Транзистор irfp064n

Содержание:

Распиновка
IRFZ34N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
IRFZ34N Datasheet (PDF)
Основные характеристики
IRFZ48N Datasheet (PDF)
IRFZ24N Datasheet (PDF)
Цоколевка
IRFZ48N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
IRFZ48N Datasheet (PDF)

Распиновка

Цоколевка IRFP064N следующая. Почти все производители выпускают устройство в не изолированном пластиковом ТО-247 для монтажа в отверстия, который имеет большую площадь контакта с радиатором. В нем улучшена мощность рассеивания по сравнению со стандартным ТО-220 и устаревшим ТО-218. Расположение выводов, если смотреть на транзистор со стороны маркировки будет такое: первая ножка затвор, вторая сток, третья исток. Между стоком и истоком располагается паразитный диод, характерный для всех MOSFET данного типа.

Приведенное выше расположение выводов характерно и для большинства транзисторов Vishay. У этой компании своя усовершенствованная модификация упаковки ТО-247AC, c не изолированным монтажным отверстием. В других корпусах данное устройство не выпускается.

Стоит отметить, что полупроводниковый кристалл у TO-247 расположен на металлической теплоотводящей поверхности корпуса. Она соединена со стоком (у MOSFET), и в некоторых схемах электрически изолируется от заземленного радиатора с помощью слюды или полимерной шайбы. Для лучшего контакта в таком соединении, на заднюю часть ТО-247 наносится тонкий слой теплопроводящей пасты.

IRFZ34N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Транзистор irf540

Наименование прибора: IRFZ34N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 26
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 22.7
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04
Ohm

Тип корпуса: TO220AB

IRFZ34N
Datasheet (PDF)

Транзистор irfz24n

1.1. irfz34npbf.pdf Size:179K _update

PD — 94807
IRFZ34NPbF
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 55V
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
RDS(on) = 0.040Ω
Fast Switching
G
Ease of Paralleling
ID = 29A
Lead-Free S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced
processing techniques to achieve the lowest possible o

1.2. irfz34nlpbf irfz34nspbf.pdf Size:296K _update

PD — 95571
IRFZ34NSPbF
IRFZ34NLPbF
l Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
l Surface Mount (IRFZ34NS)
l Low-profile through-hole (IRFZ34NL) D
VDSS = 55V
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
RDS(on) = 0.040Ω
l Fully Avalanche Rated
G
l Lead-Free
ID = 29A
Description
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing tech

1.3. irfz34n.pdf Size:104K _international_rectifier

PD -9.1276C
IRFZ34N
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 55V
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.040?
Fast Switching
G
Ease of Paralleling
ID = 29A
Description
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
the lowest possible on-resistance per si

1.4. irfz34ns.pdf Size:161K _international_rectifier

PD — 9.1311A
IRFZ34NS/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Surface Mount (IRFZ34NS)
Low-profile through-hole (IRFZ34NL)
175C Operating Temperature RDS(on) = 0.040?
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
ID = 29A
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-re

1.5. irfz34ns.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ34NS
·FEATURES
·With TO-263( D2PAK ) packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

Другие MOSFET… IRFZ24NL
, IRFZ24NS
, IRFZ25
, IRFZ30
, IRFZ32
, IRFZ34
, IRFZ34A
, IRFZ34E
, APT50M38JLL
, IRFZ34NL
, IRFZ34NS
, IRFZ35
, IRFZ40
, IRFZ40FI
, IRFZ42
, IRFZ44
, IRFZ44A
.

Основные характеристики

Транзистор irf3205

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

Максимальное напряжение стока-истока (V _DSS) — 55 В;
Максимальный ток стока (I _D) — 49 A;
Сопротивление проводящего канала сток-исток (R _DSon) — 5 мОм;
Рассеиваемая мощность (P _D) — 94 Вт

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при T_j= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

IRFZ48N Datasheet (PDF)

1.1. irfz48npbf.pdf Size:226K _update

PD — 94991B
IRFZ48NPbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
VDSS = 55V
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
RDS(on) = 14mΩ
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 64A
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extr

1.2. irfz48nlpbf.pdf Size:301K _update

IRFZ48NSPbF
IRFZ48NLPbF
l Advanced Process Technology
l Surface Mount (IRFZ48NS)
HEXFET Power MOSFET
l Low-profile through-hole (IRFZ48NL)
l 175°C Operating Temperature D
VDSS = 55V
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
RDS(on) = 0.014Ω
Description
G
Advanced HEXFET Power MOSFETs from
ID = 64A
International Rectifier utilize advanced processing
S

1.3. irfz48n 1.pdf Size:53K _philips

Philips Semiconductors Product specification
N-channel enhancement mode IRFZ48N
TrenchMOSTM transistor
GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
standard level field-effect power
transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V
trench technology. The device ID Drain current (DC) 64 A
features very low on-state re

1.4. irfz48ns.pdf Size:131K _international_rectifier

PD — 9.1408B
IRFZ48NS
IRFZ48NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Surface Mount (IRFZ48NS)
Low-profile through-hole (IRFZ48NL)
D
175C Operating Temperature VDSS = 55V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.014?
Description
G
Advanced HEXFET Power MOSFETs from
ID = 64A
International Rectifier utilize advanced processing
S
techniques to achieve extre

