2sc2482

Содержание:

Основные технические характеристики
- Аналоги и описание
- Применение
Биполярный транзистор 2SC5802 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
2SC5802 Datasheet (PDF)
2SC5707 Datasheet (PDF)
2SC5803 Datasheet (PDF)
2SC5698 Datasheet (PDF)
2SC5763 Datasheet (PDF)

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

Тип проводимости транзистора NPN;
Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Полезная информация:

Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

Реле;
Светодиоды;
Лампочками и т.д.

Где и как мы можем использовать ?
Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

Биполярный транзистор 2SC5802 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Rjh60f5

Наименование производителя: 2SC5802

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO3PHIS

2SC5802
Datasheet (PDF)

2sd2499 datasheet, equivalent, cross reference search

1.1. 2sc5802.pdf Size:146K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC5802
DESCRIPTION
·With TO-3P(H)IS package
·High voltage;high speed
·Wide area of safe operation
APPLICATIONS
·For high voltage color display horizontal
deflection output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings

1.2. 2sc5802.pdf Size:178K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5802
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high voltage color display horizontal
deflection output applications.

4.1. 2sc5801.pdf Size:100K _update

DATA SHEET
NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5801
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE
3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD
FEATURES
• Low phase distortion, low voltage operation
• Ideal for OSC applications
• 3-pin lead-less minimold package
ORDERING INFORMATION
Part Number Quantity Supplying Form
2SC5801 50 pcs (Non reel) • 8 mm wide embossed taping
2SC5801-T3 10 kpcs/re

4.2. 2sc5808.pdf Size:30K _sanyo

Ordering number : ENN7079
2SC5808
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5808
Switching Power Supply Applications
Features
Package Dimensions
High breakdown voltage.
unit : mm
High speed switching.
2045B
Wide ASO.

Adoption of MBIT process.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Base
2 : Collector
1 2 3
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : T

4.3. 2sc5801.pdf Size:33K _nec

4.4. 2sc5800.pdf Size:104K _nec

DATA SHEET
NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5800
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE
FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
FEATURES
Low phase distortion, low voltage operation
Ideal for OSC applications
Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package
ORDERING INFORMATION
Part Number Quantity Supplying Form
2SC5800 50 pcs (Non reel) 8 mm wide embos

4.5. 2sc5809.pdf Size:78K _panasonic

Power Transistors
2SC5809
Silicon NPN triple diffusion planar type
Unit: mm
4.60.2
For high breakdown voltage high-speed switching
9.90.3
2.90.2
? 3.20.1
Features
High-speed switching (Fall time tf is short)
High collector-base voltage (Emitter open) VCBO
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV
1.

4.6. 2sc5804.pdf Size:374K _isahaya

?SMALL-SIGNAL TRANSISTOR?
2SC5804
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
DESCRIPTION
OUTLINE DRAWING Unit:mm
2SC5804 is a super mini package resin sealed
silicon NPN epitaxial transistor,
It is designed for low frequency application.
0.8 0.2
0.2
Since it is a super-thin flat lead type package,a high-density
mounting are possible.
Complementary

4.7. 2sc5807.pdf Size:78K _isahaya

? ?
Transistor
DEVELOPING 2SC5807
For Low Frequency Amplify Application
Silicon NPN Epitaxial Type
DESCRIPTION
OUTLINE DRAWING Unit
:mm
2SC5807 is a silicon NPN epitaxial Transistor.
4.6 MAX
It designed with high collector current and high collector dissipation.
1.5
1.6
FEATURE
?High collector current IC=5A
?Small collector to Emitter saturation voltage
C
E B
??VCE(sat)=0.25V TY

4.8. 2sc5803.pdf Size:178K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5803
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high voltage color display horizontal
deflection output applications.

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

2SC5707 Datasheet (PDF)

C5353 транзистор характеристики

1.1. 2sc5707-tl-e.pdf Size:332K _update

Ordering number : EN6913B
2SA2040/2SC5707
Bipolar Transistor
http://onsemi.com
(-)50V, (-)8A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Applications
• DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash
Features
• Adoption of FBET and MBIT processes
• Large current capacitance
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• High-speed switching
• High al

1.2. 2sc5707-e.pdf Size:332K _update

1.3. 2sa2040 2sc5707.pdf Size:58K _sanyo

Ordering number : ENN6913A
2SA2040 / 2SC5707
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA2040 / 2SC5707
High Current Switching Applications
Applications
DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.
Features
Adoption of FBET and MBIT processes.
Large current capacitance.
Low collector-to-emitter saturation voltage.
High-speed switching.
High al

1.4. 2sc5707.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5707
DESCRIPTION
·Large current capacitance
·High-speed switching
·100% avalanche tested
·Low collector-to-emitter saturation voltage
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·Complementary to 2SA2040
APPLICATIONS
·DC/DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor
drivers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

2SC5803 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5803.pdf Size:178K _inchange_semiconductor

4.1. 2sc5801.pdf Size:100K _update

4.2. 2sc5808.pdf Size:30K _sanyo

Adoption of MBIT process.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Base
2 : Collector
1 2 3
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : T

