
Switching Regulator Applications
Unit: mm
Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 14 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Max

4.1. 2sk4106.pdf Size:175K _toshiba

2SK4106
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
2SK4106
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absol

4.2. 2sk4105.pdf Size:199K _toshiba

2SK4105
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
2SK4105
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Abso

4.3. 2sk4103.pdf Size:296K _toshiba

2SK4103
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOSVI)
2SK4103
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.8S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V)
• Enhancement model: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Maximu

4.4. 2sk4104.pdf Size:206K _toshiba

2SK4104
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
2SK4104
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute M

4.5. 2sk4107.pdf Size:239K _toshiba

2SK4107
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
2SK4107
○ Switching Regulator Applications
Unit: mm
• Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0. 33 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
• Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1

4.6. 2sk4100ls.pdf Size:97K _sanyo

www.DataSheet4U.com
Ordering number : ENA0778 2SK4100LS
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
2SK4100LS
Applications
Features
• Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching.
• Adoption of high reliability HVP process.
• Attachment workability is good by Mica-less package.
• Avalanche resistance guaran

4.7. 2sk4101ls.pdf Size:45K _sanyo

Ordering number : ENA0745 2SK4101LS
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
2SK4101LS
Applications
Features
вЂў Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching.
вЂў High reliability (Adoption of HVP process).
вЂў Attachment workability is good by Mica-less package.
вЂў Avalanche resistance guarantee.
Spec

4.8. 2sk410.pdf Size:50K _hitachi

2SK410
Silicon N-Channel MOS FET
Application
HF/VHF power amplifier
Features
• High breakdown voltage
• You can decrease handling current.
• Included gate protection diode
• No secondary–breakdown
• Wide area of safe operation
• Simple bias circuitry
• No thermal runaway
Outline
2SK410
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Symbol Ratings Unit
Drain to sourc

Другие MOSFET… 2SK4020
, 2SK4021
, 2SK4022
, 2SK4103
, 2SK4104
, 2SK4105
, 2SK4106
, 2SK4107
, J111
, 2SK4110
, 2SK4111
, 2SK4112
, 2SK4113
, 2SK4114
, TJ120F06J3
, TK07H90A
, TK09H90A
.