1.5. irfz48n.pdf Size:102K _international_rectifier

PD — 91406
IRFZ48N
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 55V
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 14m?
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
ID = 64A
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per sil

1.6. irfz48n 1.pdf Size:53K _international_rectifier

1.7. irfz48ns.pdf Size:251K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ48NS
·FEATURES
·With TO-263( D2PAK ) packaging
·High speed switching
·Low gate input resistance
·Standard level gate drive
·Easy to use
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Power supply
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

1.8. irfz48n.pdf Size:144K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ48N
FEATURES
·Drain Current –ID= 64A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 55V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.014Ω(Max)
·Fast Switching
DESCRIPTION
·Designed for use in switch mode power supplies and general
purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATI

IRFZ24N Datasheet (PDF)

1.1. irfz24npbf.pdf Size:242K _update

IRFZ24NPbF

l Advanced Process Technology
D
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature DSS
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
DS(on) Ω
G
l Lead-Free
Description
D
S
Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the lowest possible on-res

1.2. irfz24nspbf.pdf Size:672K _update

PD — 95147
IRFZ24NS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRFZ24NS)
D
VDSS = 55V
Low-profile through-hole (IRFZ24NL)
175°C Operating Temperature
RDS(on) = 0.07Ω
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
Lead-Free ID = 17A
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve

1.3. irfz24nlpbf.pdf Size:675K _update-mosfet

1.4. irfz24n 1.pdf Size:53K _philips

Philips Semiconductors Product specification
N-channel enhancement mode IRFZ24N
TrenchMOSTM transistor
GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
standard level field-effect power
transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V
trench technology. The device ID Drain current (DC) 17 A
features very low on-state re

1.5. irfz24n.pdf Size:123K _international_rectifier

PD — 91354A
IRFZ24N
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Dynamic dv/dt Rating
VDSS = 55V
175C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 0.07?
Fully Avalanche Rated
G
Description
ID = 17A
S
Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the lowest possible on-resistance
per silicon area

1.6. irfz24n 1.pdf Size:53K _international_rectifier

1.7. irfz24ns.pdf Size:159K _international_rectifier

PD — 9.1355B
IRFZ24NS/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Surface Mount (IRFZ24NS)
Low-profile through-hole (IRFZ24NL)
175C Operating Temperature RDS(on) = 0.07?
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
ID = 17A
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-res

1.8. irfz24nlpbf.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ24NLPbF
·FEATURES
·With TO-262(DPAK) packaging
·Surface mount
·High speed switching
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operationz
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Volt

1.9. irfz24nspbf.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ24NSPbF
·FEATURES
·With TO-263(D2PAK) packaging
·Surface mount
·High speed switching
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operationz
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Vol

Цоколевка

Распиновка IRFZ24N у большинства производителей выполнена в стандартном пластиковом корпусе ТО-220AB, с максимальной рассеиваемой мощностью около 50 Вт. Благодаря низкому тепловому сопротивлению и невысокой стоимости эта упаковка завоевала широкое распространение. Расположение выводов показано на рисунке. Цифрой 1 обозначен затвор (G), под номером 2 – сток (D), 3 – исток (S). Радиатор имеет характерное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт со стоком.

На российском рынке встречаются и более совершенные транзисторы данного типа. Таким устройством является IRFZ24N, также в корпусе ТО220AB, от компании Philips Semiconductor. Они отличаются от классических тем, что выпускаются с применением так называемой «траншейной» технологии (Trench MOSFET) и имеют в сравнении с ними немного лучшие характеристики. Например, сопротивление открытого n-канала у них меньше, чем у обычного планарного полевого транзистора MOSFET. Кроме того предусмотрена защита от электростатических разрядов, при использовании в импульсных источниках питания до 2 кВ.

IRFZ48N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFZ48N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 53
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 54
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016
Ohm

Тип корпуса: TO220AB

IRFZ48N
Datasheet (PDF)

1.1. irfz48npbf.pdf Size:226K _update

1.2. irfz48nlpbf.pdf Size:301K _update

1.3. irfz48n 1.pdf Size:53K _philips

1.4. irfz48ns.pdf Size:131K _international_rectifier

1.5. irfz48n.pdf Size:102K _international_rectifier

1.6. irfz48n 1.pdf Size:53K _international_rectifier

1.7. irfz48ns.pdf Size:251K _inchange_semiconductor

1.8. irfz48n.pdf Size:144K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ48N
FEATURES
·Drain Current –ID= 64A@ TC=25?
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 55V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.014?(Max)
·Fast Switching
DESCRIPTION
·Designed for use in switch mode power supplies and general
purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta

Другие MOSFET… IRFZ44ES
, IRFZ44N
, IRFZ44NL
, IRFZ44NS
, IRFZ45
, IRFZ46N
, IRFZ46NL
, IRFZ46NS
, BS170
, IRFZ48NL
, IRFZ48NS
, IRL1004
, IRL1004L
, IRL1004S
, IRL2203N
, IRL2203NL
, IRL2203NS
.