4.3. 2sc5801.pdf Size:33K _nec

4.4. 2sc5800.pdf Size:104K _nec

4.5. 2sc5809.pdf Size:78K _panasonic

4.6. 2sc5804.pdf Size:374K _isahaya

4.7. 2sc5807.pdf Size:78K _isahaya

4.8. 2sc5802.pdf Size:146K _jmnic

4.9. 2sc5802.pdf Size:178K _inchange_semiconductor

2SC5698 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5698.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6664A
2SC5698
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5698
CRT Display Horizontal Deflection
Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
On-chip damper diode. 3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

4.1. 2sc5696.pdf Size:29K _update_bjt

Ordering number : ENN6663B
2SC5696
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5696
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features
Package Dimensions
• High speed.
unit : mm
• High breakdown voltage(VCBO=1600V).
2174A
• High reliability(Adoption of HVP process).

• Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
• On-chip damper diode.
3.1
2.8
2.

4.2. 2sc5695.pdf Size:411K _toshiba

2SC5695
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5695
Horizontal Deflection Output for High Resolution Display,
Unit: mm
Color TV
• High voltage: VCBO = 1500 V
• Low saturation voltage: V = 3 V (max)
CE (sat)
• High speed: t (2) = 0.1 µs (typ.)
f
Maximum Ratings (Tc =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO

4.3. 2sc5692.pdf Size:167K _toshiba

2SC5692
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5692
Industrial Applications
High-Speed Switching Applications
Unit: mm
DC-DC Converter Applications
Strobe Applications
• High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (I = 0.3 A)
C
• Low collector-emitter saturation voltage: V = 0.14 V (max)
CE (sat)
• High-speed switching: t = 120 ns (typ.)
f
Maximum Ratings (

4.4. 2sc5696.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6663B
2SC5696
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5696
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1600V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
On-chip damper diode.
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0

4.5. 2sc5690.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6896A
2SC5690
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5690
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
On-chip damper diode.
3

4.6. 2sc5694.pdf Size:37K _sanyo

Ordering number : ENN6587
2SA2037 / 2SC5694
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA2037 / 2SC5694
DC / DC Converter Applications
Applications
Package Dimensions
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers and
unit : mm
printer drivers.
2042B
8.0
[2SA2037 / 2SC5694]
4.0
3.3
1.0 1.0
Features
Adoption of MBIT process.
Large current capacity.
3.0
Low collector-to-

4.7. 2sc5699.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6665A
2SC5699
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5699
CRT Display Horizontal Deflection
Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7
1 2 3
1 : Base
2 :

4.8. 2sc5696.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5696
DESCRIPTION
·High speed switching
·Built-in damper diode type
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for display horizontal deflection output
Switching regulator and general purpose
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBO

4.9. 2sc5694.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5694
DESCRIPTION
·High speed switching
·Large Current Capacity
·High allowable power dissipation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Relay drivers,lanp drivers,motor drivers and
printer drivers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

2SC5763 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5763.pdf Size:30K _sanyo

Ordering number : ENN6989A
2SC5763
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5763
Switching Regulator Applications
Features Package Dimensions
High breakdown voltage. unit : mm
High reliability. 2010C
High-speed switching.

Wide ASO.
10.2
4.5
Adoption of MBIT process. 3.6
5.1
1.3
1.2
0.8
0.4
1 : Base
2 : Collector
1 2 3
3 : Emitter
SANYO : TO-220
S

1.2. 2sc5763.pdf Size:179K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors 2SC5763
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·Fast Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulators applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RA

4.1. 2sc5765.pdf Size:158K _toshiba

2SC5765
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5765
MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
Unit: mm
STOROBO FLASH APPLICATIONS
• Low Saturation Voltage: VCE (sat) (1) = 0.27 V (max.)
(I = 3 A/I = 60 mA)
C B
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base voltage VCBO 15 V
Collector-Emitter voltage VCEO 10 V
Emitter-Ba

4.2. 2sc5764.pdf Size:31K _sanyo

Ordering number : ENN6971A
2SC5764
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5764
Switching Regulator Applications
Features Package Dimensions
High breakdown voltage. unit : mm
High reliability. 2041A
High-speed switching.

Wide ASO.
4.5
10.0
2.8
Adoption of MBIT process.
3.2
2.4
1.6
1.2
0.7
0.75
1 2 3
1 : Base
2.55 2.55
2 : Collector
3 : Emitter

4.3. 2sc5761.pdf Size:75K _nec

DATA SHEET
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
2SC5761
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE ? HIGH-GAIN AMPLIFICATION
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
FEATURES
Ideal for low noise ? high-gain amplification
NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
SiGe technology (fT = 60 GHz, fm

4.4. 2sc5765.pdf Size:182K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC5765 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER AMPLIFIER
STROBO FLASH
DESCRIPTION
medium power amplifier applications
strobo flash applications
FEATURES
* Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 0.27 V (max.),
(Ic = 3A / IB =60 mA)
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
2SC

4.5. 2sc5764.pdf Size:177K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors 2SC5764
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·Fast Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulators applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RA